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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2009-04-30_JP2009090230A_发明专利_JP2009090230A Method and apparatus for particle micronization treatment_+++a+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx

**目标专利名称**:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

**对比文件名称**:2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치

**本次调用的模型名称**:未指定

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### 特征比对表格

技术特征(公开性判断)对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中(直接公开)段落[0051]:“石墨浆料在石墨浆料供应单元(1,11)中制造,……并且所述石墨浆料从石墨浆料供应单元(1,11)被强制注入微通道或混合反应器中。”<br>段落[0053]:“各个微通道模块(5a,5b,5c,5d,5e,5f,5g)具有通道(29)、入口(25a)和出口(25b)。”对比文件明确公开了装置的入口(25a),用于供入石墨浆料(相当于片材),与目标专利的入口功能相同,均为材料进入装置的通道。本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该入口特征。
技术特征B:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力(直接公开)段落[0051]:“……通过液体用定量泵从硫酸供应单元供应的硫酸和通过粉末用定量泵从石墨供应单元供应的石墨……”<br>段落[0030]:“石墨浆料和高锰酸盐硫酸溶液优选通过相应的定量泵供应到微通道中。”对比文件公开了位于入口前端的定量泵(相当于高压泵),用于强制注入物料,产生压力使物料进入微通道。该泵的作用与目标专利的高压泵实质相同,均为提供加压流体动力。
技术特征C:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化(隐含公开)段落[0026]:“所述微通道部由一个以上彼此连接的微通道形成……”<br>段落[0027]:“所述微通道部内石墨浆料和高锰酸盐硫酸溶液之间的氧化反应应在0℃至54℃下进行……”<br>段落[0053]描述了微通道模块的入口、通道和出口。<br>段落[0030]:“石墨浆料……通过相应的定量泵供应到微通道中。”对比文件明确公开了微通道(微通道部),且物料通过泵压进入微通道。虽然对比文件的主要目的是进行氧化反应,但流体在微通道内因高压和窄通道必然受到强剪切和混合作用,该作用可导致石墨片材的分散和均质化。本领域技术人员可以合理推断出微通道对物料有均质化效果,故隐含公开该特征。
技术特征D:出口,位于所述微通道的后端(直接公开)段落[0053]:“各个微通道模块(5a,5b,5c,5d,5e,5f,5g)具有通道(29)、入口(25a)和出口(25b)。”对比文件直接公开了微通道的出口(25b),位于微通道后端,用于排出流体,与目标专利的出口位置和功能一致。
技术特征E:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)(未公开)无相关内容。对比文件全文未提及微通道后端与出口壁面之间的距离概念,也未涉及排出速度,更无任何数值关系或方程式。因此完全未公开该特征。
技术特征F:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口(直接公开)段落[0011]:“步骤1:混合石墨和硫酸以制备石墨浆料;步骤2:将所述石墨浆料投入到具有一个以上顺序配置的微通道的微通道部中。”<br>段落[0051]:“所述石墨浆料从石墨浆料供应单元(1,11)被强制注入微通道或混合反应器中。”对比文件的方法步骤明确将包含石墨的浆料(相当于含石墨的溶液)供应到微通道的入口,与目标专利的步骤1实质相同。
技术特征G:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道(直接公开)段落[0030]:“石墨浆料和高锰酸盐硫酸溶液优选通过相应的定量泵供应到微通道中。”<br>段落[0051]:“……通过液体用定量泵……强制注入……”对比文件使用定量泵(高压泵)产生压力使石墨浆料进入并穿过微通道,该步骤与目标专利的步骤2一致,均利用泵压驱动流体通过微通道。
技术特征H:3)从所述出口回收石墨烯分散体(未公开)段落[0055]:“氧化反应结束后排出的反应混合物经洗涤和干燥制备氧化石墨烯。”<br>段落[0035]及后续步骤通过热冲击将氧化石墨烯转化为纳米石墨烯结构材料。对比文件中从出口回收的是氧化石墨烯反应混合物,需经后续化学处理才能得到石墨烯,并非直接回收石墨烯分散体。目标专利的步骤3强调直接回收剥离得到的石墨烯分散体,两者工艺终点不同,故未公开。
技术特征I:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m(未公开)无相关内容。对比文件未涉及任何关于最小距离y的数值范围,也未教导如何设置出口与微通道后端的距离。
技术特征J:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s(未公开)无相关内容。对比文件仅提及流量(0.1-100升/小时),未给出片材排出速度的具体范围,更未限定10-600m/s。
技术特征K:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面(未公开)无相关内容。对比文件虽在附图中可能示出出口形状(但说明书未明确说明),且未限定微通道后端位于圆柱形出口的侧面。缺乏明确或隐含的公开。
技术特征L:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线(直接公开)段落[0032]:“一种氧化石墨烯制造装置,包括:石墨浆料供应单元;高锰酸盐供应单元;……水供应单元;过氧化氢水溶液供应单元;……”<br>段落[0051]描述了从供应单元通过管线连接到入口。对比文件装置明确具有各种供应单元(相当于供应线),用于将物料输送到入口,与目标专利的供应线结构及功能相同。
技术特征M:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴(未公开)无相关内容。对比文件未提及操作压力的具体数值,仅在背景技术中一般性描述微通道反应器压力,但未公开100-3000巴的范围。

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**公开性代码输出**

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