对比文件名称：2005-10-20_JP2005288883A_发明专利_JP2005288883A Inkjet print system
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：大型语言模型（DeepSeek）
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 《直接公开》 | 对比文件[2]段：“用于本发明的喷墨记录纸的吸水性纸支持体（以下简称为纸支持体）没有特别限制，可以使用普通纸或涂布纸。” | 对比文件明确公开了纸支持体作为基板，该纸支持体在目标专利中起支撑作用，与目标专利中基板的作用相同，因此本领域技术人员可以直接确定该技术特征。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 （未公开） | 对比文件[2]段提到在纸支持体上形成墨水吸收层，但未提及任何阴极。 | 对比文件没有公开任何阴极，尤其是透明阴极。 |
| 技术特征C：阳极 （未公开） | 对比文件仅涉及喷墨记录系统，无阳极结构。 | 对比文件未公开阳极。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 （未公开） | 对比文件公开了纸支持体上的涂料层，但非有机材料层（用于OLED）。 | 对比文件未公开有机材料层，特别是没有透明阴极和阳极，因此没有设置在它们之间的层。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 （未公开） | 对比文件没有发光层或电子传输层。 | 对比文件未公开任何发光层或电子传输层。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 （未公开） | 对比文件没有电子传输材料或n型掺杂剂。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 （未公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开该设置。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ （未公开） | 对比文件无相关含量范围。 | 对比文件未公开n型掺杂剂含量。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 （未公开） | 对比文件未列出这些化合物。 | 对比文件未公开任何所列的n型掺杂剂。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 （未公开） | 对比文件未涉及电极材料或功函数。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 （未公开） | 对比文件[2]段提到“氧化锌”作为白色颜料，但未作为透明阴极材料。 | 对比文件未公开ITO、IZO或ZnO作为透明阴极。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 （未公开） | 对比文件无阳极。 | 对比文件未公开阳极。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 （未公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开透明阳极。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 （未公开） | 对比文件未公开这些官能团的化合物作为电子传输材料。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 （未公开） | 对比文件未涉及浓度梯度。 | 对比文件未公开浓度梯度。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 （未公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 （未公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 （未公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 （未公开） | 对比文件未公开空穴传输层或空穴注入层。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 （未公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开有机材料层的最上层结构。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 （未公开） | 对比文件未公开式23化合物。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征V：[式23] （未公开） | 对比文件未公开任何化学式。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 （未公开） | 对比文件未公开该定义。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 （未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
<<<A>>>