对比文件名称：1999-11-23_US5990500A_发明授权_US5990500A Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
模型名称：DeepSeek（深度求索）
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（未公开） | 对比文件全文未公开任何支撑层结构。 | 对比文件涉及在蓝宝石衬底上生长氮化物半导体层并形成电极，没有涉及移除衬底或使用支撑层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极（未公开） | 对比文件未公开支撑层上的第一电极。 | 由于对比文件没有支撑层，所以不存在支撑层上的第一电极，未公开。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构（未公开） | 对比文件公开的半导体层（n型层、有源层、p型层）生长在衬底上，电极（p侧电极）形成在p型层上，顺序为衬底→半导体层→电极，而不是第一电极上的半导体结构。 | 对比文件的结构与“第一电极上的半导体结构”顺序相反，未公开。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面（未公开） | 对比文件未公开倾斜侧表面。 | 对比文件没有描述半导体结构的侧表面形状，未公开。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层（未公开） | 对比文件未公开电流扩散层。 | 对比文件在p型半导体层和p侧电极之间没有设置额外的电流扩散层，未公开。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层（未公开） | 对比文件公开了在p侧电极上形成透明电极10（ITO），但该透明电极是形成在金属层上，而不是直接形成在半导体结构上，且目标专利的TCO层位于n型半导体层侧。 | 对比文件的透明电极位于p侧金属层之上，并非直接位于半导体结构上，且位置不同，未公开。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极《直接公开》 | 对比文件：在n型GaN层3上形成n侧电极，即“the palladium (Pd) film 5 and the gold (Au) film 6, for example, are stacked as the n-side electrode on the n-type GaN layer 3”（实施例部分）。 | 对比文件明确公开了在n型半导体层（半导体结构的一部分）上形成n侧电极（第二电极），因此直接公开。 |
| 技术特征H：金属层《直接公开》 | 对比文件公开了多个金属层：p侧电极的金属层7（Ti）、8（Mg）、9（Pd），n侧电极的金属层5（Pd）、6（Au）（实施例部分）。 | 对比文件直接公开了金属层，故该特征被直接公开。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间《直接公开》 | 对比文件：p侧金属层7-9布置在p型GaN层4和透明电极10之间，透明电极10连接焊盘12（第二电极）；n侧金属层5、6布置在n型GaN层3和焊盘之间（实施例部分）。 | 对比文件中的金属层位于半导体层和电极之间，因此直接公开了金属层布置在半导体结构和第二电极之间。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触《直接公开》 | 对比文件：对p侧金属层7，其“has the role of... ensuring their ohmic contact”；对n侧金属层5，其“has the role of ensuring ohmic contact”（实施例部分）。 | 对比文件明确说明金属层用于确保欧姆接触，故直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性《隐含公开》 | 对比文件公开了p侧第一金属层7使用钛（Ti），Ti是公知的与氮具有高反应性的金属（实施例部分）。 | 虽然对比文件未明示对氮的反应性，但本领域技术人员熟知Ti易与氮反应形成TiN，且该层用于改善欧姆接触，因此可以合理推断其具有吸氮特性，从而隐含公开。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中《直接公开》 | 对比文件：通过真空蒸镀将金属层堆叠在半导体层上，如“vacuum evaporation is conducted to sequentially stack on the p-type GaN layer 4 the titanium (Ti) layer 7...”（实施例部分）。 | 对比文件中的金属层是通过蒸镀涂覆在半导体层界面上，故直接公开了“涂覆在界面上”。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（未公开） | 对比文件未公开电流扩散层及功函数比较。 | 对比文件没有电流扩散层，也未涉及功函数比较，未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。（未公开） | 对比文件未公开电流扩散层。 | 对比文件没有设置电流扩散层，未公开。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层（未公开） | 对比文件：p型GaN层4上形成p侧电极，所以p型层在p侧电极下方。 | 对比文件中p型半导体层位于第一电极（p侧电极）下方，而非上方，未公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层（未公开） | 对比文件：有源层S位于n型层3和p型层4之间，即在p型层下方。 | 对比文件的有源层在p型层下方，而不是上方，未公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层（未公开） | 对比文件：n型层3位于有源层S下方（衬底侧）。 | 对比文件的n型层在有源层下方，而不是上方，未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。（未公开） | 对比文件未公开电流扩散层。 | 对比文件没有电流扩散层，未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。（未公开） | 对比文件未公开电流扩散层及功函数。 | 对比文件没有电流扩散层，未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。（未公开） | 对比文件未公开电流扩散层及功函数。 | 对比文件没有电流扩散层，未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极。（未公开） | 对比文件未明确公开反射电极。 | 对比文件的p侧电极包含金属层（如Ti、Mg、Pd）和透明电极，但未指定反射层，未使用Ag或Al等高反射材料作为独立反射电极，未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极。《直接公开》 | 对比文件：p侧电极包括透明电极10（ITO），如“making a transparent electrode of ITO, for example”和“the transparent electrode 10”（发明内容及实施例部分）。 | 对比文件直接公开了第一电极（p侧电极）包含透明电极，故直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属。（未公开） | 对比文件未公开支撑层。 | 对比文件没有支撑层，未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。（未公开） | 对比文件未公开支撑层。 | 对比文件没有支撑层，未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。（未公开） | 对比文件未公开倾斜侧表面及面积关系。 | 对比文件没有描述半导体结构的侧表面倾斜或面积差异，未公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。（未公开） | 对比文件未公开面积关系。 | 对比文件没有公开任何面积比较关系，未公开。 |
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