对比文件名称：2007-02-15_JP2007039405A_发明专利_JP2007039405A Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent element using the same
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，注明段落） | 公开性论述 |
| A：其包括基板《直接公开》 | [2]段“透光性基板”部分记载：“本发明的有机EL元件制作在透光性基板上。这里所说的透光性基板是支持有机EL元件的基板，优选可见光区域（400-700nm）的光透过率为50%以上且平滑的基板。具体可举出玻璃板、聚合物板等。” | 对比文件明确公开了有机EL元件包括基板（透光性基板），因此技术特征A被直接公开。 |
| B：设置在所述基板上的透明阴极《未公开》 | [2]段“(7)阴极”部分记载的阴极材料为金属（钠、钾、镁、铝等）或合金，不具有透明性。无透明阴极的记载。 | 对比文件未公开透明阴极，也没有教导或暗示阴极可以是透明氧化物。因此技术特征B未被公开。 |
| C：阳极《直接公开》 | [2]段“(3)阳极”部分记载：“阳极具有向空穴传输层或发光层注入空穴的功能，具有4.5eV以上的功函数是有效的。作为阳极材料的具体例，可举出氧化铟锡合金（ITO）、氧化锡（NESA）、铟锌氧化物（IZO）、金、银、铂、铜等。” | 对比文件明确公开了有机EL元件包括阳极，因此技术特征C被直接公开。 |
| D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《未公开》 | 对比文件公开了有机材料层设置在阳极和阴极之间（正序结构），但未公开透明阴极，因此未公开有机材料层设置在透明阴极和阳极之间。 | 对比文件没有公开透明阴极，因此不能公开有机材料层设置在透明阴极和阳极之间。虽然对比文件提到可以倒序制作，但未提及透明阴极。因此技术特征D未被公开。 |
| E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《直接公开》 | [2]段“(1)有机EL元件的构成”记载了“阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极”等结构；[2]段“(6)电子注入·传输层”记载：“本发明的有机EL元件的优选形态中，有在电子传输区域或阴极与有机层的界面区域含有还原性掺杂剂的元件。”即电子注入层或电子传输层可以含有还原性掺杂剂（n型掺杂剂）。 | 对比文件公开了有机材料层包括发光层，并且电子注入层/电子传输层可以含有还原性掺杂剂，即n型掺杂的电子传输层。因此技术特征E被直接公开。 |
| F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《直接公开》 | [2]段“(6)电子注入·传输层”记载：“本发明的有机EL元件的优选形态中，有在电子传输区域或阴极与有机层的界面区域含有还原性掺杂剂的元件。本发明中，优选在本发明化合物中含有还原性掺杂剂的有机EL元件。”同时，[2]段“(4)发光层”等记载了多种电子传输材料，包括本发明的含氮杂环衍生物。 | 对比文件明确公开了电子传输层可以由电子传输材料（含氮杂环衍生物）和还原性掺杂剂（n型掺杂剂）构成，因此技术特征F被直接公开。 |
| G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极，因此不能公开该位置关系。在对比文件的正序结构中，电子传输层设置在阴极（不透明）和发光层之间。 | 由于对比文件没有公开透明阴极，因此无法公开n型掺杂的电子传输层设置于透明阴极和发光层之间。技术特征G未被公开。 |
| H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt%《未公开》 | 对比文件未记载还原性掺杂剂的含量范围。仅在[2]段“(4)发光层”中记载了磷光掺杂剂的含量为0.1-70质量%，但未涉及电子传输层中的还原性掺杂剂含量。 | 对比文件没有公开或暗示n型掺杂剂的含量为1-20wt%，因此技术特征H未被公开。 |
| I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《直接公开》 | [2]段“(6)电子注入·传输层”记载了还原性掺杂剂的具体例：“作为碱金属的卤化物，可举出LiF、NaF、KF等；作为碱土金属的卤化物，可举出CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等；作为碱金属的氧化物，可举出Li2O、K2O、Na2O、Cs2O等；作为碱土金属的氧化物，可举出CaO、BaO、SrO、BeO等；作为碱金属，可举出Na、K、Rb、Cs等；作为碱土金属，可举出Ca、Sr、Ba等。”[2]段“(8)绝缘层”中记载了“氟化铯（CsF）”。此外，还记载了Cs2CO3。因此，上述列表中的大部分物质被公开。 | 对比文件明确公开了作为还原性掺杂剂（n型掺杂剂）可以使用多种碱金属、碱土金属、它们的氧化物、卤化物等，具体包括了列表中的NaF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF、KF等，且CsF在绝缘层部分公开，本领域技术人员会将其视为可用的n型掺杂剂。因此技术特征I被直接公开。 |
