好的，我将以一名资深专利代理师的身份，根据您提供的严谨评估标准，并紧密结合目标专利说明书和对比文件原文，对本案进行创造性评估中的特征比对分析。
**对比文件名称：** 2008-04-03_JP2008510312A_发明专利_JP2008510312A The organic light emitting device and manufacturing method thereof comprising a buffer layer
**目标专利名称：** 1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
**本次调用的模型名称：** Claude
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其包括基板<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“基板、第１電極、２層以上からなる有機物層および第２電極を順次積層した形態で含む有機発光素子”。<br>（翻译：以基板、第一电极、两层以上的有机材料层和第二电极依次层叠的形态包含的有机发光元件。） | 对比文件明确记载了其有机发光元件包括基板，并且该基板是作为整个元件的支撑基础。这与目标专利中“基板”这一技术特征在作用上完全相同，均用于承载后续各层。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：** 设置在所述基板上的透明阴极<br><br>《隐含公开》 | 对比文件段落[2]原文：“基板、陰極、有機物層および陽極が順次積層された逆構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の前面発光または両面発光の有機発光素子を製造することができる”。<br>（翻译：可以制造基板、阴极、有机材料层和阳极依次层叠的逆结构的前面发光或两面发光的有机发光元件。）<br>对比文件段落[2]原文：“第１電極は陰極で、第２電極は陽極であることを特徴とする有機発光素子を提供する。”<br>（翻译：提供一种有机发光元件，其特征在于第一电极是阴极，第二电极是阳极。）<br>对比文件段落[2]原文：“前記第２電極は、ＩＺＯまたはＩＴＯなどのように可視光線領域で透明な伝導性酸化物質で形成することができる。”<br>（翻译：所述第二电极可以用IZO或ITO等在可见光区域透明的导电氧化物形成。） | 对比文件明确公开了逆结构（基板/阴极/有机层/阳极），并指出此结构用于前面发光或两面发光，因此阴极需要是透明的。虽然对比文件的实施例中第一电极（阴极）使用的是不透明的Al，但其公开了阴极设置在基板上，且为了实现两面发光，阴极必须是透明的。本领域技术人员从对比文件教导的“逆结构”和“两面发光”的目的出发，能够合理推断出设置在基板上的阴极（第一电极）可以是透明的，以构成两面发光的器件。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C：** 阳极<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“基板、第１電極、２層以上からなる有機物層および第２電極を順次積層した形態で含む有機発光素子”。<br>（翻译：以基板、第一电极、两层以上的有机材料层和第二电极依次层叠的形态包含的有机发光元件。）<br>对比文件段落[2]原文：“第１電極は陰極で、第２電極は陽極であることを特徴とする有機発光素子を提供する。”<br>（翻译：提供一种有机发光元件，其特征在于第一电极是阴极，第二电极是阳极。） | 对比文件明确公开了其有机发光二极管包括阳极，并且该阳极是作为第二电极形成在有机材料层上的。这与目标专利中的“阳极”在结构和作用上完全相同。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：** 设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“基板、第１電極、２層以上からなる有機物層および第２電極を順次積層した形態で含む有機発光素子”。<br>（翻译：以基板、第一电极、两层以上的有机材料层和第二电极依次层叠的形态包含的有机发光元件。）<br>对比文件段落[2]原文：“第１電極は陰極で、第２電極は陽極である”。<br>（翻译：第一电极是阴极，第二电极是阳极。） | 对比文件明确公开了其有机发光二极管的结构为基板、阴极（第一电极）、有机材料层、阳极（第二电极）依次层叠。这明确限定了有机材料层位于阴极和阳极之间。当结合技术特征B（透明阴极）的隐含公开时，该层结构即为设置在透明阴极和阳极之间的有机材料层。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E：** 所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层<br><br>《隐含公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記有機物層は発光層を含み”。<br>（翻译：所述有机材料层包含发光层。）