对比文件的名称：2007-11-22_JP2007304487A_发明专利_JP2007304487A Liquid crystal display device
目标专利的名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | 对比文件段落[2]记载：“第1透明基板21上配置有由ITO等透明金属构成的多个第1透明电极24。”以及“第2透明基板22上配置有作为供给共通电位的共通电极的由ITO等透明金属构成的第2透明电极25。”明确公开了基板。 | 对比文件公开了液晶显示装置包括透明基板（第1、第2透明基板），其作用为支撑其上的电极等结构，与目标专利中基板的作用相同，均为支撑层。因此，本领域技术人员可以直接从对比文件得出技术特征A。故直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件公开了透明电极（如第1、第2透明电极），但未提及“阴极”，也未公开其作为阴极使用。 | 对比文件中的透明电极是用于液晶显示器的电极，功能是施加电场控制液晶，而非作为OLED中用于电子注入的阴极。对比文件没有阴极的概念，且本领域技术人员不能从对比文件合理推断出透明阴极。故未公开。 |
| 技术特征C：阳极（未公开） | 对比文件未提及“阳极”。 | 对比文件没有阳极的概念，其电极不用于注入空穴。故未公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（未公开） | 对比文件有液晶层，但无透明阴极和阳极，且液晶层不用于发光。 | 对比文件未公开透明阴极和阳极，也没有有机材料层设置于两者之间。故未公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（未公开） | 对比文件未涉及发光层和n型掺杂电子传输层。 | 对比文件没有发光层和电子传输层的任何教导，也没有n型掺杂。故未公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开任何电子传输层或n型掺杂剂。故未公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件没有透明阴极、发光层和n型掺杂电子传输层。故未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt%（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开n型掺杂剂的含量范围。故未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（未公开） | 对比文件未涉及这些掺杂剂。 | 对比文件未公开任何上述掺杂剂。故未公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（未公开） | 对比文件公开了透明电极由ITO等形成，但未公开功函数，也未明确电极是阴极或阳极。 | 对比文件未公开透明阴极或阳极，也未公开电极材料的功函数值。虽然ITO功函数通常大于2.7eV，但对比文件未给出该特征与电极功能的关系，本领域技术人员不能从中得出透明阴极或阳极由高功函数材料形成。故未公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（未公开） | 对比文件公开了透明电极由ITO等形成，但未明确是透明阴极。 | 对比文件公开了ITO作为透明电极材料，但未公开该电极是阴极。透明阴极的特定功能未被教导。故未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的（未公开） | 对比文件有透明电极，但未公开阳极。 | 对比文件未公开阳极，更未公开透明阳极。故未公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（未公开） | 对比文件未公开阳极。 | 对比文件未公开阳极，故未公开其材料。故未公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开电子传输材料及这些官能团。故未公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开n型掺杂剂的浓度梯度。故未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开此结构。故未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开相关结构及材料。故未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开n型掺杂电子传输层和透明阴极。故未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开空穴传输层或空穴注入层。故未公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开此结构。故未公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件未涉及式23化合物。 | 对比文件未公开式23化合物。故未公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开该结构式。故未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开这些取代基定义。故未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开） | 对比文件未涉及。 | 对比文件未公开这些基团。故未公开。 |
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