对比文件名称：WO2009060219A2（ULTRA HIGH THERMAL PERFORMANCE PACKAGING FOR OPTOELECTRONICS DEVICES）
目标专利名称：CN102456681B（发光模块）
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔**《直接公开》 | 对比文件[0016]段落：“The best LEDs of the prior art, which are packaged using Aluminium Nitride ceramic tiles soldered into the core of the IMS PCB… The metal substrate 301 has an adhesive layer 302… This assembly comprising layers 301, 302, 303 and 304 is the IMS‑PCB 316.” 以及前文“By cutting into the metal core of the IMS PCB and soldering a ceramic tile in direct contact with the core of the board, the thermal resistance can be reduced.” 翻译：在IMS PCB的金属核心中切割并焊接陶瓷片直接接触板的核心。金属基板301是金属板，切割形成的槽即空腔。 | 对比文件明确描述了在IMS-PCB的金属核心（金属板）中切割出凹槽（空腔），用于放置陶瓷片。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板**《直接公开》 | 对比文件[0016]段落：“The ceramic tile, 317, can be any number of ceramics such as alumina or aluminium nitride, although aluminium nitride is preferred due to its high thermal conductivity.” 翻译：陶瓷片317可以是任何陶瓷，例如氧化铝或氮化铝，虽然氮化铝因其高导热性而被优选。 | 对比文件公开了氮化铝陶瓷片（氮化物绝缘基板）被放置在金属板的空腔中，因此直接公开了技术特征B。 |
| **C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件**《未公开》 | 对比文件图3仅示出一个LED（309），且说明书中未提及在同一陶瓷片上设置多个发光器件。对比文件其他部分也未明确公开多个发光器件在氮化物绝缘基板上。 | 对比文件背景技术图3仅示出一个LED，本发明实施例也未示出多个LED在同一个氮化物绝缘基板上。因此，没有直接公开多个发光器件，也不能合理推断出必须在氮化物绝缘基板上设置多个，故未隐含公开。 |
| **D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层**《直接公开》 | 对比文件[0016]段落：“The bottom electrical contact of the LED 309 is in electrical contact with the top electrical contact 312 of the ceramic tile through the use of a solder joint 308.” 翻译：LED 309的底部电接触通过焊料接头308与陶瓷片317的顶部电接触312电接触。 | 对比文件公开了在氮化物绝缘基板（陶瓷片）和发光器件（LED）之间存在焊料结合层，因此直接公开了技术特征D。 |
| **E：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分**《未公开》 | 对比文件全文未提及倒圆角结构。 | 对比文件没有任何关于倒圆角的描述，既未直接公开，也无法合理推断，故未公开。 |
| **F：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料**《未公开》 | 对比文件未描述引导突起。 | 对比文件未公开任何围绕空腔的引导突起，更未公开其材料为非透射性无机材料，故未公开。 |
| **G：所述金属板上的绝缘层**《直接公开》 | 对比文件[0016]段落：“The metal substrate 301 has an adhesive layer 302 attaching a polyamide electrical insulation layer 303.” 翻译：金属基板301具有粘合层302，附着聚酰亚胺电绝缘层303。 | 对比文件公开了金属板（金属基板301）上设置有绝缘层（302、303），因此直接公开了技术特征G。 |
| **H：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个**《直接公开》 | 对比文件[0016]段落：“The electrical tracking of the IMS-PCB 316 and the electrical circuit layer 306 of the ceramic tile 317 are electrically connected to together through the use of wire bonds 305. The top electrical connection from the LED (309) to the electrical circuit layer 306 on the top of the ceramic tile (317) is via a wire bond 307.” 翻译：IMS-PCB 316的电跟踪和陶瓷片317的电路层306通过引线305电连接在一起。从LED 309到陶瓷片顶部电路层306的顶部电连接通过引线307。 | 对比文件公开了在绝缘层上的电路层（基板焊盘）通过引线连接到发光器件，因此直接公开了技术特征H。 |
| **I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘**《未公开》 | 对比文件未提及阻焊剂。 | 对比文件未描述任何阻焊剂材料或结构，因此未公开。 |
| **J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板**《未公开》 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板厚度与空腔深度的关系，也未公开倒圆角。 | 对比文件未给出任何关于厚度比较或倒圆角支撑的教导，故未公开。 |
| **K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露**《未公开》 | 对比文件无引导突起，未描述该位置关系。 | 由于对比文件未公开引导突起，该特征不可能被公开。 |
| **L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离**《未公开》 | 对比文件无引导突起，未描述距离关系。 | 对比文件未公开任何引导突起，因此无法公开该距离关系。 |
| **M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质**《未公开》 | 对比文件未提及阻焊剂，更未提及性质。 | 对比文件未公开阻焊剂，故未公开其性质。 |
| **N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率**《未公开》 | 对比文件表1给出Aluminum Nitride thermal conductivity 170 W/(m·K)。但目标专利要求170Kcal/m·h·℃（约197.7W/m·K），单位不同，数值不匹配。 | 对比文件虽公开了氮化铝的导热率，但其数值为170W/(m·K)，不满足目标专利要求的170Kcal/m·h·℃（需换算后高于该值），故未直接公开该具体数值，也不能合理推断本领域技术人员会认为其必然达到170Kcal/m·h·℃。 |
| **O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层**《未公开》 | 对比文件背景技术图3中，陶瓷片上的电路层306可能为单层金属，未明确为多层。对比文件[0095]提及种子层可为多层，但种子层并非焊盘。 | 对比文件未明确公开焊盘包括至少两个金属层，也未教导在氮化物绝缘基板和发光器件之间的焊盘具有多层结构，故未公开。 |
| **P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层**《未公开》 | 对比文件未提及焊盘最上层为金或金合金。 | 对比文件未公开任何关于焊盘最上层材料的信息。 |
| **Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内**《未公开》 | 对比文件未提及焊盘厚度范围。 | 对比文件未公开任何关于焊盘厚度的具体数值。 |
| **R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案**《未公开》 | 对比文件未描述发光器件的布置图案。 | 对比文件未公开任何关于发光器件排列方式的信息。 |
| **S：其中，所述多个发光器件相互串联连接**《未公开》 | 对比文件背景技术图3仅一个LED，无串联。其他实施例也未明确多个LED的串联连接。 | 对比文件未公开多个发光器件，更未公开其连接方式。 |
| **T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上**《未公开》 | 对比文件未提及齐纳二极管。 | 对比文件全文未涉及齐纳二极管。 |
| **U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻**《未公开》 | 对比文件未提及温度传感器。 | 对比文件未公开任何温度传感器。 |
| **V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内**《未公开》 | 对比文件未提及温度传感器及其位置。 | 对比文件无法公开该特征。 |
| **W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置**《未公开》 | 对比文件无引导突起和温度传感器。 | 对比文件无法公开。 |
| **X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上**《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开温度传感器安装在氮化物绝缘基板上。 |
| **Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中**《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开温度传感器掩埋在绝缘层中。 |
| **Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置**《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件无法公开。 |
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