<br>对比文件段落[2]原文：“前記電子輸送層はＬｉ、Ｃｓ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｃａ、Ｋ、Ｃｅ、Ｅｕなどのように仕事関数が小さい金属またはこれら金属のうち１種以上の金属薄膜と有機物質を同時蒸着（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）する方法で形成することができる。”<br>（翻译：所述电子传输层可以通过将Li、Cs、Na、Mg、Sc、Ca、K、Ce、Eu等具有低功函数的金属或这些金属中的一种以上的金属薄膜与有机物质同时蒸镀的方法形成。） | 对比文件明确公开了有机材料层包括发光层。同时，对比文件公开了电子传输层可以包含低功函数金属（如Li、Cs等）与有机物质共蒸镀形成。虽然对比文件未使用“n型掺杂”这一术语，但在发光二极管领域，向电子传输材料中掺入低功函数金属（如Li、Cs）是形成n型掺杂电子传输层的公知技术，其作用在于降低电子注入势垒，提高电子浓度和迁移率。目标专利中n型掺杂层的作用也是降低透明阴极与有机层之间的功函数差，改善电子注入。因此，本领域技术人员可以合理推断出，对比文件所述的这种共蒸镀层实质上就是n型掺杂的电子传输层。因此，技术特征E被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F：** 所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂<br><br>《隐含公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記電子輸送層はＬｉ、Ｃｓ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｃａ、Ｋ、Ｃｅ、Ｅｕなどのように仕事関数が小さい金属またはこれら金属のうち１種以上の金属薄膜と有機物質を同時蒸着（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）する方法で形成することができる。”<br>（翻译：所述电子传输层可以通过将Li、Cs、Na、Mg、Sc、Ca、K、Ce、Eu等具有低功函数的金属或这些金属中的一种以上的金属薄膜与有机物质同时蒸镀的方法形成。） | 对比文件明确公开了电子传输层由有机物质（电子传输材料）和低功函数金属（如Li、Cs）通过共蒸镀形成。在OLED技术中，向电子传输材料中掺杂低功函数金属或金属化合物（如Li、Cs）是形成n型掺杂的常规手段，这些掺杂物质即作为n型掺杂剂。因此，对比文件公开的内容实质上就是“电子传输材料”和“n型掺杂剂”的组合，形成了n型掺杂的电子传输层。因此，技术特征F被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G：** 所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间<br><br>《隐含公开》 | 对比文件段落[2]原文：“基板、陰極、有機物層および陽極が順次積層された逆構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）”。<br>（翻译：基板、阴极、有机材料层和阳极依次层叠的逆结构。）<br>对比文件段落[2]原文：“前記有機物層は発光層を含み”。<br>（翻译：所述有机材料层包含发光层。）<br>对比文件段落[2]原文：“前記有機物層が電子輸送層を含み”。<br>（翻译：所述有机材料层包含电子传输层。） | 对比文件公开了逆结构，其层序为基板/阴极/有机材料层/阳极。有机材料层包含发光层和电子传输层。在逆结构中，电子传输层必然位于阴极和发光层之间，以将从阴极注入的电子传输到发光层。这是OLED器件的基本工作原理所决定的。因此，当阴极是透明阴极时，电子传输层（作为n型掺杂层）必然位于透明阴极和发光层之间。因此，技术特征G被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H：** 基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％<br><br>《未公开》 | 对比文件未公开关于n型掺杂剂含量的具体数值范围。 | 对比文件中虽然提到了电子传输层可以通过有机物质与低功函数金属共蒸镀形成，但完全没有涉及任何关于掺杂剂含量的具体比例或数值范围，尤其是1-20wt%的特定范围。本领域技术人员无法从对比文件的内容中直接地、毫无疑义地得出该含量范围。因此，技术特征H没有被对比文件公开。 |
