对比文件名称：2005-08-25_JP2005229079A_发明专利_JP2005229079A Light emitting device
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：资深专利代理师AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层<br>**未公开** | 对比文件未记载由金属或含Si的半导体层制成的支撑层。文件采用导电透光性基板（如金刚石）作为衬底，但该基板并非用于支撑的独立层，且其材料为金刚石，非金属或Si。 | 对比文件中的基板21是衬底，用于生长外延层，其功能与目标专利中用于支撑的金属或Si支撑层不同。目标专利的支撑层是在移除蓝宝石衬底后用于支撑半导体结构的独立层，对比文件没有公开或暗示该特征。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极<br>**未公开** | 对比文件未记载支撑层，故无第一电极在支撑层上的结构。 | 由于特征A未公开，特征B不成立。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构<br>**未公开** | 对比文件半导体结构（p型薄膜22、n型薄膜23）形成在基板21上，并非形成在第一电极上。第一电极（正电极25）位于基板背面。 | 目标专利的半导体结构位于第一电极上方，而对比文件的结构顺序相反，半导体结构位于基板上，基板与第一电极位置不同，不满足特征C。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面<br>**未公开** | 对比文件全文未提及半导体结构的侧表面倾斜。 | 对比文件附图和描述均显示矩形层状结构，无倾斜侧表面，不满足特征D。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层<br>**未公开** | 对比文件未记载任何电流扩散层。 | 目标专利的电流扩散层（如InGaN层）用于增强载流子迁移率，位于半导体结构和第一电极之间。对比文件无此层。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层<br>**未公开** | 对比文件未记载透明导电氧化物层。负电极采用金属（Ti/Au），非透明导电氧化物。 | 目标专利的TCO层（如ZnO、ITO）位于半导体结构上，用于电流扩散和光提取。对比文件无此层。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极<br>**直接公开** | “負電極２６の構成材料としては例えばチタンを密着層とした金電極を用いる。”（段落[2]图4-5描述）<br>“薄膜表面の電極は全面に形成したが、必要に応じてパターニングしてもよい。”（段落[2]电极形成部分） | 对比文件公开了负电极26形成在n型半导体薄膜23上，且可以图案化形成在部分区域，相当于第二电极设置在半导体结构的一部分上，直接公开特征G。 |
| 技术特征H：金属层<br>**直接公开** | “負電極２６の構成材料としては例えばチタンを密着層とした金電極を用いる。”（段落[2]）<br>“電極密着層であるチタンを、スパッタリング法により成膜した。”（段落[2]〈電極の成膜形成１〉） | Ti层是金属层，直接公开金属层。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间<br>**直接公开** | 同上，负电极26由Ti密着层和Au电极构成，Ti层位于n型半导体薄膜23和Au电极之间。 | Ti层作为密着层，位于半导体（n型薄膜）和第二电极（Au）之间，直接公开特征I。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触<br>**直接公开** | “金／チタン薄膜に対し、ダイヤモンドとチタンとの密着力を高め、良好なオーミック接触をとるために、窒素雰囲気中、６００℃で２時間アニール処理を行った。”（段落[2]〈電極の成膜形成２〉后） | 对比文件明确记载Ti层经过退火形成良好欧姆接触，直接公开金属层充当欧姆接触。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性<br>**未公开** | 对比文件未提及对氮的反应性。半导体材料为金刚石（碳），不含氮，且Ti层作用为密着和欧姆接触，未涉及氮反应。 | 目标专利的吸气金属层（如Ti、Zr、Cr）专门用于吸收GaN中的氮。对比文件无此公开，本领域技术人员无法从金刚石体系合理推断出对氮的反应性特征。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中<br>**直接公开** | “電極密着層であるチタンを、スパッタリング法により成膜した。”（段落[2]〈電極の成膜形成１〉） | Ti层通过溅射涂覆在半导体（n型金刚石）表面，属于涂覆在界面上，直接公开特征L。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数<br>**未公开** | 对比文件无电流扩散层和透明导电氧化物层，故无比对。 | 无任何公开或暗示，未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层<br>**未公开** | 对比文件无电流扩散层，半导体材料为金刚石，非GaN基。 | 无任何公开或暗示，未公开。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层<br>**未公开** | 对比文件p型薄膜22位于基板21上，基板不是第一电极。第一电极（正电极25）位于基板背面，p型薄膜不在第一电极上。 | 结构顺序不同，未公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层<br>**未公开** | 对比文件无明确有源层，pn结由p型和n型薄膜直接形成，且p型层不在第一电极上。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层<br>**未公开** | 同上，无有源层定义。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率<br>**未公开** | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数<br>**未公开** | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数<br>**未公开** | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极<br>**未公开** | 对比文件第一电极（正电极25）为Ti/Au金属，未明确作为反射电极，且结构不同，光从基板侧取出，背面电极不用于反射。 | 目标专利的第一电极位于半导体下方，可作反射层。对比文件无此功能公开，未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极<br>**未公开** | 对比文件第一电极（正电极25）为金属（Ti/Au），不透明。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属<br>**未公开** | 对比文件无支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上<br>**未公开** | 对比文件无支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积<br>**未公开** | 对比文件未公开倾斜侧表面，也未公开面积关系。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积<br>**未公开** | 对比文件无倾斜侧表面导致的面积关系。 | 未公开。 |
<<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<L>>>