对比文件名称：2006-06-22_JP2006165034A_发明专利_JP2006165034A Organic el device
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：资深专利代理师模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：其包括基板（直接公开） | “透明基板の上に透明電極層（陽極）を設け”（背景技术部分） | 对比文件明确公开了基板（透明基板），因此直接公开。 |
| 特征B：设置在所述基板上的透明阴极（无公开） | 对比文件中阴极是第二透明电极，位于有机层上方，并非设置在基板上。 | 对比文件为正序结构，基板上设置的是阳极，阴极在顶部，因此未公开透明阴极设置在基板上。 |
| 特征C：阳极（直接公开） | “第１透明電極層（陽極）”（具体实施方式部分） | 对比文件公开了第一透明电极作为阳极，直接公开。 |
| 特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（直接公开） | “第１透明電極層（陽極）の上に正孔輸送層、有機発光層、第２透明電極層（陰極）”（具体实施方式部分） | 有机材料层（正孔輸送層、有機発光層）位于第一透明电极（阳极）和第二透明电极（阴极）之间，第二透明电极是透明的，直接公开。 |
| 特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（无公开） | 对比文件未提及n型掺杂的电子传输层，仅提及电子传输层或电子注入层。 | 对比文件没有公开n型掺杂的电子传输层，因此无公开。 |
| 特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（无公开） | 同E | 无公开。 |
| 特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（无公开） | 同E | 无公开。 |
| 特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（无公开） | 对比文件未涉及n型掺杂剂含量。 | 无公开。 |
| 特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（无公开） | 对比文件公开了电子注入层使用Li、Ca、Cs等低功函数金属，但作为单独层，并非作为n型掺杂剂。 | 对比文件未公开将这些材料作为n型掺杂剂掺杂在电子传输层中，因此无公开。 |
| 特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（直接公开） | “陽極層を形成する材料には仕事関数の大きい金属、それらの合金及び化合物が使用され、一般的にはＩＴＯの透明電極層が多く使用されている。”（背景技术部分） | 对比文件公开了阳极由高功函数材料（ITO）形成，ITO功函数大于2.7eV，因此直接公开了“阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成”。特征J为选择性，满足。 |
| 特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（直接公开） | “第２透明電極（陰極）としてＩＺＯ透明電極”（实施例1） | 对比文件公开了透明阴极由IZO形成，属于所列材料之一，直接公开。 |
| 特征L：所述阳极是透明的（直接公开） | “第１透明電極層（陽極）となるＩＴＯ透明電極”（实施例1） | 对比文件公开了阳极是透明ITO电极，直接公开。 |
| 特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | 同L，阳极由ITO形成。 | 对比文件公开了阳极由ITO形成，属于所列材料，直接公开。 |
| 特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（无公开） | 对比文件公开了电子传输层材料如Alq3（含有喹啉基），但未公开n型掺杂的电子传输层。 | 特征要求n型掺杂的电子传输层的电子传输材料，对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，因此整体未公开。 |
| 特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（无公开） | 对比文件未涉及浓度梯度。 | 无公开。 |
| 特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（无公开） | 对比文件有电子传输层在发光层和阴极之间，但无n型掺杂层，且位置不同。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，也未公开在n型掺杂层和发光层之间的电子传输层，因此无公开。 |
| 特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（无公开） | 同P | 无公开。 |
| 特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（无公开） | 对比文件中电子注入层与阴极接触，但电子注入层不是n型掺杂的电子传输层。 | 未公开n型掺杂的电子传输层与阴极接触。 |
| 特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | “正孔輸送層”、“正孔注入層”（具体实施方式部分） | 对比文件明确公开了空穴传输层和空穴注入层，直接公开。 |
| 特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开） | “第１透明電極層（陽極）の上に正孔輸送層”（具体实施方式部分） | 在对比文件中，最临近阳极（第一透明电极）的有机材料层是正孔输输层，因此直接公开了“有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上”。 |
| 特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（无公开） | 对比文件未公开式23化合物。 | 无公开。 |
| 特征V：[式23]（无公开） | 同U | 无公开。 |
| 特征W：其中，R1d至R6d各自选自...（无公开） | 同U | 无公开。 |
| 特征X：R和R’各自选自...（无公开） | 同U | 无公开。 |
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