| **技术特征I：** 所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种。<br><br>《隐含公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記電子輸送層はＬｉ、Ｃｓ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｓｃ、Ｃａ、Ｋ、Ｃｅ、Ｅｕなどのように仕事関数が小さい金属”。<br>（翻译：所述电子传输层由Li、Cs、Na、Mg、Sc、Ca、K、Ce、Eu等低功函数金属形成。）<br>对比文件段落[2]原文：“この電子注入層はＬｉＦ層であることが好ましい”。<br>（翻译：该电子注入层优选为LiF层。）<br>对比文件段落[2]原文：“メタル−ハロゲン化物層（ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ）と電子輸送層との間に薄いＡｌ層を蒸着して電子注入特性を改善する試みが記載されている。”<br>（翻译：记载了在金属-卤化物层（NaF、CsF、KF）和电子传输层之间蒸镀薄Al层以改善电子注入特性的尝试。） | 对比文件明确列举了Li、Cs、Na、Mg、Ca、K等金属，作为用于电子传输层的掺杂材料，这些金属与目标专利中列出的元素（Mg、Ca、Na、K、Cs）完全重合。此外，对比文件还提到了用LiF、NaF、CsF、KF等金属卤化物作为电子注入层或用于改善电子注入。在OLED技术中，这些材料（如LiF、CsF）作为n型掺杂剂与电子传输材料共蒸镀是公知常识。本领域技术人员在阅读对比文件后，完全有动机使用这些材料作为n型掺杂剂。因此，即使对比文件未明确将这些材料列为“n型掺杂剂”，但根据其公开的内容和本领域常识，可以合理推断出这些材料可以用作n型掺杂剂，因此技术特征I被隐含公开。 |
| **技术特征J：** 所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成。<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“上記のような伝導性酸化膜は仕事関数が非常に高いため（通常、４．５ｅＶ以上）”。<br>（翻译：上述导电氧化物膜的功函数非常高（通常在4.5eV以上）。） | 对比文件明确指出了用于透明电极的导电氧化物膜（如IZO、ITO）的功函数非常高，通常在4.5eV以上。4.5eV以上显然包含在2.7eV以上的范围内。因此，技术特征J被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K：** 所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成。<br><br>《隐含公开》 | 对比文件段落[2]原文：“透明電極としてＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ−ｏｘｉｄｅ）またはＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ）のような伝導性酸化膜が用いられる。”<br>（翻译：使用IZO（氧化铟锌）或ITO（氧化铟锡）等导电氧化物膜作为透明电极。）<br>对比文件段落[2]原文：“第２電極はＩＺＯまたはＩＴＯなどのように可視光線領域で透明な伝導性氧化物質”。<br>（翻译：第二电极由IZO或ITO等在可见光区域透明的导电氧化物形成。） | 对比文件广泛公开了IZO和ITO作为透明电极材料。虽然其说明书和实施例中未明确将ITO或IZO用作“设置在基板上的透明阴极”，但其明确教导了逆结构，并指出为了实现两面发光，阴极可以是透明的。本领域技术人员在面临需要选择透明阴极材料时，会毫无疑问地想到对比文件广泛教导的IZO或ITO。因此，即使在文本上没有直接对应，但本领域技术人员可以合理推断出IZO和ITO是用于形成透明阴极的候选材料，因此技术特征K被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L：** 所述阳极是透明的。<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記第２電極は、ＩＺＯまたはＩＴＯなどのように可視光線領域で透明な伝導性酸化物質で形成することができる。”<br>（翻译：所述第二电极可以用IZO或ITO等在可见光区域透明的导电氧化物形成。）<br>对比文件实施例1-5：“前記バッファ層上にスパッタリング法を用いて、...１５０ｎｍ厚さのＩＺＯ陽極を形成して、前面発光有機発光素子を製造した。”<br>（翻译：在缓冲层上通过溅射法形成150nm厚的IZO阳极，制造了前面发光的有机发光元件。） | 对比文件明确公开了其第二电极（阳极）可以由IZO或ITO等透明导电氧化物形成，并且在实施例中直接形成了IZO透明阳极。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M：** 所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极。<br><br>《直接公开》 | 对比文件实施例1-5：“前記バッファ層上にスパッタリング法を用いて、...１５０ｎｍ厚さのＩＺＯ陽極を形成して、前面発光有機発光素子を製造した。”<br>（翻译：在缓冲层上通过溅射法形成150nm厚的IZO阳极，制造了前面发光的有机发光元件。） | 对比文件实施例明确记载了阳极是由IZO（氧化铟锌）这一透明金属氧化物形成的。这完全符合技术特征M的定义。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| **技术特征N：** 所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物。