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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2009-04-30_JP2009090230A_发明专利_JP2009090230A Method and apparatus for particle micronization treatment_+++a+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2009-04-30_JP2009090230A_发明专利_JP2009090230A Method and apparatus for particle micronization treatment_+++a+++.docx

**对比文件的名称**:2009-04-30_JP2009090230A_发明专利_JP2009090230A Method and apparatus for particle micronization treatment

**目标专利的名称**:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921614B

**本次调用的模型名称**:资深专利代理师模拟模型

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## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:入口,片材供应到所述入口中<br>《隐含公开》对比文件在实施方式1(参考图1)中记载:“首先,将被处理对象物污泥放入粒子微细化处理槽2到规定量。”同时记载:“粒子微细化处理槽2是由侧面3、底面4和顶面5组成的圆筒形状”。(原文:まず、被処理対象物である汚泥を粒子微細化処理槽2に所定の量まで入れる。粒子微細化処理槽2は側面3と底面4と天面5からなる円筒形状)对比文件明确描述将污泥放入处理槽,该处理槽必然具有可供物料进入的开口(即入口),其作用与目标专利中供片材进入的入口相同。本领域技术人员能够毫无疑义地推断出该装置具有入口特征,因此技术特征A被隐含公开。
**技术特征B**:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力<br>《未公开》对比文件在实施方式2(参考图5)中记载:“喷嘴34通过软管33连接到配置在处理槽底部的泵32”。(原文:ノズル34は粒子微細化処理槽2の底部に配置されたポンプ32とホース33を介して接続されている。)对比文件虽设有泵,但该泵位于处理槽底部,即相当于入口(槽开口)的后端,并非位于入口的前端;其作用是从槽中抽吸流体,而非在入口前端对片材加压。目标专利要求泵位于入口前端且用于对入口加压,对比文件未公开此位置关系及相应功能,因此不构成直接或隐含公开。
**技术特征C**:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化<br>《未公开》对比文件在实施方式2中记载:“喷嘴34的口径逐渐变小,从而使流速加速并高速喷射”。(原文:ノズル34では口径が徐々に小さくなっていることにより、流速に加速度がついて高速で噴射される。)对比文件中的喷嘴为收敛通道,但未提及“微米级截面”或“微通道”概念,且其作用仅为加速流体以实现高速碰撞,并非通过极微小截面对片材施加剪切力以达到均质化。目标专利的微通道具有特定的微小尺寸(横截面积1.00×10²μm²~1.44×10⁸μm²)并直接用于均质化,对比文件未公开这些技术内容,因此不公开。
**技术特征D**:出口,位于所述微通道的后端<br>《未公开》对比文件实施方式2设有冲击板,但未提及出口结构;实施方式1也没有单独出口。目标专利的出口是位于微通道后端的独立收集或导出部件。对比文件中,被处理物料在碰撞后仍留在处理槽内,没有形成明确的出口结构,因此未公开该特征。
**技术特征E**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)<br>《未公开》对比文件全文未涉及任何与速度、距离相关的数学关系式,也未提及其与碰撞压力的关联。目标专利通过特定方程控制出口距离与速度以避免石墨烯研磨,该方程基于碰撞压力40巴的实验结果推导得出。对比文件不涉及类似数值关系,也未公开任何可用于推导该方程的内容,因此不公开。
**技术特征F**:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口<br>《未公开》对比文件实施方式1记载将污泥放入处理槽,但污泥为有机性污泥,不包含石墨。目标专利明确限定使用“包含石墨的溶液”,石墨是制备石墨烯的关键原料。对比文件处理对象为污泥(主要含微生物絮凝物),完全未提及石墨,本领域技术人员无法合理推断出使用石墨溶液,因此不公开。
**技术特征G**:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道<br>《未公开》对比文件实施方式2使用泵使污泥通过喷嘴喷射,但未涉及微通道,且泵的位置和作用与特征要求不同。目标专利要求通过高压泵使溶液穿过微通道。对比文件中泵驱动流体经喷嘴加速后撞击冲击板,并非通过微通道,且流体中不含石墨,因此未公开。
**技术特征H**:3)从所述出口回收石墨烯分散体<br>《未公开》对比文件实施方式2中,处理后的污泥落回槽内,未设置独立出口,也未提及回收分散体。目标专利的步骤是从出口收集石墨烯分散体,对比文件既无出口也无石墨烯产物,且处理后的物料并未以分散体形式单独回收,因此不公开。
**技术特征I**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m<br>《未公开》对比文件未提及距离概念,更无0.001~0.050m的数值范围。该特征建立在特征E的方程基础上,仅适用于目标专利的特定结构。对比文件无类似结构或距离范围,即使喷嘴到冲击板的距离也未指定具体数值,因此不公开。
**技术特征J**:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s<br>《未公开》对比文件未给出流体速度的具体数值或范围。目标专利的速度范围与微通道操作条件相关。对比文件虽可能因高压泵产生一定流速,但未公开任何具体速度数值或范围,因此不公开。
**技术特征K**:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面<br>《未公开》对比文件的喷嘴和冲击板均为非圆柱形结构,且未见微通道后端连接至圆柱形出口侧面的配置。目标专利的出口为圆柱形且微通道后端位于其侧面(如说明书所述圆柱直径即为最小距离)。对比文件完全没有类似结构设计,因此不公开。
**技术特征L**:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线<br>《未公开》对比文件实施方式2记载有软管(ホース33)连接泵和喷嘴,但该软管是从处理槽底部抽吸污泥并输送到喷嘴,并非用于将片材供应到入口。目标专利的供应线直接连接外部片材源与入口,用于向入口供料。对比文件的软管属于循环管线,物料来自系统内部(处理槽),且入口(槽开口)并无单独的供应线,因此不公开。
**技术特征M**:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴<br>《未公开》对比文件未提及任何压力数值或范围,实施例2中仅使用普通泵,未说明压力。目标专利的压力范围对应于高压均质机的典型操作压力(100~3000巴),对比文件既未指定压力,也未涉及高压微通道装置,因此不公开。

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## 公开性代码

对比文件隐含公开了技术特征A,故输出小写代码:

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