对比文件名称：2006-05-25_JP2006135146A_发明专利_JP2006135146A Display element and organic material therefor
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 | [2]：“透明な基板２”或“基板１２”。 | 对比文件直接公开了基板，例如图4中基板2，图1、2中基板12。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 | [2]：“基板２側から順に、陰極５、有機層４、陽極３を順次積層した構成”指出阴极设置在基板上，但未提及阴极透明。 | 对比文件仅公开了阴极位于基板上的倒序结构，但未明确该阴极是透明的，也未给出任何关于透明阴极的教导或暗示。因此未直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征C：阳极 | [2]：“陽極１３”或“ＩＴＯからなる陽極３”。 | 对比文件直接公开了阳极，例如图1、2中的阳极13，图4中的阳极3。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 | [2]：“有機層４”或“発光ユニット１４”。 | 对比文件直接公开了有机材料层位于阴极和阳极之间，例如图1、2中的发光单元14。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 | [2]：“発光層４ｃ”以及“バソクプロイン（ＢＣＰ）と金属セシウム（Ｃｓ）との混合層”（电子注入层）。BCP是电子传输材料，Cs是n型掺杂剂，该混合层实质上是n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件直接公开了发光层，并公开了BCP+Cs混合层作为电子注入层，该层由电子传输材料BCP和n型掺杂剂Cs组成，具有电子传输功能，因此实质公开了n型掺杂的电子传输层。有机材料层包括发光层和该层。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 | [2]：“バソクプロイン（ＢＣＰ）と金属セシウム（Ｃｓ）との混合層”。 | 对比文件直接公开了BCP（电子传输材料）和Cs（n型掺杂剂）的混合层，即n型掺杂的电子传输层包含电子传输材料和n型掺杂剂。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 | 对比文件未公开透明阴极，也未公开该层设置在透明阴极和发光层之间。 | 对比文件中的BCP+Cs层设置在电荷产生层和发光单元之间，而非透明阴极和发光层之间。未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ | 未记载。 | 对比文件未公开BCP+Cs混合层中Cs的含量比例，也未给出任何数值范围。未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 | [2]：“金属セシウム（Ｃｓ）”。 | 对比文件直接公开了Cs作为n型掺杂剂，Cs在所述列表中，因此公开了该特征。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 | [2]：“陽極としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide：透明電極）”。ITO的功函数约4.7eV，大于2.7eV。 | 对比文件直接公开了阳极由ITO形成，ITO具有高功函数，因此公开了阳极由高功函数材料形成。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 | 未记载。 | 对比文件未公开透明阴极，也未公开阴极由这些透明金属氧化物形成。未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 | [2]：“陽極としてＩＴＯ等の透明電極”。 | 对比文件直接公开了阳极可由ITO等透明电极材料形成，即阳极是透明的。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 | [2]：“陽極としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide：透明電極）”。 | 对比文件直接公开了阳极由ITO形成，ITO是透明金属氧化物，因此公开了该特征。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 | [2]：“バソクプロイン（ＢＣＰ）”。BCP是邻二氮杂菲（phenanthroline）衍生物。 | 对比文件直接公开了BCP，其含有邻二氮杂菲基团，因此公开了该特征。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 | 未记载。 | 对比文件未公开任何关于n型掺杂剂浓度梯度的内容。未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 | 未记载。 | 对比文件未公开在BCP+Cs层与发光层之间还设有单独的电子传输层。未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 | 未记载。 | 对比文件未公开上述层，更未公开材料相同。未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 | 未记载。 | 对比文件未公开透明阴极，也未公开BCP+Cs层与阴极接触。未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 | [2]：“正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ”。 | 对比文件直接公开了空穴注入层和空穴传输层，例如图1中的14a和14b。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 | [2]：“正孔注入層１４ａ”，其位于阳极13侧，是最临近阳极的层。 | 对比文件直接公开了空穴注入层位于阳极侧，即最临近阳极的最上侧。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 | 未记载。 | 对比文件未公开式23所示的化合物，其公开的是truxene衍生物，结构完全不同。未公开。 |
| 技术特征V：[式23] | 未记载。 | 对比文件未公开该化学式。未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 | 未记载。 | 对比文件未公开式23化合物，更未公开其取代基定义。未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 | 未记载。 | 对比文件未公开式23化合物，更未公开R和R’的定义。未公开。 |
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