对比文件名称：2007-03-22_US2007063641A_发明申请_US20070063641A1 OLED device having improved light output
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：未指定（基于深度学习模型生成）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 《直接公开》 | 段[0006]：“基板10”（a substrate 10），图1等。 | 对比文件明确公开了基板10，作为OLED器件的支撑结构，与目标专利中基板的作用相同。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 《直接公开》 | 段[0039]：“透明电极13和16是非金属的，可以包括金属氧化物如氧化铟锡或氧化铟锌”；段[0051]：“有机层可以颠倒，阳极和阴极的位置可以互换。这样的倒置结构包含在本发明中。” | 对比文件公开了在倒置结构中，底部电极（靠近基板）可以是阴极，且该电极是透明的非金属电极（如ITO、IZO），因此直接公开了设置在基板上的透明阴极。 |
| 技术特征C：阳极 《直接公开》 | 段[0001]：“第一和第二非金属透明电极”；段[0039]公开透明电极材料。 | 对比文件公开了第一和第二非金属透明电极，其中至少一个可作为阳极，因此直接公开了阳极。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 《直接公开》 | 段[0001]：“一个或多个有机材料层形成在第一和第二非金属透明电极之间”。 | 对比文件明确公开了有机材料层位于两个透明电极之间，与目标专利中透明阴极和阳极之间的有机材料层结构一致。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 《未公开》 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件仅提及电子传输层和发光层，但未公开电子传输层为n型掺杂，也未公开任何关于n型掺杂的技术内容。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有描述电子传输层掺杂n型掺杂剂。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层及其位置。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及n型掺杂剂含量。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未列出任何n型掺杂剂。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 《直接公开》 | 段[0039]：“透明电极可以包括金属氧化物如氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）”。 | 对比文件公开的ITO、IZO等透明导电氧化物功函数通常高于2.7eV（例如ITO功函数约4.7eV），因此直接公开了透明电极由高功函数材料形成。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 《直接公开》 | 段[0039]：“透明电极可以包括金属氧化物如氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）”。 | 对比文件公开了ITO和IZO作为透明电极材料，可用于透明阴极，满足“至少一种”的要求。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 《直接公开》 | 段[0039]：“透明电极13和16是非金属的”；段[0001]：“第一和第二非金属透明电极”。 | 对比文件公开了阳极可以是透明的非金属电极，直接公开了阳极是透明的。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 《直接公开》 | 段[0039]：“透明电极可以包括金属氧化物如氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）”。 | 对比文件公开了ITO和IZO作为透明电极材料，可用于阳极，满足“至少一种”的要求。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未限定电子传输材料的官能团，也未涉及n型掺杂。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及n型掺杂层或其浓度梯度。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开n型掺杂层，因此也未公开在其与发光层之间设置额外电子传输层。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及该特征。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开n型掺杂层与阴极接触。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 《直接公开》 | 段[0038]：“有机材料层可以包括一个或多个以下层：空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和发光层。” | 对比文件明确列举了空穴注入层和空穴传输层作为有机材料层的可选层，因此直接公开了有机材料层包括空穴传输层和/或空穴注入层。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 《隐含公开》 | 段[0038]：“有机材料层可以包括空穴注入层、空穴传输层等”；通常空穴注入层位于最靠近阳极的位置。 | 对比文件公开了有机材料层可以包括空穴注入层和空穴传输层，且本领域公知在OLED中，靠近阳极的层通常是空穴注入层或空穴传输层，因此隐含公开了有机材料层包括位于最临近阳极的最上侧层（如空穴注入层）。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未提及式23化合物。 |
| 技术特征V：[式23] 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开该结构式。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自... 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开该取代基定义。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自... 《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开该定义。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<S>>><<<t>>>