对比文件名称：2007-12-27_JP2007333291A_发明专利_JP2007333291A Solar energy using device and method of manufacturing the same
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | [2]：“首先，准备作为太阳电池光入射侧透明基材的玻璃制透明基材1。” | 对比文件明确公开了用于太阳电池的玻璃基板，该基板相当于目标专利中的基板，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《直接公开》 | [2]：“在透明基材10a的与光入射11侧相反方向的面通过溅射沉积形成成为透明电极12的ITO。” 且后续层结构为在ITO上形成n型非晶硅层。 | 对比文件公开了在基板上形成ITO透明电极，根据太阳能电池中n型非晶硅层与ITO接触（电子收集极），本领域技术人员能够毫无疑义地确定该透明电极为阴极，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | [2]：“再在其上形成兼作反射膜的铝背电极15。” | 对比文件公开了在p型非晶硅层上形成铝背电极，该电极在太阳能电池中作为阳极（空穴收集极），因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《不公开》 | [2]：“使用等离子体CVD法按已知方法依次形成n型非晶硅层13和p型非晶硅层14。” | 对比文件设置在透明阴极和阳极之间的是无机硅层，而非有机材料层，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《不公开》 | 对比文件未公开有机材料层、发光层或n型掺杂电子传输层。 | 对比文件为太阳能电池，其层结构为无机半导体层，不包含发光层和n型掺杂电子传输层，因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《不公开》 | 对比文件未公开n型掺杂电子传输层。 | 对比文件没有电子传输层，更无n型掺杂的电子传输层，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《不公开》 | 对比文件未公开n型掺杂电子传输层和发光层。 | 由于对比文件不包含n型掺杂电子传输层和发光层，因此该位置关系未被公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《不公开》 | 对比文件未公开任何n型掺杂剂及其含量。 | 对比文件没有涉及n型掺杂电子传输层，因此未公开该含量范围。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《不公开》 | 对比文件未公开所列掺杂剂。 | 对比文件不涉及任何所列的n型掺杂剂。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《隐含公开》 | [2]：“形成成为透明电极12的ITO。” | 对比文件公开了透明阴极由ITO形成，ITO是已知功函数为4.5~5.0eV的透明导电氧化物，本领域技术人员可确定其功函数大于2.7eV，因此技术特征J被隐含公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成《直接公开》 | [2]：“形成成为透明电极12的ITO。” | 对比文件明确公开了透明阴极由ITO形成，ITO属于所列材料之一，因此技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的《不公开》 | 对比文件阳极是铝背电极，不透明。 | 对比文件未公开透明阳极。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《不公开》 | 对比文件未公开透明阳极。 | 对比文件阳极由铝形成，非透明金属氧化物。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《不公开》 | 对比文件未公开电子传输材料。 | 对比文件不涉及有机电子传输材料。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《不公开》 | 对比文件未公开浓度梯度。 | 对比文件没有n型掺杂层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《不公开》 | 对比文件未公开该结构。 | 对比文件无有机材料层。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《不公开》 | 对比文件未公开相关层。 | 对比文件无相关公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《不公开》 | 对比文件未公开n型掺杂电子传输层。 | 对比文件无此接触关系。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《不公开》 | 对比文件未公开空穴传输层或空穴注入层。 | 对比文件无有机空穴传输/注入层。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《不公开》 | 对比文件未公开有机材料层。 | 对比文件没有有机材料层，因此无最上侧层。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《不公开》 | 对比文件未公开式23化合物。 | 对比文件不涉及任何式23化合物。 |
| 技术特征V：[式23]《不公开》 | 对比文件未公开该化学式。 | 对比文件无该化学式。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《不公开》 | 对比文件未公开该取代基定义。 | 对比文件无相关公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中《不公开》 | 对比文件未公开该定义。 | 对比文件无相关公开。 |
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