对比文件名称：2003-07-02_CN1427654A_发明公开_CN1427654A 场致发光显示器
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | 对比文件发明内容部分：“该显示器包括：透明基板、在透明基板上形成的阳极...”；背景技术：“在透明基板上涂布阳极材料”。 | 对比文件明确公开了透明基板，目标专利的基板无特别限定，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件阴极是Al，不透明，且设置在有机层上，不在基板上。 | 对比文件未公开透明阴极，也未公开阴极设置在基板上，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | 对比文件背景技术：“在透明基板上涂布阳极材料，主要是用ITO作为阳极材料”；发明内容：“在透明基板上形成的阳极”。 | 对比文件明确公开了阳极，尽管位置在基板上，但特征C不限定位置，因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（未公开） | 对比文件有机材料层设置在阳极和阴极之间，但阴极不透明。 | 对比文件没有透明阴极，因此有机材料层不是设置在透明阴极和阳极之间，未公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（未公开） | 对比文件有机层包括发光层和电子传输层，但未提及n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件没有公开n型掺杂的电子传输层，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 对比文件没有公开n型掺杂的电子传输层及其组成，未公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 对比文件没有透明阴极和n型掺杂的电子传输层，未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 对比文件没有公开n型掺杂的电子传输层，更未公开掺杂剂含量，未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（隐含公开） | 对比文件发明内容公开了碱金属或碱土金属化合物选自Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、Cs、Li2O、Cs2O、MgO、CaO、SrO、BaO等；背景技术提到LiF、Li2O作为电子注入层。 | 对比文件公开了这些材料中的多种，虽然作为缓冲层或电子注入层而非直接作为n型掺杂剂，但本领域技术人员可以合理推断这些材料可用于n型掺杂，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（直接公开） | 对比文件阳极由ITO形成，ITO功函数通常为4.7-5.0eV，高于2.7eV。 | 对比文件公开了阳极由高功函数材料ITO形成，满足2.7eV以上，因此直接公开（阳极部分）。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成（未公开） | 对比文件阴极是Al，不透明。 | 对比文件没有公开透明阴极，也未公开其材料，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的（直接公开） | 对比文件阳极是ITO，透明。 | 对比文件公开了阳极由透明材料ITO形成，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | 对比文件阳极是ITO，属于所列材料。 | 对比文件公开了阳极由ITO形成，ITO是透明金属氧化物，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（直接公开） | 对比文件第一实施方案：“以Alq3作为电子传输层”。Alq3是8-羟基喹啉铝，含有喹啉基。 | 对比文件公开了电子传输材料Alq3，其含有喹啉基，因此直接公开了电子传输材料包括含喹啉基的化合物。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件公开了缓冲层具有浓度梯度，但未涉及n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件公开的是缓冲层的浓度梯度，而非n型掺杂的电子传输层中的掺杂剂浓度梯度，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（未公开） | 对比文件有电子传输层，但位于发光层和缓冲层之间，没有n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件没有公开n型掺杂的电子传输层，因此不存在设置于其之间的电子传输层，未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 对比文件没有公开此结构，未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 对比文件无相关内容。 | 对比文件没有n型掺杂的电子传输层和透明阴极，未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | 对比文件背景技术：“在阳极材料上形成空穴注入层(HIL)...形成空穴传输层(HTL)”。 | 对比文件明确公开了空穴注入层和空穴传输层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（未公开） | 对比文件层结构顺序：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、缓冲层、阴极。最临近阳极的是空穴注入层，但位于有机层底部（最下侧），而非最上侧。 | 对比文件没有公开有机材料层最上侧临近阳极的结构，因此未公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件没有公开式23化合物。 | 对比文件未公开式23化合物，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 对比文件没有。 | 对比文件未公开，未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件没有。 | 对比文件未公开该化学式及其取代基定义，未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开） | 对比文件没有。 | 对比文件未公开，未公开。 |
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