**对比文件名称：** 2000-12-08_JP2000340364A_发明专利_JP2000340364A Organic el element
**目标专利名称：** 1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
**本次调用的模型名称：** DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 《直接公开》 | [0014] “基板１上にホール注入電極２を形成し”（中文：在基板1上形成空穴注入电极2） | 对比文件明确记载了基板，用于支撑电极和有机层，与目标专利中基板的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极。其阴极（电子注入电极9）由金属（如Al）形成，不透明，且位于有机层上方。 | 对比文件没有在基板上设置透明阴极的教导，相反其阴极位于顶部且不透明，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极 《直接公开》 | [0014] 记载了“ホール注入電極２”（空穴注入电极），即阳极。 | 对比文件中的空穴注入电极即为阳极，与目标专利的阳极功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极，其有机材料层设置在空穴注入电极（阳极）和电子注入电极（阴极）之间，但阴极非透明。 | 由于对比文件缺乏透明阴极，该特征的整体结构未被公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 《未公开》 | [0014] 记载了发光层5和电子传输层6、7，但电子传输层7为Alq3与CuPc的混合层，CuPc并非n型掺杂剂。 | 对比文件未公开任何n型掺杂的电子传输层，其电子传输层为混合层而非掺杂层，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 《未公开》 | 对比文件未公开n型掺杂剂。 | 对比文件没有提及n型掺杂的概念，也未公开任何n型掺杂剂，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极和n型掺杂层。 | 缺乏透明阴极和n型掺杂层，该特征未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ 《未公开》 | 对比文件未公开n型掺杂剂及其含量。 | 对比文件未涉及n型掺杂，因此未公开含量范围。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 《未公开》 | 对比文件未公开任何n型掺杂剂。 | 对比文件未公开所列物质，也未公开n型掺杂剂，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 《直接公开》 | [0079] “ホール注入電極材料は…仕事関数４．５eV〜５．５eVの物質が好ましい。具体的には、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）…を主組成としたものが好ましい。”（中文：空穴注入电极材料优选功函数4.5eV~5.5eV的物质，具体有ITO、IZO等） | 对比文件公开的阳极（空穴注入电极）材料功函数≥2.7eV，且电极材料具体为ITO等，因此直接公开了阳极满足该条件（特征中“透明阴极或阳极”至少包括阳极）。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成 《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极。 | 对比文件未在基板上设置透明阴极，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 《直接公开》 | [0081] “光を取り出す側の電極は…光透過率が５０％以上、さらには８０％以上、特に９０％以上であることが好ましい。”（中文：光取出侧电极的光透过率优选50%以上，更优选80%以上，特别优选90%以上） | 对比文件要求光取出侧电极（阳极）透明，且通常使用ITO等透明材料，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 《直接公开》 | [0079] 列出ITO、IZO、ZnO等作为空穴注入电极材料。 | 对比文件明确公开阳极由ITO、IZO、ZnO等透明金属氧化物形成，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 《隐含公开》 | [0020] “有機電子注入輸送性化合物としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）等の８−キノリノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体”（中文：电子注入传输性化合物有Alq3等喹啉衍生物） | 对比文件公开了电子传输材料Alq3，属于具有喹啉基的化合物，与目标专利中电子传输材料含喹啉基对应。虽然对比文件未公开n型掺杂层，但该材料本身是相同的，本领域技术人员可将其用于n型掺杂层，因此部分公开，隐含公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 《未公开》 | [0028] “また層中において、これらの化合物は均一に混合していてもよく、膜厚方向に濃度勾配をもった傾斜膜であってもよい。”（中文：这些化合物可以均匀混合，也可以是膜厚方向具有浓度梯度的倾斜膜） | 对比文件提及的浓度梯度针对的是电子传输材料与金属酞菁的混合层，而非n型掺杂剂，因此未公开n型掺杂剂的浓度梯度。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 《隐含公开》 | [0014] 记载了在发光层5和金属酞菁化合物含有有机电子传输层7之间设有有机电子传输层6（Alq3）。 | 对比文件在发光层和靠近阴极的混合层（类似n型掺杂层的位置）之间设置了另一电子传输层，与目标专利结构相似。虽然混合层不是n型掺杂层，但该层结构部分公开，隐含公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 《隐含公开》 | [0111] 记载第一电子传输层由Alq3形成；[0112] 记载第二电子传输层（混合层）由Alq3和CuPc形成。 | 对比文件中第一电子传输层和第二电子传输层均含有Alq3作为电子传输材料，因此电子传输材料相同。部分公开，隐含公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极，且其混合层7与无机电子注入层8接触，而非透明阴极。 | 缺乏透明阴极，且混合层与无机层接触，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 《直接公开》 | [0014] 记载了有机空穴注入层3和有机空穴传输层4。 | 对比文件明确公开了空穴注入层和空穴传输层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 《直接公开》 | [0014] 有机材料层中空穴注入层3最靠近阳极2。 | 对比文件有机层的空穴注入层直接与阳极接触，位于最临近阳极的位置，因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 《未公开》 | 对比文件未公开式23化合物。 | 对比文件没有记载目标专利式23的化合物，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23] 《未公开》 | 对比文件未公开式23结构。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自… 《未公开》 | 对比文件未公开相关定义。 | 对比文件未公开式23化合物的取代基定义，因此未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自… 《未公开》 | 对比文件未公开相关定义。 | 对比文件未公开R、R’的定义，因此未公开。 |
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