对比文件的名称：2006-06-01_None_发明专利_JPWO2004074399A1 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
目标专利的名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | 实施例1：”25mm×75mm×0.7mm厚的ITO透明电极附带的玻璃基板“ | 目标专利的基板用于支撑，对比文件公开了玻璃基板，作用完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件阴极使用Al/LiF（实施例1），未使用透明材料。 | 对比文件未公开透明阴极，阴极由不透明金属形成，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | 实施例1：”ITO透明电极“ | 对比文件公开了ITO阳极，与目标专利的阳极作用相同，直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（未公开） | 对比文件结构为阳极/有机层/阴极，阴极不透明。 | 由于透明阴极未公开，该特征要求的透明阴极不存在，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（未公开） | 对比文件有发光层，电子传输层为Alq（未掺杂），电子注入层为LiF（含还原性掺杂剂）。 | 对比文件没有将电子传输层进行n型掺杂，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（未公开） | 同上，电子传输层未掺杂。 | 对比文件未公开电子传输材料与n型掺杂剂的混合层，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（未公开） | 同上。 | 基于特征E和F未公开，G未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 对比文件公开了还原性掺杂剂与有机物的摩尔比5:1~1:5（说明书段落），但未公开电子传输层中的重量百分比。 | 对比文件未公开具体含量范围，且未涉及电子传输层中的掺杂剂含量，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种。（直接公开） | 对比文件公开了还原性掺杂剂：”アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物等。具体例として、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ、Ｌｉ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等“。 | 对比文件公开了上述化合物中的大部分，且作为还原性掺杂剂使用，与目标专利中n型掺杂剂的作用相同（改善电子注入），因此直接公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成。（直接公开） | 对比文件：”陽極は、正孔を正孔輸送層または発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。“ | 对比文件公开了阳极功函数4.5eV以上，满足2.7eV以上的要求，因此直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成。（未公开） | 对比文件阴极使用Al/LiF，未使用透明金属氧化物。 | 对比文件未公开透明阴极，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的。（直接公开） | 实施例1使用ITO透明电极。 | ITO是透明材料，因此阳极透明，直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极。（直接公开） | 实施例1使用ITO阳极。 | ITO是透明金属氧化物，符合特征，直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物。（直接公开） | 对比文件：”含窒素環誘導体としては、...イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、フェナントロリン等“。 | 对比文件公开了电子传输材料（含氮杂环化合物）包括咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉基、菲咯啉基，与目标专利的官能团对应，直接公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度。（未公开） | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开任何浓度梯度特征，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层。（未公开） | 对比文件结构：阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。 | 对比文件没有在电子传输层和发光层之间设置额外的电子传输层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成。（未公开） | 基于特征P未公开。 | 特征P未公开，故该特征未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触。（未公开） | 对比文件n型掺杂的电子传输层未公开，透明阴极未公开。 | 因此未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层。（直接公开） | 实施例1：先形成CuPc（空穴注入层），再形成TBAB（空穴传输层）。 | 对比文件公开了空穴注入层和空穴传输层，直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上。（直接公开） | 实施例1中，最临近阳极的有机材料层是CuPc（空穴注入层）。 | 对比文件明确有最临近阳极的有机材料层，因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物。（未公开） | 对比文件中的化合物为式(1)等，无式23。 | 对比文件未公开式23化合物，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件未公开相关定义。 | 未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中。（未公开） | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
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