对比文件名称：2007-07-31_KR1020070078309A_发明公开_KR1020070078309A 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
目标专利名称：1749发光模块CN102456681B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件[38]：“上部形成有相互间隔的第一和第二电极，中间有空间的第一基板”；[129]：“第一基板材料可以是氮化铝、氧化铝等”。无金属板。 | 对比文件的第一基板为绝缘基板（如氮化铝），并非金属板；未公开在金属板中形成空腔，仅有电极间的空间。 |
| 特征B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件[38]、[129]；第一基板可以是氮化物绝缘基板，但不在空腔上。 | 对比文件无空腔，氮化物绝缘基板（第一基板）为电路板基板，并非安装在空腔中。 |
| 特征C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件[38]、[65]等描述一个发光器件400。 | 对比文件仅公开一个发光器件，未公开多个发光器件设置在同一氮化物绝缘基板上。 |
| 特征D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件[57]：“发光器件的一个电极被粘结到第一电极”。 | 虽可能隐含存在粘结材料，但特征D要求多个发光器件且结合层位于氮化物绝缘基板与发光器件之间，对比文件仅一个发光器件且结构不同，故不公开。 |
| 特征E：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分。无公开。 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件无倒圆角结构。 |
| 特征F：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料。无公开。 | 对比文件[65]等描述第二基板600为环形结构，但材料为半导体（如硅），并非非透射性无机材料，且不在金属板上。 | 对比文件第二基板为半导体环形，用于形成齐纳二极管，功能不同，且无金属板。 |
| 特征G：所述金属板上的绝缘层。无公开。 | 对比文件无金属板，无绝缘层。 | 对比文件第一基板直接作为绝缘基板，无金属板上的绝缘层。 |
| 特征H：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个。无公开。 | 对比文件[38]电极110、120直接形成在第一基板上。 | 对比文件无绝缘层，电极直接设在基板上，不符合“绝缘层上”。 |
| 特征I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘。无公开。 | 对比文件无阻焊剂。 | 对比文件未使用阻焊剂。 |
| 特征J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板。无公开。 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件无空腔，也无倒圆角。 |
| 特征K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露。无公开。 | 对比文件无空腔和引导突起结构。 | 结构完全不同。 |
| 特征L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件[129]第一基板可为氮化铝。 | 虽氮化铝典型导热率可能接近，但未明确数值，且该特征中的氮化物绝缘基板指封装基板，对比文件第一基板为电路板基板，结构不同，故不公开。 |
| 特征O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层。直接公开。 | 对比文件[99]：“因此，电极可以是Ti/Pt/Au或Cr/Ni/Au结构”。 | 电极位于第一基板（氮化物绝缘）和发光器件之间，且为多层金属，相当于焊盘，直接公开了多个焊盘且每焊盘包含至少两个金属层。 |
| 特征P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层。直接公开。 | 对比文件[99]：电极结构包括Au层。 | 直接公开了最上层为金或金合金。 |
| 特征Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件[99]：“厚度0.1-10μm”。 | 范围不同，未公开具体区间。 |
| 特征R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征S：其中，所述多个发光器件相互串联连接。无公开。 | 对比文件仅一个发光器件。 | 无。 |
| 特征T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件[65]等描述齐纳二极管500并联连接到发光器件，但设置在第一基板100上。 | 齐纳二极管存在，但未设置在金属板上，故不满足特征T。 |
| 特征U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
| 特征Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置。无公开。 | 对比文件无。 | 无。 |
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