对比文件名称：2001-11-22_US2001042860A_发明申请_US20010042860A1 Nitride gallium compound semiconductor light emission device
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：AI专利特征比对分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开任何支撑层结构，其器件直接形成在衬底上，未移除衬底，也未形成额外的支撑层。 |
| **技术特征B**：在所述支撑层上的第一电极<br>**未公开** | 无 | 由于支撑层未被公开，该特征也不被公开。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极上的半导体结构<br>**未公开** | 无 | 对比文件中的半导体结构形成在衬底上，第一电极（p型电极）形成在半导体结构上，而不是半导体结构形成在第一电极上。 |
| **技术特征D**：所述半导体结构具有倾斜的侧表面<br>**未公开** | 无 | 对比文件中的半导体结构侧壁通过干法蚀刻形成，未提及倾斜侧表面。 |
| **技术特征E**：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开任何电流扩散层。 |
| **技术特征F**：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层<br>**直接公开** | 段落[0054]：“n型透射电极6可由厚度约2nm的薄金属膜（Ti）和厚度约300nm的覆盖ITO层构成。”<br>段落[0070]：“作为氧化物半导体层9，ITO形成在衬底10的下表面和侧面上，以及缓冲层和n型GaN化合物半导体层30的侧面上，厚度约300nm。” | 对比文件明确公开了在n型半导体层上形成透明导电氧化物层（ITO），该层作为n型透明电极的一部分，直接位于半导体结构上。 |
| **技术特征G**：在所述半导体结构的一部分上的第二电极<br>**直接公开** | 段落[0044]：“在n型透射电极1上形成n型焊盘电极（例如Al），厚度约300nm。”<br>段落[0054]：“Au线80可以直接形成在n型透射电极6上。” | 对比文件公开了在n型透明电极（位于半导体结构上）上形成n型焊盘电极，该焊盘电极作为第二电极，形成在半导体结构的一部分上。 |
| **技术特征H**：金属层<br>**直接公开** | 段落[0054]：“n型透射电极6可由厚度约2nm的薄金属膜（Ti）构成。” | 对比文件公开了薄金属膜（Ti）作为金属层。 |
| **技术特征I**：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间<br>**直接公开** | 段落[0054]：“n型透射电极6可由薄金属膜（Ti）和覆盖的ITO层构成。”结合[0044]：n型焊盘电极形成在n型透射电极上，结构为：n型GaN层/Ti层/ITO层/n型焊盘电极。 | 对比文件中的Ti层位于n型GaN半导体层和n型焊盘电极之间，通过ITO层间接，但Ti层直接接触半导体层且位于第二电极下方，因此公开了金属层布置在半导体结构和第二电极之间。 |
| **技术特征J**：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触<br>**直接公开** | 段落[0084]：“n型电极……可以是薄金属膜或氧化物半导体层……是基本透明的类型，并且形成欧姆接触。” | 对比文件明确说明n型电极（包括薄金属膜）与半导体形成欧姆接触，因此该金属层充当欧姆接触。 |
| **技术特征K**：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性<br>**隐含公开** | 段落[0054]使用Ti作为薄金属膜。Ti是已知的吸气金属，容易与氮反应形成TiN。 | 虽然对比文件未明确提及金属层对氮的反应性，但本领域公知Ti对氮具有高反应性，常用于形成欧姆接触。对比文件使用Ti作为n型透明电极的组成部分，其隐含了Ti的吸气特性，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中<br>**直接公开** | 段落[0044]：“在n型GaN化合物半导体层30的暴露表面31上，形成n型透射电极（例如Ti）。” | 对比文件明确将Ti金属层涂覆在n型GaN半导体层的暴露表面上，即涂覆在界面上，因此直接公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开电流扩散层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征N**：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开任何电流扩散层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征O**：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层<br>**未公开** | 段落[0041]描述多层结构依次为：AlN缓冲层、n型GaN层、n型包层、发光层、p型包层、p型接触层。p型半导体层位于多层结构顶部，第一电极（p型电极）形成在p型接触层上。 | 对比文件的半导体结构顺序与目标专利相反，p型半导体层位于第一电极下方，而非第一电极上，因此未公开。 |
| **技术特征P**：在所述p型半导体层上的有源层<br>**未公开** | 段落[0041]多层结构顺序为：n型层、有源层、p型层，有源层在p型层下方。 | 对比文件中有源层位于p型层下方，而非p型层上，因此未公开。 |
| **技术特征Q**：和在所述有源层上的n型半导体层<br>**未公开** | 段落[0041]多层结构顺序为n型层、有源层、p型层，n型层位于有源层下方。 | 对比文件中n型层位于有源层下方，而非有源层上，因此未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开电流扩散层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征S**：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开电流扩散层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征T**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开电流扩散层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一电极包括反射电极<br>**未公开** | 段落[0043]描述p型透射电极为Ni（约7nm），未公开反射电极。 | 对比文件中的p型电极为透明薄金属层，未提及反射电极，因此未公开。 |
| **技术特征V**：其中，所述第一电极包括透明电极<br>**直接公开** | 段落[0043]：“p型透射电极4（例如Ni）形成为厚度约7nm。” | 对比文件公开了p型透明电极（Ni薄层），该电极是透明的，因此第一电极包括透明电极。 |
| **技术特征W**：其中，所述支撑层包括金属<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开支撑层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征X**：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开支撑层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开半导体结构的倾斜侧表面，也未公开面积关系。 |
| **技术特征Z**：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积<br>**未公开** | 无 | 对比文件未公开倾斜侧表面或面积关系，因此未公开该特征。 |
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