对比文件名称：2016-06-03_KR1020160063009A_发明公开_KR1020160063009A 태양 전지
目标专利名称：1655太阳能电池CN107689845B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | [0013]“半導體基板(10)” | 对比文件明确记载太阳能电池包括半导体基板10，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《直接公开》 | [0013]“在反導體基板(10)的一面上形成隧道層(20)，隧道層由反絶緣物質(semi-insulating material)形成”；[0034]“隧道層(20)是硅氧化物層” | 对比文件公开了在半导体基板一个表面上的隧道层（相当于控制钝化膜），该隧道层由硅氧化物形成，硅氧化物是典型的介电材料，且该膜用于控制载流子传输和扩散阻挡，功能与目标专利控制钝化膜相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《直接公开》 | [0013]“導電型領域(32,34)包括第1導電型領域(32)和第2導電型領域(34)”；[0023]“第1導電型領域(32)和…第2導電型領域(34)”；[0055]“半導體層(30)的第1摻雜部分(30a)和第2摻雜部分(30b)” | 对比文件公开了半导体层30包括第一掺杂部分30a和第二掺杂部分30b，分别构成第一导电类型区域32和第二导电类型区域34，直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《未公开》 | 对比文件[0025]“第1部分(20a)是第1摻雜部分(30a)內的摻雜劑擴散到隧道層形成的部分”；全文未公开扩散区域进入半导体基板的内容 | 对比文件仅公开了掺杂剂扩散到隧道层内形成掺杂部分（第一部分、第二部分），并未公开在半导体基板内形成扩散区域；本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出基板内具有扩散区域。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同特征D，对比文件无扩散区域相关内容 | 由于对比文件未公开基板内的第一扩散区域，因此该特征未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同特征D，对比文件无扩散区域相关内容 | 由于对比文件未公开基板内的第二扩散区域，因此该特征未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | [0014]“베이스 영역(110)은 제2 도전형 도펀트를 상대적으로 낮은 도핑 농도로 포함하여 제2 도전형을 가진다。”（基极区域具有第二导电类型） | 对比文件明确公开基极区域具有第二导电类型，直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | [0025]“第1部分(20a)…位於第1摻雜部分(30a)和反導體基板(10)之間”；[0027]类似第2部分；未涉及扩散区域厚度比较 | 对比文件公开了隧道层中的第一部分和第二部分位于导电区域和半导体基板之间，但并未提及扩散区域，且前一句“第二扩散区域比第一扩散区域厚”完全未公开。由于缺乏扩散区域这一基础，整体特征未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《未公开》 | [0034]“隧道層(20)至少一部分具有多結晶結構”；[0035]“多結晶結構中硅-硅結合比例1-25%” | 对比文件公开的隧道层主要是多晶结构，且强调多晶的形成与比例，未公开其为非晶膜或以非晶为主的结构；本领域技术人员不能直接或隐含得出隧道层是非晶膜。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | [0062]“導電型領域(32,34) 및 배리어 영역(36) 위에 절연층(40)이 형성될 수 있다。” | 对比文件明确公开了在导电区域和势垒区域上方形成绝缘层40，直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《直接公开》 | [0063]“절연층(40)은 터널링층(20)보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다。”（绝缘层可以比隧道层厚）；[0048]“제1 부분(20a)은 제1 도전형 도펀트를 포함”（第一部分包含掺杂剂） | 对比文件公开了绝缘层40比隧道层20厚（即隧道层更薄），且隧道层的第一、第二部分含有掺杂剂，浓度高于未掺杂的绝缘层，直接公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 对比文件未明确提及掺杂部分内部存在低浓度与高浓度区域 | 对比文件仅公开了掺杂部分整体包含掺杂剂，未公开其内部进一步划分为低掺杂部分和高掺杂部分，因此未公开。 |
| 技术特征M：当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | [0025]有从第一掺杂部分到第一部分的浓度减小，但未涉及基板内扩散区域 | 对比文件未公开基板内的扩散区域及其浓度梯度，无法体现连续减小到扩散区域以及梯度比较，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 同特征D，对比文件无扩散区域 | 无扩散区域，无法比较厚度，未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《未公开》 | 对比文件未公开间隔的扩散区域 | 对比文件未公开基板内的第一、第二扩散区域及其间隔关系，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《直接公开》 | [0029]“배리어 영역(36)은 터널링층(20)의 제1 배리어 부분(20c)과 반도체층(30)의 제2 배리어 부분(30c)을 포함한다”；[0046]“제1 배리어 부분(20c)은 도펀트가 도핑되지 않은 영역” | 对比文件公开了势垒区域36包括隧道层中的第一屏障部分20c（未掺杂），该部分位于半导体基板与第二屏障部分之间，直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域 | 无扩散区域，无法比较浓度梯度，未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《隐含公开》 | [0055]“半導體層(30)은 미세 결정질(microcrystalline), 비정질, 또는 다결정 반도체로 구성될 수 있다。” | 对比文件公开半导体层可以是微晶半导体，微晶半导体通常由纳米尺寸晶粒（1nm-1μm）构成；本领域技术人员根据该教导可以合理推断半导体层具有多晶结构且晶粒为纳米尺寸，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | [0025]有从第一掺杂部分到第一部分的浓度减小，但未连续到基板内 | 对比文件未公开掺杂剂浓度连续减小进入基板内的扩散区域，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域的掺杂分布 | 对比文件未公开扩散区域及其邻近的两种不同掺杂分布，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域厚度 | 对比文件无扩散区域，无法公开其厚度，因此未公开。 |
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