对比文件名称：2011-09-15_JP2011181606A_发明专利_JP2011181606A Solar cell device and method of manufacturing the same
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该太阳能电池包括：半导体基板<br>《直接公开》 | [0011] “在图1中，作为半导体基板101，例如使用硅基板。……作为硅基板101，例如可以使用n型、9cm×9cm的正方形、厚度300μm、电阻率2Ω·cm的基板。” | 对比文件明确公开了太阳能电池包括半导体基板（硅基板），因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成 | [0020] “在形成沟槽后，在包含沟槽的电极形成面整个面上形成绝缘膜104。……作为绝缘膜104，例如可以使用膜厚500nm左右的二氧化硅（SiO₂）。” | 对比文件中的绝缘膜104形成在已形成的扩散区域（n+/p+活性化区域）之上，其作用是为电极提供绝缘，并非位于导电区域与半导体基板之间。而目标专利的控制钝化膜位于半导体基板与导电区域之间，用于控制掺杂剂扩散并允许载流子隧穿，两者位置、功能均不同。对比文件未公开任何相当于控制钝化膜的结构。因此技术特征B未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C**：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域 | [0007] “……在半导体基板的电极形成面的表面附近形成有p+活性化区域和n+活性化区域……”<br>附图6等示出活性化区域直接在基板内形成。 | 对比文件的活性化区域（p+、n+）是通过热扩散直接在半导体基板表面附近形成的，属于基板的一部分，并非在基板外单独形成的半导体层。目标专利的半导体层是独立于基板的层，形成在控制钝化膜上。对比文件既没有控制钝化膜，也没有在控制钝化膜上的半导体层，因此技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域 | [0007] “……在半导体基板的电极形成面的表面附近形成有p+活性化区域和n+活性化区域……”<br>[0012] “n+活性化区域102与p+活性化区域103分别通过在电极形成面表面附近的所定区域内部扩散所定材料而形成。” | 对比文件中的p+和n+活性化区域是直接形成在基板表面附近的高浓度扩散区域，但不存在控制钝化膜，因此这些区域无法“与控制钝化膜相邻”。目标专利的扩散区域是通过导电区域的掺杂剂穿过控制钝化膜扩散而形成的低浓度区域，与对比文件的结构完全不同。因此技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件中只有高浓度的p+和n+活性化区域，没有形成与之对应的低浓度扩散区域。第一导电区域（半导体层中的区域）在对比文件中也不存在。因此技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 | 对比文件无相关公开内容。 | 与特征E同理，对比文件不存在第二扩散区域以及对应的第二导电区域，也未公开浓度比较关系。因此技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域<br>《直接公开》 | [0011] “作为硅基板101，例如可以使用n型……基板。” | 对比文件明确公开基板为n型（第二导电类型），即具有第二导电类型的基极区域。因此技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分 | [0028] “通过该条件，例如形成宽度（Wn）=120μm、深度=1μm左右的长方形图案的n+活性化区域。”<br>[0032] “通过该条件，例如形成宽度（WP）=1379μm、深度=0.9μm左右的长方形图案的p+活性化区域。” | 对比文件虽然公开了n+活性化区域深度（1μm）大于p+活性化区域深度（0.9μm），但这些都是高浓度的活性化区域，并非目标专利中低浓度的扩散区域。更重要的是，对比文件完全没有控制钝化膜，因此不存在第一/第二掺杂部分。因此技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何控制钝化膜，也未公开其非晶结构。因此技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜<br>《直接公开》 | [0020] “在形成沟槽后，在包含沟槽的电极形成面整个面上形成绝缘膜104。……作为绝缘膜104，例如可以使用膜厚500nm左右的二氧化硅（SiO₂）。” | 对比文件在半导体基板的电极形成面（背面）上形成了绝缘膜（二氧化硅），该绝缘膜形成在基板上（活性化区域上）。因此技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件存在绝缘膜（厚度500nm），但不存在控制钝化膜，因此无法比较厚度，也无法比较掺杂浓度。技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件没有控制钝化膜，因此不存在第一/第二掺杂部分，更不存在高低掺杂部分。技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件没有控制钝化膜，也没有形成在单独半导体层中的导电区域，扩散区域为直接形成的高浓度区域，不存在从导电区域通过控制钝化膜向扩散区域浓度连续减小的分布。技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件中只有基板内的活性化区域（扩散区域）与基板外的导电区域无可比性，且不存在这种厚度关系。技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间 | [0016] “邻接的p+活性化区域与n+活性化区域之间的距离等于分离部（沟槽）105的宽度（W₀）。”<br>[0014] “通过在两活性化区域之间设置沟槽，确保两活性化区域的距离在1μm以上。” | 对比文件中p+和n+活性化区域（高浓度扩散区域）彼此隔开，它们之间的区域为n型基极区域。但目标专利的“第一扩散区域”和“第二扩散区域”是低浓度区域且与控制钝化膜相邻，对比文件既没有控制钝化膜，也没有低浓度扩散区域。特征O是建立在特征D的扩散区域基础上的，特征D未公开，故特征O也未公开。即使单纯看间隔关系，扩散区域的身份不同，但本特征因依赖于控制钝化膜下的扩散区域而未被公开。 |
| **技术特征P**：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分 | [0009] “邻接的p+活性化区域与n+活性化区域之间形成将半导体基板电极形成面挖入的凹形状的分离部。” | 对比文件在p+和n+活性化区域之间形成的是物理凹槽（分离部），并非目标专利中由本征半导体或绝缘材料形成的势垒区域。且没有控制钝化膜，不存在未掺杂部分。技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件没有对扩散区域的浓度梯度进行任何描述，也不存在这种比较关系。技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒 | [0011] “也可以使用多晶硅基板、非晶硅基板。” | 对比文件提到基板可以是多晶硅，但目标专利的半导体层是独立于基板的层，且具有纳米晶粒的多晶结构。对比文件没有公开在控制钝化膜上形成的半导体层，也没有公开该半导体层的晶粒尺寸。因此技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件不存在控制钝化膜、独立的导电区域以及通过膜扩散形成的扩散区域，因此不存在这种掺杂分布。技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件不具备形成这种复杂掺杂分布的结构基础。技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件中的活性化区域厚度为0.9~1μm，不属于100nm~300nm的范围；且不存在导电区域（半导体层中的区域）进行比较。技术特征U未被公开。 |
### 代码
<<<A>>><<<G>>><<<J>>>