对比文件的名称：2006-09-21_JP2006253288A_发明专利_JP2006253288A Light emitting device and manufacturing method thereof
目标专利的名称：1749发光模块CN102456681B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔（直接公开） | “由铝或陶瓷等构成的高导热性基板3的表面形成有多个圆形凹部4（直径约1.8mm）。”（对应图1说明段） | 基板3可为铝（金属），凹部4即为空腔，因此直接公开。 |
| B: 在所述空腔上的氮化物绝缘基板（未公开） | 对比文件描述发光元件5通过导电性粘合剂27直接固定在凹部4的底面25，无额外绝缘基板。（对应图2说明段） | 对比文件未公开在空腔上设置氮化物绝缘基板，发光元件直接与凹部底面连接，因此未公开。 |
| C: 在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件（未公开） | 同上 | 由于缺少氮化物绝缘基板，不存在“在氮化物绝缘基板上的多个发光器件”，未公开。 |
| D: 在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层（未公开） | 对比文件使用导电性粘合剂27连接发光元件和凹部底面，但不是氮化物绝缘基板上的结合层。（对应图2说明段） | 缺少氮化物绝缘基板，结合层未公开。 |
| E: 倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分（未公开） | 对比文件无倒圆角结构描述 | 对比文件未公开任何倒圆角结构，未公开。 |
| F: 引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料（未公开） | 对比文件无引导突起结构 | 对比文件未公开包围空腔的引导突起，未公开。 |
| G: 所述金属板上的绝缘层（直接公开） | “在基板3的凹部4以外的表面形成有绝缘性粘合层28。”（对应图2说明段） | 绝缘性粘合层28形成在金属基板3上，相当于绝缘层，直接公开。 |
| H: 基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个（直接公开） | “在绝缘性粘合层28上形成有n侧导出配线6和p侧导出配线7，由铜箔等金属薄膜形成。”（对应图2说明段） | 导出配线位于绝缘层上，通过引线连接发光元件，相当于基板焊盘，直接公开。 |
| I: 阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘（直接公开） | “在n侧导出配线6和p侧导出配线7的露出部以外的表面形成有由抗蚀剂材料等构成的被覆膜31。”（对应图2说明段） | 被覆膜31覆盖除露出部分外的表面，露出部分为焊盘，相当于阻焊剂，直接公开。 |
| J: 其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板（未公开） | 对比文件未公开氮化物绝缘基板及倒圆角 | 由于缺少氮化物绝缘基板和倒圆角，未公开。 |
| K: 其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露（未公开） | 对比文件无引导突起 | 缺少引导突起，焊盘暴露位置不满足“在空腔和引导突起之间”，未公开。 |
| L: 其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离（未公开） | 对比文件无引导突起 | 缺少引导突起，距离差异特征未公开。 |
| M: 其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质（未公开） | 被覆膜31由抗蚀剂材料形成，但未提及光学性质 | 对比文件未公开阻焊剂具有非透射和非反射性质，未公开。 |
| N: 其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率（未公开） | 对比文件未提及氮化物绝缘基板导热率 | 未公开。 |
| O: 进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层（未公开） | 对比文件图11中电极层55a,55b由Ti/Pt/Au多层构成，但不在氮化物绝缘基板上 | 缺少氮化物绝缘基板，且焊盘位置不匹配，未公开。 |
| P: 其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层（未公开） | 同上，电极层最上层为金，但不在氮化物绝缘基板上 | 依赖O，未公开。 |
| Q: 其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内（未公开） | 对比文件未提及厚度范围 | 未公开。 |
| R: 其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案（直接公开） | “凹部4以适合高密度化的千鸟状排列。”（对应图1说明段） | 凹部千鸟状排列，每个凹部内有一个发光元件，故发光元件也呈千鸟状（Z字形），直接公开。 |
| S: 其中，所述多个发光器件相互串联连接（直接公开） | “各发光元件5被配置成夹在n侧导出配线6和p侧导出配线7之间。夹着n侧导出配线6或p侧导出配线7相邻的两个发光元件5共享其间的导出配线。”（对应图1说明段） | 根据该结构，本领域技术人员可直接确定发光元件通过共享配线形成串联连接，直接公开。 |
| T: 进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上（未公开） | 对比文件未提及齐纳二极管 | 未公开。 |
| U: 进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻（未公开） | 对比文件未提及温度传感器 | 未公开。 |
| V: 其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内（未公开） | 无对应内容 | 依赖U，未公开。 |
| W: 其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置（未公开） | 无对应内容 | 依赖U和F，未公开。 |
| X: 其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上（未公开） | 无对应内容 | 依赖U和B，未公开。 |
| Y: 其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中（未公开） | 无对应内容 | 依赖U，未公开。 |
| Z: 其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置（未公开） | 无对应内容 | 依赖U、Y、F，未公开。 |
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