## 对比文件名称与目标专利名称及模型名称
- **对比文件名称**：2005-07-21_JP2005197506A_发明专利_JP2005197506A Gallium nitride group iii-v compound semiconductor light emitting diode and its manufacturing method
- **目标专利名称**：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
- **模型名称**：本次调用模型为资深专利代理师创造性评估模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件全文未记载任何支撑层结构。其制造方法在蓝宝石或SiC衬底上直接生长外延层，并未移除衬底，亦未形成额外的支撑层。 | 目标专利的支撑层用于在衬底移除后支撑半导体层，是垂直结构的关键部件。对比文件采用横向结构，无需支撑层，且未提及任何由金属或含Si半导体构成的支撑层。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含得出该特征。 |
| **技术特征B**：在所述支撑层上的第一电极<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开支撑层，因此无第一电极位于支撑层上的结构。 | 由于特征A未被公开，特征B建立在支撑层上的第一电极自然无从谈起。对比文件中的p型金属电极（50）位于ZnO系窗层上，与支撑层无关。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极上的半导体结构<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开特征B所述的第一电极，因此无第一电极上的半导体结构。 | 对比文件中的半导体结构（n-GaN、有源层、p-GaN）生长在衬底上，与第一电极（p型金属电极）的位置关系为p型金属电极在半导体结构之上（通过ZnO层），而非半导体结构在第一电极上。 |
| **技术特征D**：所述半导体结构具有倾斜的侧表面<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件描述刻蚀步骤时仅提及“エッチング法により、一部のｎ-ＧａＮ層の表面と、一部のマルチ量子井戸活性層と、一部のｐ-ＧａＮ層と、を取り除く”，未涉及侧表面形状。 | 目标专利中倾斜侧表面是为了使第二表面面积大于第一表面，从而提高光提取效率。对比文件通过刻蚀暴露n-GaN层，但未描述侧表面为倾斜，本领域技术人员无法从对比文件必然推断出倾斜侧表面。 |
| **技术特征E**：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件在p-GaN层（第二半导体层）上直接形成Ni/Au欧姆接触层，未设置电流扩散层。 | 目标专利的电流扩散层（如InGaN层或超晶格）用于增强载流子迁移率，位于p型半导体层与第一电极之间。对比文件无此层，且未提及类似功能层。 |
| **技术特征F**：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件第5工程：“Ｎｉ／Ａｕ層２７の表面に厚さが１μｍ以上のＺｎＯ系窓層３１をメッキし”，即ZnO系窗层作为透明导电氧化物层，形成于p-GaN层（半导体结构的一部分）之上（通过Ni/Au层）。 | 对比文件中的ZnO系窗层为透明导电氧化物，位于半导体结构（p-GaN层）之上，尽管中间有Ni/Au层，但特征F未限定直接接触。该层在对比文件中作为光取出层，起到光提取和电流传导作用，与目标专利透明导电氧化物层的作用类似。因此本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| **技术特征G**：在所述半导体结构的一部分上的第二电极<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件第6工程：“ｎ-ＧａＮ層２１の露出面２１ａの上にｎタイプ金属電極４０を設置し”，即n型金属电极设置于n-GaN层（半导体结构的一部分）的露出面上。 | 对比文件中的n型金属电极直接形成在半导体结构（n-GaN层）的一部分上，作为n电极，与目标专利中第二电极（n电极）位于半导体结构的一部分（通过TCO层）的功能相同。因此本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| **技术特征H**：金属层<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件第4工程：“エッチングした後に残ったｐ-ＧａＮ層２５の上に、極めて薄いＮｉ／Ａｕ層２７をメッキする”，即Ni/Au金属层形成于p-GaN层上。 | 对比文件中的Ni/Au层为金属层，由镍和金构成，属于金属材料。因此本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| **技术特征I**：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的Ni/Au层位于p-GaN层与ZnO系窗层之间，而第二电极（n型金属电极）位于n-GaN层上，与Ni/Au层无直接位置关系。若考虑p型金属电极作为第二电极，则Ni/Au层位于p-GaN层与p型金属电极之间（中间有ZnO层），但目标专利的第二电极明确为n电极（参见说明书第二电极60在TCO层50上），且垂直结构下第二电极为n电极。对比文件未公开金属层布置在半导体结构与n电极之间。 | 目标专利中金属层（吸气金属）位于n型半导体层与TCO层之间，进而位于半导体结构与第二电极（n电极）之间。对比文件中的Ni/Au层位于p型半导体层与ZnO层之间，而ZnO层上为p型电极，并非n电极，且n电极位于另一侧。因此对比文件未公开该特征，也无法隐含得出。 |
