对比文件名称：2006-08-08_KR100609968B_发明授权_KR100609968B1 정전기 보호 기능을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层<br>《直接公开》 | 段落[34]：“n형 질화물 반도체층(120)” (n型氮化物半导体层)。翻译：n型氮化物半导体层。 | 对比文件公开了发光结构包括n型氮化物半导体层，相当于第一导电半导体层，其功能是作为LED的n型层，与目标专利的第一导电半导体层作用相同。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层<br>《直接公开》 | 段落[34]：“활성층(130)” (有源层)。翻译：有源层。 | 对比文件公开了有源层形成在n型氮化物半导体层（第一导电半导体层）上，用于产生光，与目标专利的有源层作用相同。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层<br>《直接公开》 | 段落[34]：“p형 질화물 반도체층(140)” (p型氮化物半导体层)。翻译：p型氮化物半导体层。 | 对比文件公开了p型氮化物半导体层在有源层上，相当于第二导电半导体层，其功能是作为LED的p型层，与目标专利的第二导电半导体层作用相同。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域<br>《直接公开》 | 段落[18]：“p형 GaN 클래드층(14)에서 상기 n형 GaN 클래드층(12) 상부의 일부까지 메사 식각되어 있다.” 翻译：从p型GaN覆盖层到n型GaN覆盖层上部的一部分被台面蚀刻。<br>段落[34]：“상기 n형 질화물 반도체층(120)은 상부의 일부가 식각되어 노출되어 있으며” 翻译：n型氮化物半导体层上部的一部分被蚀刻暴露。 | 对比文件通过台面蚀刻工艺暴露了n型氮化物半导体层（第一导电半导体层）的顶表面的一部分，该区域用于形成n电极，与目标专利中暴露第一导电半导体层顶表面的区域作用相同。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上<br>《直接公开》 | 段落[30]：“상기 p형 질화물 반도체층 상부와 상기 p-전극 사이에 전류의 주입 면적을 증가시키기 위해 투명 전극을 더 형성하는 것이 바람직하며” 翻译：在p型氮化物半导体层上部与p电极之间，为了增加电流注入面积，优选进一步形成透明电极。<br>段落[42]：“상기 p형 질화물 반도체층(140) 상부에는 p-전극(150)을 형성하기 전에 전류 주입 면적을 증가시키면서도 오믹 컨택을 형성하여 순방향 전압(Vf)을 낮추는 역할을 하는 투명 전극(미도시)을 더 형성할 수 있다.” 翻译：在p型氮化物半导体层上部形成p电极之前，可以进一步形成透明电极（未示出），用于增加电流注入面积并形成欧姆接触以降低正向电压。 | 对比文件明确公开了在p型氮化物半导体层（第二导电半导体层）上形成透明电极（透射电极层），该透明电极用于电流扩展和欧姆接触，与目标专利中透射电极层在第二导电半导体层上的作用和位置一致。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层<br>《未公开》 | 段落[43]：“상기 p-전극(150)과 n-전극(160), 그리고 상기 도핑되지 않은 GaN층(110) 상부의 식각된 영역을 제외한 모든 부분에는 절연막(170)이 형성되는데, 상기 절연막(170)은 패시베이션(passivation)층으로서 누설 전류(leakage current)를 방지하며 전기적으로 소자를 보호하기 위한 것이다.” 翻译：在p电极和n电极以及未掺杂GaN层上部蚀刻区域以外的所有部分形成绝缘膜，绝缘膜作为钝化层，防止漏电流并电气保护器件。 | 对比文件中的绝缘膜虽然接触第一导电半导体层（n型氮化物半导体层），但其功能是钝化保护，并非用于提高电极与半导体层之间的粘附强度。目标专利的粘附层专门用于提高第一电极与第一导电半导体层的粘附强度，且与第一电极直接接触，对比文件没有公开具有该功能的层，因此特征F未公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上<br>《未公开》 | 段落[34]：“상기 식각된 n형 질화물 반도체층(120) 상부에는 n-전극(160)이 각각 형성되어 있으며” 翻译：在蚀刻的n型氮化物半导体层上部形成n电极。 | 对比文件的第一电极（n电极）直接形成在暴露的n型氮化物半导体层上，仅接触第一导电半导体层，不存在粘附层，因此第一电极不接触任何粘附层，特征G未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层<br>《直接公开》 | 段落[34]：“상기 p형 질화물 반도체층(140) 상부에는 p-전극(150)” 翻译：在p型氮化物半导体层上部有p电极。<br>段落[41]：“상기 p형 질화물 반도체층(140) 상부에는 p-전극(150)이 형성된다.” 翻译：p电极形成在p型氮化物半导体层上部。 | 对比文件公开了p电极（第二电极）直接接触p型氮化物半导体层（第二导电半导体层），与目标专利特征H一致。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分<br>《直接公开》 | 同特征E引用，段落[30]和[42]公开透明电极，结合段落[41] p电极在透明电极上，因此p电极通过透明电极接触p型层。 | 当对比文件采用透明电极时，p电极（第二电极）形成在透明电极上，透明电极形成在p型氮化物半导体层上，因此p电极的一部分（整体）通过透明电极间接接触p型层，满足特征I。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分<br>《直接公开》 | 同上，p电极接触透明电极。 | p电极直接接触透明电极，即第二部分（整体）接触透射电极层，特征J被公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围<br>《未公开》 | 段落[43]公开绝缘膜覆盖侧表面和顶表面，但绝缘膜不是粘附层。无第二电极的第一部分被透射电极层包围的内容。 | 对比文件没有粘附层，因此无法讨论其布置。绝缘膜虽覆盖类似区域，但作用不同。且第二电极的第一部分被透射电极层包围的关系在对比文件中不存在（透明电极不包围p电极），特征K未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开任何关于第一电极底面积与顶面积的比例关系，也未公开粘附层，特征L未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开粘附层，也没有公开第一电极与粘附层的重叠比例，特征M未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个<br>《未公开》 | 段落[43]公开绝缘膜由透射绝缘材料（SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2）构成，但绝缘膜不是粘附层。 | 对比文件未公开粘附层，因此无法公开其材料。绝缘膜的材料虽为透射绝缘材料，但该材料用于不同目的的层，不能认定为粘附层的材料，特征N未公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个<br>《未公开》 | 段落[43]：“상기 절연막(170)으로는 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 들 중에서 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다.” 翻译：绝缘膜可以选择使用SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2中的任一种。 | 对比文件公开了绝缘膜的部分材料，但绝缘膜不是粘附层，因此不能认为粘附层的材料被公开，特征O未公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分<br>《未公开》 | 段落[43]公开绝缘膜覆盖侧表面，但绝缘膜不是粘附层。 | 对比文件没有粘附层，因此无法公开其延伸方式，特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开任何双层结构的粘附层，特征Q未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开双层结构，特征R未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开折射率分层，特征S未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开，特征T未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开粘附层，也没有公开透射电极层与粘附层的相对位置关系，特征U未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有粘附层，且透明电极直接设置在p型层上，之间没有其他层，特征V未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有粘附层，特征W未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件中p电极暴露以便连接，没有公开第一部分被隐藏，特征X未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件没有粘附层，且第一电极直接接触半导体层，不穿过任何层，特征Y未公开。 |
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