| J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《直接公开》 | [2]段“(3)阳极”部分记载：“阳极具有向空穴传输层或发光层注入空穴的功能，具有4.5eV以上的功函数是有效的。” | 对比文件公开了阳极的功函数为4.5eV以上，大于2.7eV，因此技术特征J中关于阳极的部分被直接公开。由于特征J为“透明阴极或阳极”，只要其中之一被公开即可认定为公开，因此技术特征J被直接公开。 |
| K：所述透明阴极由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极。[2]段“(3)阳极”部分公开了阳极材料包括ITO、IZO等，但阴极材料没有使用这些透明氧化物。 | 对比文件没有公开透明阴极，也没有公开阴极由透明金属氧化物形成。因此技术特征K未被公开。 |
| L：所述阳极是透明的《直接公开》 | [2]段“(3)阳极”部分记载：“从发光层发出的光从阳极取出时，阳极对光的透过率优选大于10%。并且，阳极的薄层电阻优选数百Ω/□以下。”阳极材料为ITO、IZO等透明导电氧化物。 | 对比文件公开了阳极是透明的（使用ITO、IZO等透明材料，且透过率大于10%），因此技术特征L被直接公开。 |
| M：所述阳极为由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《直接公开》 | [2]段“(3)阳极”部分记载：“本发明的阳极材料的具体例可举出氧化铟锡合金（ITO）、氧化锡（NESA）、铟锌氧化物（IZO）、金、银、铂、铜等。”其中ITO、IZO是透明金属氧化物。 | 对比文件公开了阳极可以由ITO、IZO等透明金属氧化物形成，因此技术特征M被直接公开。 |
| N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《直接公开》 | [2]段记载了本发明的含氮杂环衍生物由式(1)表示，其中R1-R10可以是喹啉基、邻二氮杂菲基等；并且式(1)包含苯并咪唑环（咪唑基）。在[2]段中列举的具体杂环基包括“2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基”、“2-噻吩基”、“喹啉基”、“1,10-菲咯啉基”等。 | 对比文件公开了电子传输材料（其含氮杂环衍生物）含有咪唑基（苯并咪唑）、噁唑基、噻唑基、喹啉基、邻二氮杂菲基等官能团，因此技术特征N被直接公开。 |
| O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《未公开》 | 对比文件未记载任何关于掺杂剂浓度梯度的内容。 | 对比文件没有公开或暗示n型掺杂剂具有浓度梯度，因此技术特征O未被公开。 |
| P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《未公开》 | 对比文件[2]段“(6)电子注入·传输层”记载了电子注入层/电子传输层可以有多层，但未具体描述在n型掺杂的电子传输层和发光层之间设置另一电子传输层。在实施例中，电子传输层直接接触发光层，没有中间层。 | 对比文件没有公开在n型掺杂的电子传输层和发光层之间还存在另一电子传输层，因此技术特征P未被公开。 |
| Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《未公开》 | 对比文件未公开此特征，理由同P。 | 对比文件没有公开该特征，因此技术特征Q未被公开。 |
| R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极。在对比文件正序结构中，电子注入层与阴极（不透明）接触。 | 由于对比文件没有公开透明阴极，因此不能公开n型掺杂的电子传输层与透明阴极接触。技术特征R未被公开。 |
| S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》 | [2]段“(5)空穴注入·传输层”部分公开了空穴注入层和空穴传输层，并且实施例中设置了TPD232（空穴注入层）和NPD（空穴传输层）。 | 对比文件明确公开了有机材料层可以包括空穴传输层和空穴注入层，因此技术特征S被直接公开。 |
| T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | 对比文件实施例1记载了在ITO阳极上形成TPD232膜（空穴注入层），该层是最临近阳极的有机材料层。 | 对比文件公开了有机材料层包括最临近阳极的层（空穴注入层），因此技术特征T被直接公开。 |
| U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》 | 对比文件未记载式23的化合物，其全部化合物为式(1)及其实施例。 | 对比文件没有公开式23的化合物，因此技术特征U未被公开。 |
| V：[式23]《未公开》 | 对比文件未记载该结构式。 | 对比文件没有公开式23的结构，因此技术特征V未被公开。 |
| W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《未公开》 | 对比文件未记载该定义。 | 对比文件未涉及该技术特征，因此未公开。 |
| X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中《未公开》 | 对比文件未记载该定义。 | 对比文件未涉及该技术特征，因此未公开。 |
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