对比文件名称：2008-05-29_US2008121907A_发明申请_US20080121907A1 LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATING METHOD THEREOF
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层《直接公开》 | 对比文件[0010]：“第一类型掺杂半导体层形成在衬底上”；[0033]：“形成第一类型掺杂半导体层220”。 | 对比文件明确公开了第一类型掺杂半导体层，相当于第一导电半导体层，且位于发光结构中，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层《直接公开》 | 对比文件[0010]：“发光层”；[0033]：“形成发光层230”。 | 对比文件公开了发光层（有源层）形成在第一类型掺杂半导体层上，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层《直接公开》 | 对比文件[0010]：“第二类型掺杂半导体层”；[0033]：“形成第二类型掺杂半导体层240”。 | 对比文件公开了第二类型掺杂半导体层形成在发光层上，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域《直接公开》 | 对比文件[0035]：“使用掩模层250作为掩模，去除暴露的第二类型掺杂半导体层240和部分发光层230以暴露部分第一类型掺杂半导体层220”。 | 对比文件通过蚀刻暴露了部分第一类型掺杂半导体层的顶表面，形成区域，因此直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上《直接公开》 | 对比文件[0040]：“在形成第二电极284之前，可以在第二类型掺杂半导体层240上形成透明导电层290”；“透明导电层290的材料例如是ITO或IZO”。 | 对比文件公开了透明导电层（透射电极层）形成在第二类型掺杂半导体层上，因此直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层《直接公开》 | 对比文件[0045]：“第一介电层262形成在第一类型掺杂半导体层220的未被发光层230覆盖的部分上”；[0036]：“形成第一介电层262在部分第一类型掺杂半导体层220上”。 | 对比文件的第一介电层直接接触第一类型掺杂半导体层的顶表面，相当于粘附层接触第一导电半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上《未公开》 | 对比文件[0039]：“第一电极282形成在第一介电层262上，通过第一导电插塞264与第一类型掺杂半导体层220电连接”。 | 对比文件中第一电极仅形成在第一介电层上，通过导电插塞与第一半导体层电连接，并未直接接触第一半导体层。特征G要求第一电极直接接触粘附层和第一导电半导体层，对比文件未公开直接接触，因此未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层《直接公开》 | 对比文件[0040]：“第二电极284形成在透明导电层290上，通过透明导电层与第二类型掺杂半导体层240电连接”。 | 对比文件公开了第二电极通过透明导电层与第二半导体层电连接，实现了接触，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分《直接公开》 | 对比文件[0040]：“第二电极284通过透明导电层290与第二类型掺杂半导体层240电连接”。 | 对比文件公开了第二电极通过透明导电层（透射电极层）接触第二半导体层，相当于第二电极的第一部分通过透射电极层接触第二半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分《直接公开》 | 对比文件[0040]：“第二电极284形成在透明导电层290上”。 | 对比文件公开了第二电极形成在透明导电层上，即第二电极接触透明导电层，相当于第二部分接触透射电极层，因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围《未公开》 | 对比文件[0045]：“第一介电层262形成在第一类型掺杂半导体层220的未被发光层230覆盖的部分上”。对比文件未公开第一介电层覆盖有源层和第二半导体层的侧表面，也未公开第二电极第一部分被透射电极层包围。 | 对比文件的第一介电层仅形成在第一半导体层的暴露部分，未延伸至有源层和第二半导体层的侧表面。此外，对比文件未公开透射电极层包围第二电极第一部分的结构。因此，特征K未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积《未公开》 | 对比文件未公开第一电极直接接触第一半导体层，因此无相关比例。 | 对比文件未公开第一电极直接接触第一半导体层，也未公开任何面积比例，因此特征L未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度《未公开》 | 对比文件[0039]：“第一电极282形成在第一介电层262上”。第一电极完全重叠在第一介电层上，重叠宽度为100%，并非5%-90%。 | 对比文件中第一电极完全覆盖第一介电层，重叠宽度为100%，与特征M的5%-90%范围不匹配，且未公开具体比例，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个《直接公开》 | 对比文件[0020]：“介电材料层的材料例如是二氧化硅”；[0036]：“介电材料层260的材料例如是二氧化硅”。 | 对比文件的第一介电层为二氧化硅，属于透射绝缘材料，因此直接公开粘附层包括透射绝缘材料。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个《直接公开》 | 对比文件[0020]：“介电材料层的材料例如是二氧化硅”；二氧化硅属于SiOx。 | 对比文件公开了第一介电层为SiOx（二氧化硅），属于所述组中的材料，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分《未公开》 | 对比文件[0045]：“第一介电层262形成在第一类型掺杂半导体层220的未被发光层230覆盖的部分上”。未公开沿侧表面延伸。 | 对比文件的第一介电层仅形成在第一半导体层的顶表面，未延伸至有源层和第二半导体层的侧表面，因此特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料《未公开》 | 对比文件未公开粘附层包括多层结构，第一介电层为单层二氧化硅。 | 对比文件未公开粘附层具有包含透射绝缘材料的第一层，因此特征Q未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料《未公开》 | 对比文件未公开粘附层的第二层。 | 对比文件未公开粘附层具有包含透射导电材料的第二层，因此特征R未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率《未公开》 | 对比文件未公开粘附层的高折射率层。 | 对比文件未公开粘附层具有高折射率的第一层，因此特征S未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率《未公开》 | 对比文件未公开粘附层的低折射率层。 | 对比文件未公开粘附层具有低折射率的第二层，因此特征T未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开《未公开》 | 对比文件未公开粘附层延伸到第二导电半导体层顶表面，也未公开透射电极层与粘附层一端的位置关系。 | 对比文件未公开粘附层延伸到第二半导体层顶表面，因此特征U未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间《未公开》 | 对比文件未公开粘附层延伸到第二半导体层顶表面，也未公开这种设置。 | 对比文件未公开粘附层位于透射电极层和第二半导体层之间，因此特征V未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面《未公开》 | 对比文件未公开粘附层延伸到透射电极层顶表面。 | 对比文件未公开粘附层延伸到透射电极层顶表面，因此特征W未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部《未公开》 | 对比文件未公开第二电极第一部分是否暴露。 | 对比文件未公开第二电极第一部分被覆盖或未暴露，因此特征X未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠《未公开》 | 对比文件[0039]：“第一电极282形成在第一介电层262上，通过第一导电插塞264与第一类型掺杂半导体层220电连接”。第一电极位于第一介电层上方，未穿过粘附层。 | 对比文件的第一电极形成在粘附层上，未穿过粘附层，因此特征Y未公开。 |
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