<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記有機物層が電子輸送層を含み、この電子輸送層はイミダゾール基、オキサゾール基およびチアゾール基からなる群から選択される基を有する物質を含むことを特徴とする有機発光素子を提供する。”<br>（翻译：提供一种有机发光元件，其特征在于所述有机材料层包含电子传输层，该电子传输层包含具有选自咪唑基、噁唑基和噻唑基组成的基团中的基团的物质。）<br>对比文件段落[2]原文：“化学式２または化学式３のようなイミダゾール基、オキサゾール基またはチアゾール基を含んでいる電子輸送物質を用いる”。<br>（翻译：使用包含咪唑基、噁唑基或噻唑基的电子传输材料，如化学式2或化学式3。） | 对比文件明确且详细地公开了其电子传输层所含的电子传输材料必须包括咪唑基、噁唑基、噻唑基中的至少一种官能团。这与目标专利中技术特征N的限定完全一致。因此，技术特征N被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O：** 所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度。<br><br>《未公开》 | 对比文件未公开关于n型掺杂剂在电子传输层内具有浓度梯度的任何内容。 | 对比文件中，无论是描述电子传输层的形成方法（共蒸镀），还是描述其结构，均未提及掺杂剂在厚度方向上存在浓度梯度。本领域技术人员从对比文件中无法获知或合理推断出该技术特征。因此，技术特征O没有被对比文件公开。 |
| **技术特征P：** 所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层。<br><br>《未公开》 | 对比文件未公开在n型掺杂的电子传输层和发光层之间设置另一层电子传输层的具体结构。 | 对比文件虽然提到了电子传输层，但并未描述在n型掺杂的电子传输层和发光层之间再设置一个单独的电子传输层（即双电子传输层结构）的方案。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该多层结构。因此，技术特征P没有被对比文件公开。 |
| **技术特征Q：** 所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成。<br><br>《未公开》 | 对比文件未公开任何关于双电子传输层结构及其材料选择的内容。 | 基于技术特征P的分析，对比文件未公开双电子传输层结构，因此更不可能公开该结构中两层材料相同这一具体限定。因此，技术特征Q没有被对比文件公开。 |
| **技术特征R：** 所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触。<br><br>《隐含公开》 | 对比文件段落[2]原文：“基板、陰極、有機物層および陽極が順次積層された逆構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）”。<br>（翻译：基板、阴极、有机材料层和阳极依次层叠的逆结构。）<br>对比文件实施例1-5：“ガラス基板上に...１５０ｎｍ厚さの陰極（Ａｌ）と１．５ｎｍ厚さの電子注入層（ＬｉＦ）を順に形成した。続いて、前記電子注入層上に電子輸送層として...薄膜を形成した。”<br>（翻译：在玻璃基板上依次形成150nm厚的阴极（Al）和1.5nm厚的电子注入层（LiF）。接着，在所述电子注入层上形成作为电子传输层的薄膜。） | 对比文件公开了逆结构，层序为基板/阴极/有机材料层/阳极。在逆结构中，阴极是首先形成的电极，有机材料层是随后沉积在上面的。因此，有机材料层中与阴极最先接触的层（通常是电子传输层或电子注入层）必然与阴极直接接触。虽然对比文件的实施例中在阴极和电子传输层之间插入了LiF电子注入层，但这属于优选方案。对比文件公开了“电子注入层”是可选的，其根本目的是为了改善电子注入。在未设置电子注入层的情况下，电子传输层将与阴极直接接触。因此，本领域技术人员可以合理推断出n型掺杂的电子传输层可以与透明阴极接触。因此，技术特征R被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征S：** 所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“本発明の有機発光素子は、有機物層として正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層...を含む構造を有することができる。”<br>（翻译：本发明的有机发光元件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机材料层的结构。）<br>对比文件实施例1-5：“発光層上に正孔輸送層として４０ｎｍ厚さのＮＰＢ薄膜を蒸着した。正孔輸送層上に正孔注入層およびバッファ層として下記化学式１−１の化合物を用いて...層を形成した。”<br>（翻译：在发光层上蒸镀40nm厚的NPB薄膜作为空穴传输层。在空穴传输层上，使用下述化学式1-1的化合物作为空穴注入层和缓冲层，形成...层。） | 对比文件明确公开了其有机材料层可以包括空穴传输层和空穴注入层，并且在实施例中同时形成了空穴传输层和空穴注入层。这与目标专利中技术特征S的描述完全一致。因此，技术特征S被对比文件直接公开。 |
