对比文件名称：2003-12-05_JP2003347589A_发明专利_JP2003347589A Led chip
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：AI分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层<br>**未公开** | 无 | 对比文件未涉及任何支撑层，其LED芯片始终保留蓝宝石基板，无需支撑层。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极<br>**未公开** | 无 | 对比文件无支撑层，故不存在第一电极在支撑层上的结构。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构<br>**未公开** | 无 | 对比文件中半导体结构生长在基板上，电极形成在半导体层上表面，而非半导体结构在电极上。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面<br>**直接公开** | [0019]“对包含发光层4的两个半导体层3、5的侧面进行蚀刻，形成斜面。” | 对比文件明确公开了半导体层（n型、发光层、p型）的侧壁为倾斜表面，与目标专利中半导体结构具有倾斜侧表面相同，且均用于提高光提取效率，作用相同。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层<br>**未公开** | 无 | 对比文件未提及任何电流扩散层。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层<br>**未公开** | 无 | 对比文件未使用透明导电氧化物（TCO），其电极采用金属（如Au、Al或透光性金属膜）。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极<br>**直接公开** | [0018]“在n型半导体层3和p型半导体层5各自上，在两层半导体层3、5的与透光性基板2相反一侧的面上设置有n侧电极和p侧电极的给电部6、7。” | 对比文件公开了n侧电极（给电部6）形成在n型半导体层3的一部分上，即第二电极位于半导体结构的一部分上，与目标专利的第二电极在半导体结构的一部分上实质相同。 |
| 技术特征H：金属层<br>**未公开** | 无 | 对比文件没有在半导体结构和第二电极之间设置金属层。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间<br>**未公开** | 无 | 同H，对比文件无此布置。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触<br>**未公开** | 无 | 对比文件未提及该金属层及其欧姆接触功能。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性<br>**未公开** | 无 | 对比文件未提及金属对氮的反应性。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中<br>**未公开** | 无 | 对比文件无此特征。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数<br>**未公开** | 无 | 对比文件无电流扩散层和TCO层。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。<br>**未公开** | 无 | 对比文件无电流扩散层。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层<br>**隐含公开** | [0052]“但也可以按p型半导体层5、包含发光层4的量子阱结构、n型半导体层3的顺序层叠。” | 对比文件公开了半导体结构可以按p型/发光/n型顺序层叠，即p型半导体层位于底部。虽未明确提及“在第一电极上”，但本领域技术人员在垂直结构LED中可合理推断出p型层位于第一电极上，且对比文件部分公开了该层序，可能与其他对比文件组合，故隐含公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层<br>**隐含公开** | 同上[0052] | 对比文件公开了有源层（发光层）在p型半导体层上，隐含公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层<br>**隐含公开** | 同上[0052] | 对比文件公开了n型半导体层在有源层上，隐含公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。<br>**未公开** | 无 | 对比文件无电流扩散层。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。<br>**未公开** | 无 | 对比文件无电流扩散层。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。<br>**未公开** | 无 | 对比文件无电流扩散层。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极。<br>**未公开** | 无 | 对比文件未提及反射电极。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极。<br>**未公开** | 无 | 对比文件未提及透明电极（TCO），其p侧电极为金属膜。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属。<br>**未公开** | 无 | 对比文件无支撑层。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。<br>**未公开** | 无 | 对比文件无支撑层。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。<br>**隐含公开** | [0019]关于倾斜侧壁，[0052]关于倒序。 | 对比文件公开了半导体层侧壁倾斜（[0019]），且公开了可以倒序层叠（p型/发光/n型）。当倒序并采用倾斜侧壁时，远离基板侧（即第二表面）为n型层，面积较大，符合本特征。对比文件部分公开了倾斜侧壁和层序，故隐含公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。<br>**隐含公开** | 同上[0019]和[0052] | 与Y类似，当倒序时，第一电极（p型层）表面面积小于第二电极（n型层）表面面积，隐含公开。 |
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