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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2009-04-30_JP2009090230A_发明专利_JP2009090230A Method and apparatus for particle micronization treatment_+++a+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx

**对比文件名称**:2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액

**目标专利名称**:包括优化出口的片材剥离装置 CN107921440B

**本次调用的模型名称**:GPT-4

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## 特征比对表格

技术特征描述(公开性判断)对比文件原文引用(翻译)公开性论述
**技术特征A**:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中 **《隐含公开》**[0027]:“作为所述物理剪切应力施加方法,使用主要施加剪切应力的均质机(homogenizer)或高压均质机(high pressure homogenizer)。” [0036]:“为了对所述石墨氧化物分散液施加物理剪切应力,使用均质机进行了石墨氧化物的剥离。”对比文件明确使用均质机或高压均质机对流体进行剪切剥离,本领域技术人员熟知该类流体处理设备必然包含用于引入物料的入口组件。虽然对比文件未直接文字记载“入口”,但根据所公开的设备类型,可以毫无疑义地合理推断出其具备入口,且该入口的作用(供料)与目标专利相同,故隐含公开。
**技术特征B**:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力 **《隐含公开》**[0027]:“使用主要施加剪切应力的均质机或高压均质机。” [0016]:“所述第3步骤的物理剪切应力的施加是使用均质机或高压均质机来剥离石墨氧化物。”对比文件明确使用高压均质机(high pressure homogenizer),该设备的核心组件之一是高压泵,位于入口前端用于产生高压以驱动流体通过均质阀。本领域技术人员由“高压均质机”可直接联想到其必然包含高压泵,且功能与目标专利一致(提供压力) ,故隐含公开。
**技术特征C**:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化 **《隐含公开》**[0027]:“对石墨氧化物分散液中的石墨氧化物施加物理剪切应力……使用主要施加剪切应力的均质机或高压均质机。” [0036]:“均质机……对石墨氧化物施加片状剪切应力。”对比文件通过均质机或高压均质机产生剪切应力实现剥离,本领域技术人员熟知高压均质机内部设有狭窄的均质阀缝隙(相当于微通道),流体在高压下高速通过该缝隙受到强烈剪切力而均质化。因此,尽管未直接使用“微通道”一词,该技术特征是高压均质机工作机理中必然存在的结构,故隐含公开。
**技术特征D**:出口,位于所述微通道的后端 **《隐含公开》**[0036]:“制备了单层氧化石墨烯分散液,其中大面积、低缺陷的氧化石墨烯均匀分散在溶液中。”对比文件公开了经过均质机处理得到产物分散液,本领域技术人员知晓任何流体处理装置均设有出口用于排出处理后的物料。该出口位于均质阀(微通道)的后端,产物由此排出,因此出口的设置为装置固有特征,故隐含公开。
**技术特征E**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10-5)x-(4.2×10-5) **《无公开》**对比文件中无相关记载。对比文件完全没有涉及出口壁面与微通道后端之间的距离、片材速度的数值关系,更未提及任何用于防止碰撞研磨的方程式。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该技术特征。
**技术特征F**:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口 **《隐含公开》**[0013]:第二步骤“将第一步骤的石墨氧化物薄片分散在溶剂中制备石墨氧化物分散液”;第三步骤“对石墨氧化物分散液施加物理剪切应力……形成单层氧化石墨烯分散液”。 [0036]:“为了对所述石墨氧化物分散液施加物理剪切应力,使用均质机进行了石墨氧化物的剥离。”对比文件的方法包含制备石墨氧化物分散液并利用均质机进行处理,该处理过程必然先将分散液供应到均质机的入口。虽然对比文件未明确写出“供应到入口”这一步骤,但实施均质机操作时必须进行供料,本领域技术人员可以合理推断出该步骤存在,故隐含公开。
**技术特征G**:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道 **《隐含公开》**[0027]:“使用主要施加剪切应力的均质机或高压均质机。”对比文件使用高压均质机,其运行原理必然是通过高压泵对入口施加压力,迫使物料通过均质阀(微通道)产生剪切。本领域技术人员知晓该过程,因此虽然步骤未明确说明,但它是高压均质机工作的必要环节,故隐含公开。
**技术特征H**:3)从所述出口回收石墨烯分散体 **《隐含公开》**[0036]:“制备了单层氧化石墨烯分散液”。 [0040]:提及对制备的分散液进行过滤等后处理以得到石墨烯膜。对比文件通过均质机处理得到单层氧化石墨烯分散液,产物必然从设备出口排出并被收集。后续还进行还原等步骤,隐含了回收分散液的行为。因此该回收步骤可合理推断,故隐含公开。
**技术特征I**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m **《无公开》**对比文件中无相关记载。对比文件没有公开出口距离的任何数值范围,也未提及碰撞壁面的距离控制,本领域技术人员无法得出该特征。
**技术特征J**:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s **《无公开》**对比文件中无相关记载。对比文件未提及流速或速度的具体数值范围,也没有任何关于排出速度的限定,无法得出该特征。
**技术特征K**:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面 **《无公开》**对比文件中无相关记载。对比文件未描述出口的形状(如圆柱形)及其与微通道的连接方式(如后端位于侧面),本领域技术人员无法得出该特征。
**技术特征L**:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口的供应线 **《隐含公开》**[0036]:“使用均质机进行了石墨氧化物的剥离。”对比文件使用均质机进行连续或分批处理,本领域技术人员公知,为了将物料有效输送至入口,均质机系统通常配备供应管线(如管道、泵送系统)。该特征由均质机的使用隐含得出,故隐含公开。
**技术特征M**:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴 **《无公开》**对比文件中无相关记载。对比文件虽然在[0033]等段落有实验条件,但从未提及操作压力范围(如100巴至3000巴),本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该压力范围。

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