**对比文件名称**：2002-10-11_JP2002299654A_发明专利_JP2002299654A Photovoltaic element
**目标专利名称**：1655太阳能电池CN107845689B
**本次调用的模型名称**：未提供
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板 **《直接公开》** | 段落[0012]：“Ｇｅ基板３” | 对比文件明确记载其光起电力元件包含“Ｇｅ基板３”，该Ge基板即为半导体基板。因此，本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成 **《未公开》** | 全文未记载控制钝化膜 | 对比文件未在任何位置公开设置在半导体基板（Ge基板）一个表面上的、由介电材料形成的控制钝化膜。其提及的Si氧化膜（段落[0005]）是用于受光面保护的钝化膜，并非位于基板与半导体层之间的控制钝化膜，且功能和作用与该特征不同。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域 **《未公开》** | 段落[0012]：“Ｓｉ層１”（受光面）；段落[0015]：“ｐ型Ｓｉ層１” | 对比文件的半导体层为受光面侧的Si层（单一导电类型p型或n型），且该Si层位于S iGe中间层上，并无控制钝化膜。对比文件也未在Si层中形成相反导电类型的两个区域。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域 **《未公开》** | 全文未记载扩散区域 | 对比文件未公开形成在半导体基板内部的扩散区域，仅公开了在基板表面上的掺杂层（发射极层4、背面电场层5），且没有控制钝化膜与之相邻。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件没有第一扩散区域、第一导电区域以及二者之间的对应关系，也不存在浓度比较。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 **《未公开》** | 全文未记载 | 同特征E，该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域 **《直接公开》** | 段落[0015]：“ｐ型Ｇｅ層(基板)３、ドープ濃度１×10<sup>17</sup> cm<sup>-3</sup>” | 对比文件公开了p型Ge基板，其掺杂浓度相对较低，可作为基极区域且具有第二导电类型（p型）。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开扩散区域的厚度比较，也未公开控制钝化膜及其掺杂部分。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开控制钝化膜，更未公开其非晶结构。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜 **《直接公开》** | 段落[0016]：“反射防止膜”；段落[0024]：“負電極６”图示中反射防止膜的位置 | 对比文件公开了在受光面（Si层上）形成反射防止膜，该膜通常由绝缘材料（如SiN、SiO2）构成，属于设置在半导体层上的绝缘膜。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开控制钝化膜，不存在厚度比较和掺杂浓度比较。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开控制钝化膜的掺杂部分。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开控制钝化膜和扩散区域的掺杂分布。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开扩散区域与导电区域的厚度比较。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间 **《隐含公开》** | 段落[0012]：“エミッタ層４および裏面電界層５が交互に形成されており”；段落[0026]计算条件中的n<sup>+</sup>/p/p<sup>+</sup>结构，图1示意图 | 对比文件公开了在Ge基板（基极区域）背面交替形成发射极层和背面电场层，二者属于不同导电类型的掺杂区域（相当于扩散区域）。本领域技术人员根据公知常识可以合理推断，为避免短路，这两个掺杂区域必然彼此间隔开，且基极区域（p型Ge基板）位于它们之间。该特征的结构和作用与本特征一致。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开势垒区域，也未公开控制钝化膜及未掺杂部分。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开不同扩散区域的厚度方向浓度梯度比较。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开半导体层（Si层）具有多晶结构，也未提及晶粒尺寸。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开控制钝化膜及通过其的浓度连续减小分布。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开控制钝化膜及不同部分的浓度梯度分布。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度 **《未公开》** | 全文未记载 | 对比文件未公开扩散区域的厚度数值或与导电区域的厚度关系。因此，该特征未被公开。 |
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