对比文件名称：2003-07-31_US2003143428A_发明申请_US20030143428A1 Organic electroluminescent display device
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | 段落[0011]：“a transparent substrate”；段落[0012]：“a transparent substrate”。（透明基板） | 对比文件明确公开了透明基板，本领域技术人员可直接得出该技术特征。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极设置在基板上。其公开的是阳极在基板上，阴极在顶部且不透明。 | 对比文件为传统正序结构，阳极在基板上，阴极由Al等不透明材料形成，未公开透明阴极在基板上的结构。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | 段落[0011]：“an anode material is coated on a transparent substrate. In this case, ITO is mainly used as the anode material.”（阳极材料涂覆在透明基板上，主要使用ITO作为阳极材料） | 对比文件直接公开了阳极及其材料（ITO），本领域技术人员可直接得出该技术特征。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极，因此不存在透明阴极与阳极之间的有机材料层。 | 对比文件有机材料层位于阳极和阴极之间，但阴极非透明，且结构不同，未公开该特征。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《未公开》 | 对比文件公开了发光层和电子传输层（如Alq3），但电子传输层未掺杂，且其缓冲层并非电子传输层。 | 对比文件未公开任何层既作为电子传输层又进行n型掺杂，因此未公开该特征。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《未公开》 | 对比文件未公开同时包含电子传输材料和n型掺杂剂的层。其缓冲层包含碱金属化合物和有机化合物，但该缓冲层被明确描述为不同于电子传输层的单独层。 | 对比文件没有公开任何层被描述为“掺杂的电子传输层”，因此未公开该特征。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极和n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件不具备该结构，未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《未公开》 | 对比文件未公开任何关于掺杂剂含量的百分比范围。其缓冲层组成比例（x:y=1~100:1）针对的是两种材料的重量比，并非掺杂剂在电子传输层中的重量百分比。 | 对比文件没有公开该数值范围，未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《隐含公开》 | 段落[0029]：“the alkaline metal or alkaline earth metal compound can be selected from the group consisting of Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, La, Sm, Gd, Yb, Cs, Li2O, Li2O2, Rb2O, Cs2O, Rb2O2, Cs2O2, LiAlO2, LiBO2, LiCl, RbCl, NaCl, KAlO2, NaWO4, K2SiO3, Li2CO, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, RaO, Al:Li, Mg:Sr, In:Li alloy, and the like.”（碱金属或碱土金属化合物可选自Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Yb、Cs、Li2O、Li2O2、Rb2O、Cs2O、Rb2O2、Cs2O2、LiAlO2、LiBO2、LiCl、RbCl、NaCl、KAlO2、NaWO4、K2SiO3、Li2CO、BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、RaO、Al:Li、Mg:Sr、In:Li合金等） | 对比文件公开了多种碱金属、碱土金属及其化合物，这些材料与目标专利n型掺杂剂列表中的Mg、Ca、Li、MgO、CaO、Cs2O、BaO、SrO、K、Na、Cs等重叠。虽然对比文件将其作为缓冲层的第一材料，但本领域技术人员公知这些材料具有n型掺杂特性，可降低电子注入势垒。因此，本领域技术人员有可能将其用作n型掺杂剂，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《直接公开》 | 段落[0011]：“ITO (indium tin oxide) is mainly used as the anode material.”（ITO主要用于阳极材料）ITO的功函数通常为4.7eV，高于2.7eV。 | 对比文件公开了阳极由ITO形成，其功函数明显高于2.7eV，因此直接公开了该技术特征（阳极部分）。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成《未公开》 | 对比文件未公开透明阴极。其阴极由Al等不透明材料形成。 | 对比文件没有公开透明阴极，更未公开其材料，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的《直接公开》 | 段落[0011]：“ITO (indium tin oxide) is mainly used as the anode material.” ITO是透明导电氧化物。 | 对比文件直接公开了阳极由透明ITO形成，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO、IZO和ZnO中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《直接公开》 | 段落[0011]：“ITO (indium tin oxide) is mainly used as the anode material.” | 对比文件直接公开了阳极由ITO形成，属于透明金属氧化物，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《隐含公开》 | 段落[0070]：“Alq3 having the following structural formula is doped with Co6 by about 1%, and then coated on the hole transport layer so as to form a green light-emitting layer.” 段落[0071]：“Alq3 as an electron transport layer is coated about 35 nm thick thereon.” Alq3（三(8-羟基喹啉)铝）含有喹啉基团。 | 对比文件公开了Alq3作为电子传输材料，其含有喹啉基团。虽然对比文件中的电子传输层未掺杂，但本领域技术人员可以合理选择该材料用于n型掺杂的电子传输层，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《隐含公开》 | 段落[0027]：“the buffer layer can be formed to have a concentration gradient in accordance with positions of the first material of one of the alkaline metal and alkaline earth metal and the second material of one of the organic compound and organic metal compound.”（缓冲层可形成为具有浓度梯度，根据第一材料和第二材料的位置变化） 段落[0028]：“the composition ratio of the first and second materials x and y from the interface of the buffer layer contacted with the cathode to the other interface contacted with the organic layer has the concentration gradient.”（从与阴极接触的界面到与有机层接触的界面，第一和第二材料的组成比具有浓度梯度） | 对比文件公开了缓冲层中第一材料（类似n型掺杂剂）具有浓度梯度。本领域技术人员可以合理推断，在n型掺杂的电子传输层中也可以采用类似的浓度梯度以优化电子注入，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《未公开》 | 对比文件在发光层和缓冲层之间设有电子传输层（Alq3），但缓冲层并非n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，因此无法对应设置在其与发光层之间的电子传输层，未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《未公开》 | 对比文件未公开该关系。其电子传输层（Alq3）与缓冲层中的有机化合物（星形化合物）不同。 | 对比文件没有公开任何关于两个电子传输层材料相同的教导，未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《未公开》 | 对比文件缓冲层与阴极接触，但缓冲层不是n型掺杂的电子传输层，且阴极不透明。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层与透明阴极接触，未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》 | 段落[0068]：“CuPc (copper phthalocyanine) having the following structural formula is coated about 25 nm thick on a transparent substrate of ITO so as to be used as a hole injection layer (HIL).” 段落[0069]：“NPD...is coated about 35 nm thick thereon so as to be used as a hole transport layer.”（CuPc用作空穴注入层，NPD用作空穴传输层） | 对比文件明确公开了空穴注入层和空穴传输层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | 段落[0068]：CuPc作为空穴注入层直接形成在ITO阳极上，即最临近阳极的有机层。 | 对比文件公开了最临近阳极的有机层是空穴注入层，因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》 | 对比文件未公开式23的化合物或其类似物。其空穴注入层使用CuPc，空穴传输层使用NPD，均不同于式23。 | 对比文件没有公开式23化合物，未公开。 |
| 技术特征V：[式23]《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开该结构式，未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《未公开》 | 对比文件未公开任何与此对应的取代基定义。 | 对比文件未公开该技术特征，未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开，未公开。 |
### 公开性代码
根据以上判断，对比文件直接公开了技术特征A、C、J、L、M、S、T，隐含公开了技术特征I、N、O。因此，在回答结尾插入以下代码：
<<<A>>><<<C>>><<<J>>><<<L>>><<<M>>><<<S>>><<<T>>><<<i>>><<<n>>><<<o>>>