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对比文件名称：2010-07-08_JP2008034367A_发明专利_JP2008034367A Display device
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：大型语言模型（基于深度神经网络）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括基板 《直接公开》 | 引用实施方式4：“基板２０１は発光素子の支持体として用いられる。”【相当于：基板201用作发光元件的支撑体。】 | 对比文件明确公开了发光元件设置在基板上，基板是支撑体。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：设置在所述基板上的透明阴极 《直接公开》 | 引用实施方式5：“第１の電極３０２としては、実施の形態１で示した複合材料を含む層を用いることができる。” 以及说明书写到该电极是透光的且作为阴极使用（第1电极电位低于第2电极，功能为阴极）。【相当于：作为第一电极302，可以使用包含实施方式1所示的复合材料的层。】 | 对比文件实施方式5中，第一电极302设置在基板301上，由透光性复合材料形成，且作为阴极（电子注入侧）。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：阳极 《直接公开》 | 引用实施方式5：“第２の電極３０４は陽極として機能するものとして、以下説明をする。”【相当于：第二电极304作为阳极起作用。】 | 对比文件明确公开了第二电极304作为阳极。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 《直接公开》 | 引用实施方式5：“第１の電極３０２と第２の電極３０４との間に設けられたＥＬ層３０３とから構成されている。”【相当于：由设置在第一电极302和第二电极304之间的EL层303构成。】 | 对比文件公开了EL层（有机材料层）设置在第一电极（阴极）和第二电极（阳极）之间。因此，技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E**：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 《直接公开》 | 引用实施方式5：“第４の層３１４は発光性の高い物質を含む層”【相当于：第4层314是包含发光性高的物质的层】；“第１の層３１１を設けることが好ましい。電子輸送性の高い物質と電子輸送性の高い物質に対して電子供与性を示す物質とを含む第１の層”【相当于：优选设置第1层311，该层包含电子传输性高的物质和对电子传输性高的物质显示电子供体性的物质】。 | 对比文件公开了第4层314为发光层，第1层311为包含电子传输材料和电子供体（n型掺杂剂）的层，即n型掺杂的电子传输层。因此，技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F**：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 《直接公开》 | 同上，第1层311包括电子传输性高的物质和电子供体性物质。 | 直接公开。 |
| **技术特征G**：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 《直接公开》 | 实施方式5图8及说明：“第１の層３１１”直接位于阴极302上，发光层（第4层314）在更上方，两者之间还有其他层，但第1层311位于阴极和发光层之间。 | 对比文件第1层311设置在阴极（第一电极302）和发光层（第4层314）之间，满足该位置关系。因此，技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及第1层311中电子供体性物质的含量范围，更未公开1-20wt％的具体数值，本领域技术人员也无法从对比文件直接毫无疑义地确定该范围。因此，未公开。 |
| **技术特征I**：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 《直接公开》 | 实施方式5：“電子輸送性の高い物質に対して電子供与性を示す物質としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属およびそれらの酸化物や塩を用いることができる。具体的には、リチウム、セシウム、カルシウム、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物、炭酸セシウム等が挙げられる。”【相当于：作为对电子传输性高的物质显示电子供体性的物质，可以使用碱金属或碱土金属及其氧化物或盐。具体地，可列举锂、铯、钙、氧化锂、氧化钙、氧化钡、碳酸铯等。】 | 对比文件公开的电子供体性物质包括：Cs、Ca、CaO、BaO、Cs2CO3，这些均属于目标专利特征I所列的组。因此，技术特征I被直接公开（至少一种）。 |
| **技术特征J**：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 《隐含公开》 | 实施方式4：“第２の電極２０４を形成する物質としては、...酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、...酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）等様々な導電性材料を第２の電極２０４として用いることができる。”【相当于：作为形成第二电极204的物质，可以使用...ITO、IZO等各种导电性材料。】；实施方式5中透明阴极使用复合材料。 | 对比文件公开透明阴极可以由ITO、IZO形成，这些材料在本领域公知具有4.5eV以上的功函数，远高于2.7eV。本领域技术人员基于对比文件公开的电极材料，能够合理推断出透明阴极由具有2.7eV以上功函数的材料形成。因此，技术特征J被隐含公开。 |
| **技术特征K**：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 《直接公开》 | 同上，实施方式4中公开第二电极（阴极）可以使用ITO、IZO。 | 对比文件明确公开了透明阴极可由ITO、IZO形成。因此，技术特征K被直接公开（至少公开了ITO和IZO）。 |
| **技术特征L**：所述阳极是透明的 《直接公开》 | 实施方式4：“第１の電極２０２は透光性の高い複合材料を用いて形成されているため、第１の電極を通って外部に発光が取り出される構成とすることが好ましい。”【相当于：第一电极202使用透光性高的复合材料形成，因此优选采用将发光通过第一电极取出到外部的结构。】 | 对比文件公开了阳极（第一电极202）由透光性复合材料形成，是透明的。因此，技术特征L被直接公开。 |
| **技术特征M**：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 《未公开》 | 无 | 对比文件中的阳极（第一电极202或第二电极304）主要使用复合材料（空穴传输性有机化合物+金属氧化物）形成，未明确公开由ITO、IZO或ZnO形成。本领域技术人员不能从对比文件直接得出该技术方案。因此，未公开。 |
| **技术特征N**：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 《直接公开》 | 实施方式4列举电子传输材料：“トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）”；“バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）”。【相当于：Alq（含有喹啉基）、Bphen（含有邻二氮杂菲基）】；且实施方式5说明第1层311的电子传输材料可使用实施方式4的材料。 | 对比文件公开了Alq（含喹啉基）和Bphen（含邻二氮杂菲基）作为电子传输材料，这些材料可用于n型掺杂的电子传输层。因此，技术特征N被直接公开。 |
| **技术特征O**：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及任何关于掺杂剂浓度梯度的内容。因此，未公开。 |
| **技术特征P**：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 《直接公开》 | 实施方式5图8中，第3层313为电子传输层，位于第1层311（n型掺杂层）和第4层314（发光层）之间。 | 对比文件明确设置了第3层313（电子传输层）在n型掺杂层和发光层之间。因此，技术特征P被直接公开。 |
| **技术特征Q**：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 《未公开》 | 无 | 对比文件未限定第3层313与第1层311的电子传输材料必须相同，也未给出任何暗示或教导。因此，未公开。 |
| **技术特征R**：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 《直接公开》 | 实施方式5图8中，第1层311直接形成在阴极（第一电极302）上。 | 对比文件第1层311与阴极直接接触。因此，技术特征R被直接公开。 |
| **技术特征S**：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 《直接公开》 | 实施方式5：“第５の層３１５は正孔輸送性の高い物質を含む層”；“第６の層３１６は正孔注入性の高い物質を含む層”。【相当于：第5层315是包含空穴传输性高的物质的层；第6层316是包含空穴注入性高的物质的层。】 | 对比文件公开了空穴传输层（第5层315）和空穴注入层（第6层316）。因此，技术特征S被直接公开。 |
| **技术特征T**：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 《未公开》 | 无 | 对比文件最临近阳极的有机层是空穴注入层，但未公开该层含有目标专利指定的式23化合物。该特征不完整且未得到公开。因此，未公开。 |
| **技术特征U**：所述有机材料层含有下式23的化合物 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何与式23结构相似的化合物。因此，未公开。 |
| **技术特征V**：[式23] 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开该结构式。因此，未公开。 |
| **技术特征W**：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开该化学式的具体定义。因此，未公开。 |
| **技术特征X**：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开该定义。因此，未公开。 |
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