对比文件名称：2006-07-27_JP2006193543A_发明专利_JP2006193543A Electroconductive polymer, electroconductive layer, electronic device and electronic equipment
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：其包括基板 [直接公开]** | 实施例1：“首先，在平均厚度0.5mm的透明玻璃基板上”（原文：まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に）。 | 对比文件明确公开了基板为透明玻璃基板，用于支撑各层，与目标专利中基板的作用相同，因此直接公开。 |
| **技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 [未公开]** | 对比文件中阴极由AlLi形成，不透明，且位于有机层之上（实施例：真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した）。 | 对比文件未公开透明阴极，其阴极是不透明金属，且设置于有机层上方，并非直接位于基板上。目标专利的透明阴极作为下部电极，对比文件无任何启示，因此未公开。 |
| **技术特征C：阳极 [直接公开]** | 实施例1：“通过真空蒸镀法形成平均厚度100nm的ITO电极（阳极）”（原文：真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した）。说明书部分也明确阳极由ITO形成。 | 对比文件明确公开了阳极（ITO电极）位于基板上，起到注入空穴的作用，与目标专利的阳极功能相同，因此直接公开。 |
| **技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 [未公开]** | 对比文件公开了有机材料层（正孔輸送層、発光層、電子輸送層）位于阳极和不透明阴极之间（陽極３/正孔輸送層４１/発光層４２/電子輸送層４３/陰極５）。 | 对比文件中的有机材料层位于阳极和不透明阴极之间，而非透明阴极和阳极之间。由于透明阴极未被公开，该特征整体未公开。 |
| **技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 [未公开]** | 对比文件公开了发光层和电子传输层，但电子传输层未掺杂，材料为3,4,5-三苯基-1,2,4-三唑（電子輸送層：3,4,5-トリフェニル-1,2,4-トリアゾール）。 | 对比文件的电子传输层由纯材料形成，未涉及任何n型掺杂剂，因此未公开n型掺杂的电子传输层。目标专利中n型掺杂是解决高功函数阴极注入问题的关键，对比文件未公开。 |
| **技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 [未公开]** | 对比文件未公开任何n型掺杂剂。 | 对比文件仅公开了电子传输材料，未提及掺杂剂，因此未公开。 |
| **技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 [未公开]** | 对比文件未公开透明阴极，电子传输层位于发光层和阴极之间。 | 由于透明阴极和n型掺杂层均未公开，该特征未公开。 |
| **技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ [未公开]** | 对比文件未涉及任何掺杂剂含量。 | 对比文件未公开任何掺杂剂含量，因此未公开。 |
| **技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 [未公开]** | 对比文件未公开这些掺杂剂。 | 对比文件未公开所列任何掺杂剂，未公开。 |
| **技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 [直接公开]** | 说明书：“作为阳极材料，优选使用功函数大、导电性优异且具有透光性的材料，例如ITO（Indium Tin Oxide）”（原文：陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ））。 | 对比文件明确公开阳极由高功函数材料（如ITO）形成，通常功函数大于4.5eV，满足2.7eV以上，且阳极透明，因此直接公开该特征（针对阳极部分）。 |
| **技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 [未公开]** | 对比文件未公开透明阴极，阴极材料为AlLi。 | 对比文件没有透明阴极，因此未公开。 |
| **技术特征L：所述阳极是透明的 [直接公开]** | 说明书：“阳极3实质上是透明的（无色透明、有色透明、半透明）”（原文：この陽極３は、…実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている）。 | 对比文件明确阳极是透明的，因此直接公开。 |
| **技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 [直接公开]** | 实施例中阳极由ITO形成，说明书列举ITO、SnO2等。 | 对比文件公开了由ITO形成的透明阳极，因此直接公开。 |
| **技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 [未公开]** | 对比文件电子传输层材料为3,4,5-三苯基-1,2,4-三唑，不属于所列官能团。 | 对比文件未公开含有这些官能团的电子传输材料，且电子传输层未掺杂，因此未公开。 |
| **技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 [未公开]** | 对比文件未涉及任何浓度梯度。 | 对比文件未公开浓度梯度，未公开。 |
| **技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 [未公开]** | 对比文件只有一层电子传输层位于发光层和阴极之间，且无n型掺杂层。 | 对比文件没有n型掺杂层，也没有在n型掺杂层和发光层之间设置另一电子传输层，因此未公开。 |
| **技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 [未公开]** | 对比文件未公开该设置。 | 基于特征P未公开，此特征也未公开。 |
| **技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 [未公开]** | 对比文件电子传输层与不透明阴极接触，且无n型掺杂层和透明阴极。 | 未公开。 |
| **技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 [直接公开]** | 说明书：“空穴传输层41具有将从阳极3注入的空穴传输至发光层42的功能。”实施例中形成了空穴传输层（由化合物(A)形成）。还提及可设置空穴注入层。 | 对比文件明确公开了空穴传输层，因此有机材料层包括空穴传输层，满足该特征，直接公开。 |
| **技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 [未公开]** | 对比文件最临近阳极的层是空穴传输层，材料为导电性聚合物（如化合物A），非目标专利的式23化合物。 | 对比文件未公开在最临近阳极的层中使用式23化合物，也未公开该层具体组成，因此未公开。 |
| **技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 [未公开]** | 对比文件未公开式23化合物。 | 对比文件未公开任何式23化合物，未公开。 |
| **技术特征V：[式23] [未公开]** | 对比文件未公开该结构式。 | 对比文件未公开该结构式，未公开。 |
| **技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 [未公开]** | 对比文件未公开该化合物及取代基定义。 | 对比文件未公开，未公开。 |
| **技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 [未公开]** | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开，未公开。 |
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