对比文件名称：2009-03-17_KR1020090027329A_发明公开_KR1020090027329A 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
模型名称：当前模型（GPT-4）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层（直接公开） | [11] “n형 반도체층”（n型半导体层） | 对比文件[11]明确公开了n型半导体层，其作为第一导电半导体层，因此直接公开该特征。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层（直接公开） | [11] “상기 n형 반도체층 상에 형성된 활성층”（在n型半导体层上形成的活性层） | 对比文件[11]公开了活性层位于n型半导体层上，相当于有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层（直接公开） | [11] “상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층”（在活性层上形成的p型半导体层） | 对比文件[11]公开了p型半导体层位于活性层上，相当于第二导电半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域（直接公开） | [69] “레이저 리프트오프 공정에 의해 단결정 성장용 기판으로 제공된 상기 사파이어 기판(50)을 제거하여, n형 반도체층(21)의 일 면을 외부로 노출시킨다”（通过激光剥离工艺移除用于单晶生长的蓝宝石衬底，暴露n型半导体层的一个表面） | 对比文件[69]公开了通过移除生长衬底使n型半导体层（第一导电半导体层）的表面暴露，即发光结构具有暴露第一导电半导体层顶表面的区域，因此直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上（未公开） | [11] 对比文件结构描述中未包含透射电极层，在p型半导体层上形成的是电流抑制层和反射金属层 | 对比文件全文未记载透射电极层，在第二导电半导体层上设置的是不透明的电流抑制层和反射金属层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层（未公开） | [11] “상기 p형 반도체층 상에 서로 소정 거리 이격 형성된 복수의 패턴들을 가지며, … 전류억제층”（在p型半导体层上形成多个图案的电流抑制层） | 对比文件的电流抑制层形成在p型半导体层（第二导电半导体层）上，不接触第一导电半导体层，且功能为抑制电流而非提高粘附，因此未公开粘附层接触第一导电半导体层。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上（未公开） | [69] “n측 전극(27)을 형성한다”（形成n侧电极） | 对比文件公开了n侧电极形成在n型半导体层上，但未公开任何粘附层，因此第一电极接触粘附层和第一导电半导体层的特征未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层（直接公开） | [11] “도전성 기판(26) … p측 전극으로서 기능 한다”（导电支撑基板… 作为p侧电极起作用） | 对比文件[11]公开了导电支撑基板（或反射金属层）作为p侧电极接触p型半导体层，相当于第二电极接触第二导电半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分（未公开） | 对比文件未记载透射电极层 | 由于对比文件不存在透射电极层，无法实现第二电极的第一部分通过透射电极层接触第二导电半导体层，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分（未公开） | 对比文件未记载透射电极层 | 同理，对比文件无透射电极层，故未公开第三电极的第二部分接触透射电极层。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围（未公开） | 对比文件未记载粘附层和透射电极层 | 对比文件没有公开粘附层，也没有透射电极层，因此该特征中的粘附层布置范围和第二电极被透射电极层包围均未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积（未公开） | 对比文件未公开面积比例 | 对比文件未提及第一电极与第一导电半导体层接触面积的比例，且无粘附层，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度（未公开） | 对比文件未公开粘附层及重叠宽度 | 对比文件无粘附层，故未公开第一电极与粘附层的垂直重叠区域宽度比例。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个（未公开） | 对比文件[37] “전류억제층은 산화물 또는 질화물, 구체적으로, SiOx 또는 SiNx 등”（电流抑制层是氧化物或氮化物，具体为SiOx或SiNx等） | 对比文件公开了电流抑制层材料（如SiOx等），但该层不是粘附层，且不接触第一导电半导体层，也未公开透射导电材料，因此未公开粘附层材料。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个（未公开） | 对比文件[37]公开了SiOx、SiNx，但未公开其他材料用于粘附层 | 对比文件仅部分公开了类似材料，但用于电流抑制层而非粘附层，且未公开全部材料，因此未公开粘附层的具体材料选择。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分（未公开） | 对比文件未公开粘附层及其延伸范围 | 对比文件无粘附层，故未公开粘附层的延伸范围。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料（未公开） | 对比文件未公开粘附层及其多层结构 | 对比文件无粘附层，故未公开粘附层的第一层。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料（未公开） | 对比文件未公开粘附层的第二层 | 对比文件无粘附层，故未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率（未公开） | 对比文件未公开粘附层及其折射率 | 对比文件无粘附层，故未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率（未公开） | 对比文件未公开粘附层的第二层折射率 | 对比文件无粘附层，故未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开（未公开） | 对比文件未公开透射电极层和粘附层 | 对比文件无透射电极层和粘附层，故未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间（未公开） | 对比文件未公开粘附层和透射电极层 | 对比文件无粘附层和透射电极层，故未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面（未公开） | 对比文件未公开粘附层和透射电极层 | 对比文件无粘附层和透射电极层，故未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部（未公开） | 对比文件未公开第二电极的第一部分 | 对比文件无透射电极层，且第二电极（导电支撑基板）完全暴露，故未公开该特征。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠（未公开） | 对比文件未公开粘附层 | 对比文件无粘附层，故未公开第一电极与粘附层的垂直重叠。 |
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