| **技术特征T：** 所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記有機物層のうち第２電極に接する有機物層は下記化学式１の化合物を含むバッファ層である”。<br>（翻译：所述有机材料层中与第二电极接触的有机材料层是包含下述化学式1的化合物的缓冲层。）<br>对比文件实施例1-5：“正孔輸送層上に正孔注入層およびバッファ層として下記化学式１−１の化合物を用いて...層を形成した。前記バッファ層上にスパッタリング法を用いて...ＩＺＯ陽極を形成した。”<br>（翻译：在空穴传输层上，使用下述化学式1-1的化合物作为空穴注入层和缓冲层，形成...层。在所述缓冲层上，通过溅射法形成IZO阳极。） | 对比文件明确公开了其有机材料层中的最上层（即与第二电极/阳极接触的层）是缓冲层（buffer layer），该缓冲层包含化学式1的化合物。这个缓冲层与阳极接触，位于有机材料层的最上方。这与目标专利中“置于最临近阳极的最上侧上”的描述在结构和位置上完全对应。因此，技术特征T被对比文件直接公开。 |
| **技术特征U：** 所述有机材料层含有下式23的化合物<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記有機物層のうち第２電極に接する有機物層は下記化学式１の化合物を含むバッファ層であることを特徴とする有機発光素子を提供する...”<br>（翻译：提供一种有机发光元件，其特征在于与第二电极接触的有机材料层是包含下述化学式1的化合物的缓冲层...）<br>对比文件化学式1：<br>（化学式1的结构与目标专利的式23相同） | 对比文件明确将化学式1的化合物用于其有机材料层中，具体是作为与阳极接触的缓冲层。目标专利的式23即为对比文件的化学式1。因此，对比文件公开了其有机材料层含有与目标专利式23结构相同的化合物。因此，技术特征U被对比文件直接公开。 |
| **技术特征V：** [式23] <br><br>《直接公开》 | 对比文件化学式1：<br>（化学式1的结构与目标专利的式23完全相同） | 对比文件的化学式1与目标专利的式23在化学结构上完全一致。因此，技术特征V被对比文件直接公开。 |
| **技术特征W：** 其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記化学式１において、Ｒ１〜Ｒ６は各々水素、ハロゲン原子、ニトリル（−ＣＮ）、ニトロ（−ＮＯ２）、スルホニル（−ＳＯ２Ｒ）、スルホキシド（−ＳＯＲ）、スルホンアミド（−ＳＯ２ＮＲ）、スルホネート（−ＳＯ３Ｒ）、トリフルオロメチル（−ＣＦ３）、エステル（−ＣＯＯＲ）、アミド（−ＣＯＮＨＲまたは−ＣＯＮＲＲ'）、置換または非置換された直鎖または分枝鎖のＣ１−Ｃ１２アルコキシ、置換または非置換された直鎖または分枝鎖Ｃ１−Ｃ１２のアルキル、置換または非置換された芳香族または非芳香族の複素環、置換または非置換されたアリール、置換または非置換されたモノ−またはジ−アリールアミン、および置換または非置換されたアラルキルアミンで構成された群から選択され”。<br>（翻译：在化学式1中，R1至R6分别选自氢、卤素原子、腈基（-CN）、硝基（-NO2）、磺酰基（-SO2R）、亚砜基（-SOR）、磺酰胺基（-SO2NR）、磺酸酯基（-SO3R）、三氟甲基（-CF3）、酯基（-COOR）、酰胺基（-CONHR或-CONRR'）、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香族杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单-或二-芳基胺、以及取代或未取代的芳烷基胺组成的组。） | 对比文件对化学式1中R1至R6的定义与目标专利对式23中R1d至R6d的定义在文字表述上完全一致，限定的基团范围完全相同。因此，技术特征W被对比文件直接公开。 |
| **技术特征X：** R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中。<br><br>《直接公开》 | 对比文件段落[2]原文：“前記ＲおよびＲ'は各々置換または非置換されたＣ１−Ｃ６０のアルキル、置換または非置換されたアリールおよび置換または非置換の５−７元の複素環からなる群から選択される。”<br>（翻译：所述R和R'分别选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基以及取代或未取代的5-7元杂环组成的组。） | 对比文件对R和R'的定义与目标专利中技术特征X的定义在文字表述和限定范围上完全一致。因此，技术特征X被对比文件直接公开。 |
<<<A>>><<<C>>><<<D>>><<<J>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<X>>><<<b>>><<<e>>><<<f>>><<<g>>><<<i>>><<<k>>><<<r>>>