对比文件名称：2007-11-15_JP2007300132A_发明专利_JP2007300132A Light emitting device
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：人工智能模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“ガラス基板501上にインジウム錫酸化物（以下、「ITO」と記す）をスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極502とする。” 及其他多处提及基板。 | 对比文件明确公开了有机发光二极管包括基板（如玻璃基板），因此本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定该技术特征。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《隐含公开》 | 对比文件[2]段中记载：“陰極の方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。” 以及“有機発光素子は、発光を取り出すために少なくとも陽極または陰極の一方が透明であればよい”。 | 对比文件虽然主要采用正序结构（阳极在基板上），但明确公开了可以采取反转结构，即阴极在基板上。同时，对比文件指出发光取出需要至少一个电极透明，因此在反转结构中，若要从基板侧出光，阴极需为透明。虽然对比文件未具体给出透明阴极的材料和制备，但本领域技术人员基于此教导，有可能推断出透明阴极的设置，因此该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“陽極として代表的には、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物（ITOなど）を用いればよい。” 以及各实施例中阳极的记载。 | 对比文件明确公开了阳极的存在，且通常由ITO等透明导电材料形成，因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子”。 | 对比文件明确公开了有机化合物层位于阳极和阴极之间，在反转结构中，该有机层位于阴极和阳极之间，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“発光層”以及“電子輸送性混合層は、電子注入材料および電子輸送材料の両方が混合されて形成されている”。该电子输送性混合层实质上相当于n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件公开了有机材料层包括发光层，以及由电子注入材料（相当于n型掺杂剂）和电子输送材料混合形成的电子输送性混合层，该混合层具有电子注入和传输功能，与目标专利的n型掺杂的电子传输层作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“電子輸送性混合層は、電子注入材料および電子輸送材料の両方が混合されて形成されている”。 | 对比文件电子输送性混合层包括电子输送材料（相当于电子传输材料）和电子注入材料（相当于n型掺杂剂），因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“図６では、陽極602を有する基板601上に、正孔輸送層603、発光層604、電子輸送性混合層605、陰極606を積層した構造を示した。” 即电子输送性混合层位于发光层和阴极之间。 | 对比文件图6所示的正序结构中，电子输送性混合层位于发光层和阴极之间；在反转结构中，该位置关系同样成立，即电子输送性混合层位于阴极（透明阴极）和发光层之间，因此直接公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《未公开》 | 无明确记载。 | 对比文件未涉及n型掺杂剂的具体含量范围，仅提及浓度梯度概念，但未给出1-20wt%的数值限定，因此本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“電子注入材料としては、...フッ化リチウムなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、酸化リチウムなどのアルカリ金属酸化物”。 | 对比文件明确公开了LiF和Li2O作为电子注入材料，两者均属于目标专利所列的n型掺杂剂，因此直接公开该特征（至少部分）。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“陽極として代表的には、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物（ITOなど）を用いればよい。” 以及本领域公知ITO功函数约4.7eV。 | 对比文件公开的阳极材料ITO具有高功函数（>2.7eV），因此满足该特征对阳极的要求；虽未明确透明阴极，但阳极部分已满足“或”条件，因此直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成《未公开》 | 无明确记载。 | 对比文件未公开透明阴极，更未公开其由ITO、IZO或ZnO形成，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“基板上に透明な陽極を形成し”。 | 对比文件明确公开了阳极是透明的，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“陽極として代表的には、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物（ITOなど）を用いればよい。” | 对比文件公开了透明阳极可由ITO等形成，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、先に述べたAlq3の他、...キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、...フェナントロリン誘導体”。 | 对比文件公开的电子输送材料如Alq3含有喹啉基，BPhen含有邻二氮杂菲基，因此直接公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“電子輸送性混合層に、濃度勾配を形成することが好ましい。すなわち、図３に示すように、陰極に近い側は電子注入材料の割合が多く、陰極から離れるにしたがって電子輸送材料の割合が多くなっていくものである。” | 对比文件明确公开了电子输送性混合层（即n型掺杂的电子传输层）中电子注入材料（n型掺杂剂）的浓度梯度，因此直接公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《未公开》 | 无明确记载。 | 对比文件未公开在n型掺杂的电子传输层和发光层之间还设置另一电子传输层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《未公开》 | 无明确记载。 | 对比文件未公开上述结构，因此未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《直接公开》 | 对比文件[2]段中图6及相关描述显示电子输送性混合层与阴极直接接触。 | 对比文件图6中电子输送性混合层直接与阴极接触，在反转结构中同样与阴极接触，因此直接公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“正孔輸送層”、“正孔注入層”，实施例中多次使用。 | 对比文件明确公开了空穴传输层和空穴注入层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | 对比文件[2]段中记载：“陽極上に正孔注入材料であるCuPcを20nm蒸着する”等，表明最临近阳极的层为空穴注入层或空穴传输层。 | 对比文件公开了有机材料层中紧邻阳极的层（如空穴注入层），因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开式23所示的化合物，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23] (结构式)《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开该化学结构式，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自...（具体取代基定义）《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开该定义，因此未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自...《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开该定义，因此未公开。 |
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