对比文件名称：2004-02-17_US6693352B_发明授权_US06693352B1 Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层** 未公开 | 对比文件未记载任何支撑层。 | 目标专利的支撑层是在移除衬底后用于支撑半导体层的独立结构，而对比文件中的衬底（蓝宝石或SiC）是永久衬底，未提及在工艺中形成支撑层，本领域技术人员不能从对比文件得出该特征。 |
| **B：在所述支撑层上的第一电极** 未公开 | 对比文件未记载支撑层，故无相关引用。 | 由于支撑层不存在，无法认定第一电极位于支撑层上，对比文件未公开该结构。 |
| **C：在所述第一电极上的半导体结构** 未公开 | 对比文件图3及说明：半导体层32-35形成于衬底30上，第一电极（薄金属层36A）形成于半导体层35上，即半导体结构在衬底上，第一电极在半导体结构上。 | 目标专利中半导体结构位于第一电极上方（翻转后），而对比文件始终是半导体结构在衬底上，第一电极在半导体结构之上，顺序相反，未公开。 |
| **D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面** 未公开 | 对比文件所有附图显示半导体层垂直侧壁，无倾斜结构。 | 目标专利通过倾斜侧表面增大光泄漏角，对比文件未提及任何倾斜侧表面，也未给出任何启示。 |
| **E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层** 未公开 | 对比文件图3：薄金属层36A直接接触p型层35，中间无其他层；电流扩散由36A和37A共同实现，但36A本身即为第一电极的一部分。 | 目标专利的电流扩散层是独立于第一电极的InGaN层，位于半导体结构和第一电极之间；对比文件中第一电极直接接触半导体，不存在中间层，故未公开。 |
| **F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层** 直接公开 | 图3及说明：“transparent conducting oxide layers 37A and 37B are formed on top of layers 36A and 36B”（透明导电氧化物层37A和37B形成于层36A和36B上），层36A位于半导体层35上。 | 对比文件明确公开了透明导电氧化物层（TCO）位于半导体结构之上（尽管通过薄金属层），本领域技术人员可直接确定该特征。 |
| **G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极** 直接公开 | 图3及说明：“Layers 38A and 38B are metal contact pads formed onto the transparent conducting oxide layers 37A and 37B”（层38A和38B是形成于透明导电氧化物层37A和37B上的金属接触焊盘）。 | 对比文件公开了金属焊盘（第二电极）位于TCO层上，而TCO层位于半导体结构上，因此第二电极处于半导体结构的一部分之上，直接公开。 |
| **H：金属层** 直接公开 | 图3及说明：“Layer 36A is a thin metal layer and is in direct contact with p+-type AlGaInN layer 35”（层36A是薄金属层，直接接触p+型AlGaInN层35）。 | 对比文件明确记载了薄金属层（如In、Sn、Zn、Ni、Cr等），属于金属层，直接公开。 |
| **I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间** 直接公开 | 图3：薄金属层36A位于半导体层35与TCO层37A之间，而第二电极38A位于TCO层37A上，故36A位于半导体层35与38A之间。 | 对比文件的薄金属层处于半导体层和第二电极（通过TCO层）之间，本领域技术人员可直接确定其位置关系，直接公开。 |
| **J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触** 直接公开 | 摘要：“The thin metal layer provides a low resistance direct contact to the semiconductor”（薄金属层提供对半导体的低电阻直接接触）；实施例中热退火进一步改善接触电阻，形成欧姆接触。 | 对比文件明确薄金属层的作用是形成低电阻欧姆接触，直接公开该功能。 |
| **K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性** 未公开 | 对比文件列举金属材料包括In、Sn、Ni、Cr、Zn，但未提及任何对氮的反应性，也未指出其用于吸收氮。 | 目标专利的吸气金属（Ti、Zr、Cr）专门用于与氮反应形成欧姆接触，对比文件虽公开了Cr，但未公开该功能，也未教导利用氮反应性，本领域技术人员不能合理推断。 |
| **L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中** 未公开 | 对比文件薄金属层36A、36B等为连续沉积层，厚度5-400Å，并非涂覆或掺杂方式。 | 目标专利的金属层是少量涂覆或掺杂在界面中，对比文件为完整薄膜层，方式不同，未公开。 |
| **M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数** 未公开 | 对比文件未提及电流扩散层，更未比较功函数。 | 目标专利的电流扩散层（InGaN）功函数大于TCO，对比文件无此层，也未涉及功函数比较，未公开。 |
| **N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层** 未公开 | 对比文件无InGaN或超晶格层。 | 目标专利的电流扩散层具有特定材料且直接接触半导体和第一电极，对比文件没有相同结构，未公开。 |
| **O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层** 未公开 | 对比文件图3：p型层35在衬底上，第一电极36A在p型层上，即p型层在第一电极下方。 | 目标专利的垂直结构中p型层位于第一电极上方，对比文件顺序相反，未公开。 |
| **P：在所述p型半导体层上的有源层** 未公开 | 对比文件图3：有源层33在n型层32和p型层34之间，p型层34/35在有源层之上。 | 目标专利有源层在p型层之上，对比文件有源层在p型层之下，未公开。 |
| **Q：和在所述有源层上的n型半导体层** 未公开 | 对比文件图3：n型层32在衬底上，有源层33在n型层上，n型层在有源层之下。 | 目标专利n型层在有源层之上，对比文件n型层在有源层之下，未公开。 |
| **R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率** 未公开 | 对比文件薄金属层和TCO层用于电流扩展，但未提及增强载流子迁移率。 | 目标专利的电流扩散层（InGaN）具有增强迁移率的功能，对比文件无此层，也未公开该功能。 |
| **S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数** 未公开 | 对比文件无电流扩散层，未涉及功函数比较。 | 目标专利中电流扩散层功函数小于p型GaN，对比文件未公开。 |
| **T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数** 未公开 | 对比文件无电流扩散层，未涉及功函数比较。 | 目标专利中电流扩散层功函数大于第一电极（透明电极），对比文件未公开。 |
| **U：其中，所述第一电极包括反射电极** 未公开 | 对比文件未提及反射电极。 | 目标专利第一电极可包含Ag或Al反射层，对比文件接触结构无反射功能，未公开。 |
| **V：其中，所述第一电极包括透明电极** 未公开 | 对比文件第一电极（薄金属层）不透明，仅TCO层透明。 | 目标专利第一电极可为透明TCO，对比文件第一电极是薄金属层，不透明，未公开。 |
| **W：其中，所述支撑层包括金属** 未公开 | 对比文件无支撑层。 | 同特征A，未公开。 |
| **X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上** 未公开 | 对比文件无支撑层。 | 未公开。 |
| **Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积** 未公开 | 对比文件无倾斜侧表面，也无面积差异。 | 目标专利通过倾斜侧壁实现n型面面积大于p型面，对比文件未公开。 |
| **Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积** 未公开 | 对比文件无此面积关系。 | 同上，未公开。 |
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