对比文件名称：2011-04-21_US2011089442A_发明申请_US20110089442A1 OPTOELECTRONIC DEVICE
目标专利名称：1661发光器件CN104752451B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：衬底《直接公开》 | [0037] “光电子器件10包括形成在衬底11上的多个半导体单元”；[0064] “衬底的材料包括蓝宝石、GaAs、GaP、SiC、ZnO、GaN、AlN、Cu或Si”。 | 对比文件明确公开了衬底，并列举了材料，本领域技术人员能毫无疑义地确定其包含衬底这一技术特征，且作用相同（作为半导体单元的支撑基底）。 |
| 技术特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元《直接公开》 | [0037] “多个分隔沟槽111形成在半导体单元之间并暴露部分衬底11”。 | 对比文件通过分隔沟槽将多个半导体单元相互间隔开并共同设置在衬底上，直接公开了“彼此间隔开的多个发光单元”，作用与目标专利相同，实现单元间的电隔离。 |
| 技术特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线《直接公开》 | [0042] “为了电连接半导体单元，在半导体单元之间形成连接部分143”；“连接部分143在半导体单元之间形成串联连接”。 | 对比文件直接公开了连接部分（相当于连接线），用于电连接相邻半导体单元，将单元串联，作用与目标专利中的连接线完全相同。 |
| 技术特征D：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和《未公开》 | [0038] “每个半导体单元的面积彼此相同”。对比文件未定义第一相邻发光单元和第二相邻发光单元，也未讨论长度之和的关系。 | 对比文件明确公开所有半导体单元面积相同，且未提及通过连接线和未通过连接线的相邻单元之间的长度和有任何差异；本领域技术人员无法从中合理推断出长度之和的不等式关系。因此未直接或隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的《未公开》 | [0038] “每个半导体单元的面积彼此相同”；[0039] “第三列107中的半导体单元的形状为矩形，与其他列的单元不同”。 | 对比文件虽面积相同，但形状不同，宽度可能不同，并未公开宽度关系；本领域技术人员不能从面积相同推出宽度必然相同，亦无其他教导。因此未公开。 |
| 技术特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积《未公开》 | [0038] “每个半导体单元的面积彼此相同”。 | 对比文件明确所有半导体单元面积相等，故不可能存在第一相邻发光单元面积大于第二相邻发光单元面积的关系；本领域技术人员不能合理推断出该特征。因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小《未公开》 | [0037] “多个分隔沟槽111形成在半导体单元之间并暴露部分衬底11”。对比文件未提及不同间隔距离的差异。 | 对比文件仅公开了分隔沟槽使单元间隔开，但所有分隔沟槽宽度可能相同，未描述任何关于未连接相邻单元与连接相邻单元之间的间隔距离大小关系。本领域技术人员无法合理推断出第一间隔距离小于第二间隔距离。因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离《未公开》 | 对比文件未定义“2-1间隔距离”，也未公开第一间隔距离与2-1间隔距离的比较。 | 同特征G，对比文件缺乏间隔距离数值或比较的任何教导，本领域技术人员无法合理推断出该关系。因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离《未公开》 | 对比文件未定义“2-2间隔距离”，也未公开第一间隔距离与2-2间隔距离的比较。 | 同特征H，对比文件无相关教导，不能合理推断。因此未公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离《未公开》 | 同特征H。 | 同特征H，未公开。 |
| 技术特征K：所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离《未公开》 | 同特征I。 | 同特征I，未公开。 |
| 技术特征L：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的《未公开》 | 对比文件未定义2-1、2-2间隔距离，也未提供任何比较。 | 对比文件无相关概念或教导，本领域技术人员不能合理推断。因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的《未公开》 | 同特征L。 | 同特征L，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离《未公开》 | 对比文件未定义2-1间隔距离，也无上述限定。 | 对比文件没有定义此类术语或公开相应关系，因此未公开。 |
| 技术特征O：所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同《未公开》 | 对比文件未公开第一间隔距离和2-1间隔距离的关系。 | 无任何教导或暗示，不能合理推断。 |
| 技术特征P：其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离《未公开》 | 对比文件未定义2-2间隔距离。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同《未公开》 | 同特征O。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大《未公开》 | 对比文件未公开任何间隔距离的具体数值或比例关系。 | 对比文件未提供任何间隔距离的量化描述，更无0.2倍或更大的限定，本领域技术人员无法合理推断。 |
| 技术特征S：比所述第二间隔距离小《未公开》 | 同特征G。 | 同特征G，未公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一方向是垂直方向《未公开》 | [0038] “第一列105包括五个半导体单元……沿第一方向串联连接”；“第二列106包括五个半导体单元……沿第二方向串联连接。第一方向和第二方向相反。” | 对比文件中的“第一方向”和“第二方向”是相反方向（同一轴线），并非垂直与水平的不同方向；文字未明确垂直或水平，本领域技术人员无法仅从“列”的表述直接得出第一方向为垂直。因此未公开。 |
| 技术特征U：所述第二方向是水平方向《未公开》 | 同特征T。 | 同特征T，对比文件的第二方向与第一方向相反，未公开水平方向；因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大《未公开》 | 对比文件未定义第一相邻发光单元和第二相邻发光单元的数目。 | 对比文件未给出任何关于未连接相邻单元和连接相邻单元的数量比较，本领域技术人员不能合理推断。 |
| 技术特征W：其中所述发光单元中的每个发光单元包括《直接公开》 | [0037] “每个半导体单元包括第一半导体层121、第二半导体层123以及介于两者之间的有源区122”。 | 对比文件明确公开每个半导体单元（发光单元）的组成，直接公开了该特征。 |
| 技术特征X：包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构《直接公开》 | [0037] 同上；[0044] “在衬底11和第一半导体层121之间还可以形成粘合层”暗示第一半导体层位于衬底上，随后是有源区、第二半导体层。 | 对比文件公开了发光结构依次为第一半导体层、有源区、第二半导体层，且通过粘合层设置于衬底上，直接公开了该特征。 |
| 技术特征Y：设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极《直接公开》 | [0037] “第一电极141形成在暴露的第一半导体层121上”。 | 对比文件直接公开了第一电极形成在第一导电型半导体层上，作用与外接电源一致。 |
| 技术特征Z：设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极《直接公开》 | [0037] “第二电极142形成在第二半导体层123上”。 | 对比文件直接公开了第二电极形成在第二导电型半导体层上，作用与外接电源一致。 |
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