在回答的开始明确：
对比文件名称：2007-05-24_None_发明专利_JPWO2005045939A1 薄膜トランジスタ及びその製造方法
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek
以下是根据目标专利权利要求的技术特征划分，与对比文件进行比对的特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，保留段落标号） | 公开性论述 |
| A：其包括基板（直接公开） | [0058] “基板１１”；[0107] “プラスティック基板１０１” | 对比文件明确公开了基板（基板11、塑料基板101），用于支撑TFT或有机EL层，与目标专利中基板作为支撑结构的作用相同。本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该特征。 |
| B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何设置在基板上的透明阴极。在应用例（[0107]）中，透明电极103设置在有机EL层102之上，而非基板上；且未指明该透明电极为阴极。目标专利的透明阴极是倒置结构的关键，对比文件无此结构，故未公开。 |
| C：阳极（隐含公开） | [0107] “画素電極１１７”；[0107] “有機ＥＬ層１０２は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の各層が積層され構成されている” | 对比文件应用例中公开了像素电极117，且有机EL层包括空穴传输层。本领域技术人员公知，在有机EL器件中，空穴传输层需要阳极与之配合，像素电极通常用作阳极。因此，可合理推断出阳极的存在，但其是否为透明阳极未明确。故该特征被隐含公开。 |
| D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（隐含公开） | [0107] “有機ＥＬ層１０２”；[0107] “透明電極１０３”；[0107] “画素電極１１７” | 对比文件应用例中，有机EL层102位于透明电极103和像素电极117之间。本领域技术人员可合理推断透明电极103为阴极（顶部发射OLED常见结构），像素电极117为阳极，从而有机材料层设置在透明阴极和阳极之间。虽未明确电极极性，但该层间位置关系被隐含公开。 |
| E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（未公开） | [0107] “有機ＥＬ層１０２は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の各層が積層され構成されている” | 对比文件公开了有机EL层包括电子传输层和发光层，但未公开电子传输层为n型掺杂。目标专利中n型掺杂是克服高功函阴极注入障碍的关键，对比文件无任何关于n型掺杂电子传输层的记载或暗示，故未公开。 |
| F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何关于n型掺杂剂或电子传输材料与掺杂剂组合的内容，电子传输层仅作为一般层提及，无掺杂。 |
| G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（未公开） | 无 | 对比文件未公开n型掺杂电子传输层，故其位置关系无从谈起。 |
| H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 无 | 对比文件未涉及n型掺杂剂，更无含量范围。 |
| I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（未公开） | 无 | 对比文件未提及任何上述掺杂剂。 |
| J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（未公开） | [0101] “ＩＴＯ，Ｃｕ等の無機材料を用いることも可能である” | 对比文件提及ITO等可用于电极，但未指定用于透明阴极或阳极，未公开功函数数值，且未将功函数与电极材料选择关联。目标专利强调高功函材料形成透明阴极/阳极，对比文件无此教导。 |
| K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（未公开） | [0101] “ＩＴＯ，Ｃｕ等の無機材料を用いることも可能である” | 对比文件仅提及ITO可作为电极材料，但未指明用于透明阴极，且未公开IZO或ZnO。透明阴极在对比文件中不存在，故该特征未公开。 |
| L：所述阳极是透明的（未公开） | 无 | 对比文件未公开阳极（像素电极）是否为透明。在应用例中，像素电极通常为不透明金属，且无透明性描述。 |
| M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（未公开） | 无 | 对比文件未公开阳极材料为透明金属氧化物，更未限定具体材料。 |
| N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何电子传输材料的化学结构，更未提及上述官能团。 |
| O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 无 | 对比文件无任何关于浓度梯度的记载。 |
| P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（未公开） | 无 | 对比文件仅有一层电子传输层，且非n型掺杂，无额外电子传输层。 |
| Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（未公开） | 无 | 对比文件未公开该特征。 |
| R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 无 | 对比文件无n型掺杂电子传输层，故无接触关系。 |
| S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | [0107] “有機ＥＬ層１０２は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の各層が積層され構成されている” | 对比文件明确公开有机EL层包括“正孔輸送層”（空穴传输层），这满足“至少一层”的要求。该空穴传输层在目标专利中用于传输空穴，作用相同，因此直接公开。 |
| T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（未公开） | 无 | 对比文件未公开有机EL层中各层的具体顺序，特别是哪一层最临近阳极。虽然空穴传输层通常靠近阳极，但对比文件未明确，故未公开。 |
| U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何如式23的化合物。 |
| V：[式23]（未公开） | 无 | 对比文件无该化学式。 |
| W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 无 | 对比文件未公开该特征。 |
| X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开） | 无 | 对比文件未公开该特征。 |
根据上述公开性判断，对比文件直接公开了技术特征A和S，隐含公开了技术特征C和D。因此，在回答结尾插入对应代码：
<<<A>>>
<<<S>>>
<<<c>>>
<<<d>>>
注：由于输出格式要求，多个代码应连续列出。最终输出为：
<<<A>>><<<S>>><<<c>>><<<d>>>