| **技术特征J**：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件第5工程：“Ｎｉ／Ａｕ層２７をＺｎＯ系窓層３１とｐ-ＧａＮ層２５の間のオーム接触層とする”，即Ni/Au层作为ZnO系窗层与p-GaN层之间的欧姆接触层。 | 对比文件明确记载Ni/Au层在p-GaN层（半导体结构）上充当欧姆接触层，与目标专利中金属层在半导体结构上充当欧姆接触的作用相同，仅半导体类型不同（p型 vs n型），但特征J未限定导电类型，因此本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| **技术特征K**：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及金属层对氮的反应性，Ni/Au材料本身不与氮形成高反应性。 | 目标专利的金属层为吸气金属（如Ti、Zr、Cr），与氮反应形成氮化物以改善欧姆接触。对比文件中的Ni/Au不具备此特性，且未公开任何相关作用。本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| **技术特征L**：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件第4工程：“エッチングした後に残ったｐ-ＧａＮ層２５の上に、極めて薄いＮｉ／Ａｕ層２７をメッキする”，即通过电镀（涂覆）方法在p-GaN层表面形成Ni/Au层。 | 对比文件中的Ni/Au层通过电镀方式涂覆在p-GaN层（半导体结构）的界面上，这属于“涂覆在界面上”。特征L为“涂覆或掺杂”，其中“涂覆”已被直接公开，因此本领域技术人员可直接得出该特征。 |
| **技术特征M**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未设置电流扩散层，故无相关功函数比较。 | 特征M依赖电流扩散层的存在，对比文件无此层，且未公开功函数关系。 |
| **技术特征N**：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未设置电流扩散层，更未提及InGaN层或超晶格层。 | 目标专利的电流扩散层直接接触p型半导体层和第一电极，且由特定材料构成。对比文件无此结构，无法直接或隐含公开。 |
| **技术特征O**：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的p型半导体层（p-GaN层）位于有源层之上，而第一电极（p型金属电极）在ZnO层上，p型半导体层位于第一电极之下，而非之上。 | 目标专利的半导体结构顺序为p型半导体层位于第一电极之上，有源层在p型半导体层之上，n型层在最上。对比文件的层序相反（n型在下，p型在上），p型半导体层不在第一电极上，因此未公开。 |
| **技术特征P**：在所述p型半导体层上的有源层<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的有源层（多量子阱活性层）位于n-GaN层与p-GaN层之间，即p型半导体层在有源层之上，而非有源层在p型半导体层上。 | 特征P要求有源层在p型半导体层上，对比文件正好相反，因此未公开。 |
| **技术特征Q**：和在所述有源层上的n型半导体层<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的n型半导体层（n-GaN层）位于有源层之下，而非之上。 | 特征Q要求n型半导体层在有源层上，对比文件是n型层在下，有源层在上，因此未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未设置电流扩散层，无相关描述。 | 目标专利的电流扩散层用于增强载流子迁移率，对比文件无此层，无法公开。 |
| **技术特征S**：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无电流扩散层，无相关功函数关系。 | 特征S依赖电流扩散层的存在，对比文件未公开。 |
| **技术特征T**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无电流扩散层，无相关功函数关系。 | 特征T依赖电流扩散层的存在，对比文件未公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一电极包括反射电极<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的第一电极（p型金属电极）为一般金属电极，未提及反射功能或反射材料（如Ag、Al）。 | 目标专利的第一电极可包含反射电极（如Ag、Al）以提高反射效率。对比文件未公开第一电极具有反射特性，本领域技术人员无法从对比文件得出。 |
| **技术特征V**：其中，所述第一电极包括透明电极<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中的第一电极（p型金属电极）为金属，不透明。 | 目标专利的第一电极可为透明电极（如TCO），对比文件中的p电极是金属，非透明，且未公开透明电极方案。 |
| **技术特征W**：其中，所述支撑层包括金属<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无支撑层，故无金属支撑层。 | 特征W基于特征A，对比文件未公开支撑层，故无法公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件无支撑层，故无支撑层在第一电极上的布置。 | 特征X基于特征B，对比文件未公开支撑层及相应布置。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开半导体结构具有倾斜侧表面，也未描述第一表面和第二表面的面积关系。 | 目标专利中半导体结构侧表面倾斜导致上表面（第二表面）面积大于下表面（第一表面），对比文件无此特征，无法公开。 |
| **技术特征Z**：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开半导体结构的第一电极表面面积与第二电极表面面积的关系。 | 特征Z与特征Y关联，对比文件无倾斜侧表面，故无法公开该面积关系。 |
## 公开性代码输出
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征F、G、H、J、L，未直接公开或隐含公开其他技术特征。因此，在回答结尾插入对应大写英文代码。
<<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<J>>><<<L>>>