对比文件名称：2006-09-07_JP2006237574A_发明专利_JP2006237574A GaN-BASED LIGHT EMITTING DIODE
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[002]记载：“サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮクラッド層２、発光層３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されている”。（在蓝宝石基板1上依次层叠n型GaN包层2、发光层3、p型AlGaN包层4、p型GaN接触层5）。 | 对比文件明确公开了n型GaN层（n型GaN包层2）作为第一导电半导体层，其作用与目标专利中的第一导电半导体层相同，均为发光结构的基础层，因此直接公开。 |
| **技术特征B**：在所述第一导电半导体层上的有源层 **《直接公开》** | 同上，发光层3位于n型GaN包层2之上。 | 对比文件公开了发光层3直接位于n型层上，该发光层与目标专利中的有源层结构和功能一致，均用于产生光，因此直接公开。 |
| **技术特征C**：所述有源层上的第二导电半导体层 **《直接公开》** | 同上，p型AlGaN包层4和p型GaN接触层5位于发光层3之上。 | 对比文件公开了p型层（p型AlGaN包层4、p型GaN接触层5）作为第二导电半导体层，其作用与目标专利中的第二导电半导体层相同，直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域 **《直接公开》** | 对比文件[002]记载：“エッチングにより露出させたｎ型層の表面にｎ型オーミック電極を形成する”。（通过蚀刻暴露的n型层表面形成n型欧姆电极）。 | 对比文件公开了通过蚀刻工艺使n型层顶表面暴露以形成电极的区域，该区域与目标专利中暴露第一导电半导体层的区域作用相同，直接公开。 |
| **技术特征E**：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上 **《隐含公开》** | 对比文件[002]记载：“ｐ型オーミック電極を、透明な物質で形成するか、あるいは、光が通過し得る窓部を有するパターンに形成する必要がある”。（p型欧姆电极必须由透明物质形成，或者形成具有光可以通过的窗口的图案）。 | 对比文件明确提出了使用透明物质形成p型欧姆电极的替代方案，该透明物质可起到透光及电流扩展的作用，与目标专利中的透射电极层功能相同。虽然对比文件具体实施中采用了不透明金属，但该技术启示足以使本领域技术人员合理推断出可以使用透射电极层，因此隐含公开。 |
| **技术特征F**：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开任何设置在半导体层与电极之间用于提高粘附强度的独立层，其电极直接接触半导体层，因此未公开。 |
| **技术特征G**：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上 **（未公开）** | 无。 | 对比文件既无粘附层，其n型欧姆电极也直接接触n型层，无接触粘附层的结构，因此未公开。 |
| **技术特征H**：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层 **《直接公开》** | 对比文件[002]记载：“ｐ側パッド電極Ｐ３は、ｐ型ＧａＮコンタクト層５の表面とｐ型オーミック電極Ｐ２の両方に接するように形成されている”。（p侧焊盘电极P3形成为与p型GaN接触层5的表面和p型欧姆电极P2两者接触）。 | 对比文件公开了p侧焊盘电极（第二电极）直接接触p型GaN接触层（第二导电半导体层），因此直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分 **《隐含公开》** | 对比文件[002]记载：“ｐ側パッド電極Ｐ３の外周部は、ｐ型オーミック電極Ｐ２の上に重なっている”。（p侧焊盘电极的外周部重叠在p型欧姆电极上）。结合技术特征E的隐含公开，p型欧姆电极可由透明物质形成。 | 对比文件公开了p侧焊盘电极的一部分通过p型欧姆电极间接接触p型层。若p型欧姆电极采用透明物质，则相当于透射电极层，此时该部分即通过透射电极层接触第二导电半导体层，功能相同，因此隐含公开。 |
| **技术特征J**：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分 **《隐含公开》** | 同上，p侧焊盘电极的外周部重叠在p型欧姆电极上。 | 基于技术特征E的隐含公开，p型欧姆电极可作为透射电极层，则p侧焊盘电极的第二部分直接接触该透射电极层，因此隐含公开。 |
| **技术特征K**：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开任何粘附层，也未公开粘附层覆盖侧表面和顶表面的结构，同时第二电极的第一部分没有被透射电极层包围，因此未公开。 |
| **技术特征L**：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开任何关于第一电极与第一导电半导体层接触面积的比例关系，因此未公开。 |
| **技术特征M**：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层，更未公开重叠比例，因此未公开。 |
| **技术特征N**：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层及其材料，因此未公开。 |
| **技术特征O**：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层材料，因此未公开。 |
| **技术特征P**：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层及其延伸结构，因此未公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层的多层结构，因此未公开。 |
| **技术特征R**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层的多层结构，因此未公开。 |
| **技术特征S**：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层的折射率分层结构，因此未公开。 |
| **技术特征T**：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层的折射率分层结构，因此未公开。 |
| **技术特征U**：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层，也未公开透射电极层与粘附层的相对位置关系，因此未公开。 |
| **技术特征V**：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层，因此未公开。 |
| **技术特征W**：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层，因此未公开。 |
| **技术特征X**：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部 **（未公开）** | 无。 | 对比文件中p侧焊盘电极的上表面暴露用于键合，因此未公开第二电极的第一部分被包围而不暴露的结构。 |
| **技术特征Y**：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠 **（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开粘附层，也未公开电极穿过粘附层的结构，因此未公开。 |
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