**对比文件名称**：2009-09-03_US2009218560A_发明申请_US20090218560A1 METHOD FOR REVERSIBLY MOUNTING A DEVICE WAFER TO A CARRIER SUBSTRATE
**目标专利名称**：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
**调用模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其特征在于，所述方法包括，在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。**（未公开）** | 对比文件[0033]：“优选的第一衬底12包括器件晶圆，其器件表面包含选自集成电路、MEMS、微传感器、功率半导体、发光二极管、光子电路、插入器、嵌入式无源器件以及其他在硅和其他半导体材料如硅锗、砷化镓和氮化镓之上或由其制造的微器件的阵列。” | 对比文件仅提及氮化镓作为可能的半导体材料，但未公开在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，更未公开该外延层用作缓冲层以降低晶格失配和热膨胀系数差别。对比文件中的第一衬底是已包含器件的晶圆，而非用于生长外延层的支撑衬底，且未涉及缓冲层作用。因此，本领域技术人员不能从对比文件直接或间接获得该特征。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。**（未公开）** | 对比文件[0043]-[0045]描述了第二衬底32与第一衬底12键合，但未提及氮化镓外延层，也未提及第二衬底形成在氮化镓外延层上。 | 对比文件公开了第二衬底（载体）与第一衬底（器件晶圆）通过填充层和边缘键合连接，但第一衬底并非氮化镓外延层，且第二衬底不是形成在氮化镓外延层上。因此，未公开。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。**（未公开）** | 对比文件[0046]描述了边缘键合46形成在空隙44中，仅限于外周区域，未覆盖整个侧面和上表面。且未提及钝化层。 | 对比文件中的边缘键合仅施加于第一衬底和第二衬底的边缘区域，并非覆盖氮化镓外延层整个侧面及第二衬底侧面和上表面。对比文件也未形成用于保护器件免受蚀刻的钝化层。因此，未公开。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。**（未公开）** | 对比文件[0008]和[0050]描述了背面减薄处理，包括研磨、抛光、化学蚀刻等，但未使用钝化层作为掩膜蚀刻第一衬底。对比文件未涉及完全去除第一衬底。 | 对比文件所述方法是对第一衬底进行背面减薄，而非蚀刻去除整个第一衬底，且未使用钝化层作为掩膜。因此，未公开。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。**（未公开）** | 对比文件[0053]-[0055]描述了分离第一和第二衬底，通过溶解边缘键合或机械力，而非去除钝化层。且没有钝化层。 | 对比文件在背面处理后分离第一和第二衬底，但分离过程不涉及去除钝化层，且没有露出氮化镓外延层的步骤。因此，未公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。**（未公开）** | 对比文件没有提及在去除任何层后形成单晶氮化镓层。对比文件[0073]提到制造各种微器件，但未涉及氮化镓外延生长。 | 对比文件完全没有涉及在分离后形成单晶氮化镓层的步骤。因此，未公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。**（隐含公开）** | 对比文件[0041]：“合适的聚合物材料包括...溶剂可溶性氟聚合物，例如Asahi Glass销售的CYTOP®聚合物和DuPont销售的TEFLON® AF聚合物。” | 对比文件公开了特氟龙（TEFLON® AF）作为填充层材料，但未明确其作为钝化层。然而，特氟龙具有耐化学性，本领域技术人员可能考虑将其用于保护性钝化层，且对比文件部分公开了该材料，因此该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。**（隐含公开）** | 对比文件[0047]：“然后使边缘键合46经历适当的固化或硬化工艺（例如，UV固化）。” 对比文件[0035]也描述了填充层的烘烤步骤。 | 对比文件公开了对边缘键合和填充层进行固化工艺，本领域技术人员在形成涂层后通常会进行固化，因此形成钝化层后进行固化工艺是常规选择，对比文件给出了固化工艺的启示，故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。**（直接公开）** | 对比文件[0033]：“优选的第一衬底12包括器件晶圆...在硅和其他半导体材料如硅锗、砷化镓和氮化镓之上或由其制造。” 该处提及第一衬底12可以是硅衬底。 | 对比文件明确公开了第一衬底12可以是硅衬底，硅属于硅衬底范畴。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。**（未公开）** | 对比文件[0008]提到“基于机械研磨和抛光以及化学蚀刻的高效减薄工艺”，但未专门针对第一支撑衬底的湿蚀刻选择性去除。且对比文件不涉及完全去除第一衬底。 | 对比文件虽有化学蚀刻，但用于减薄而非选择性去除整个第一衬底；且未提及湿蚀刻工艺用于选择性蚀刻第一支撑衬底。因此，未公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。**（未公开）** | 对比文件[0053]列举了用于溶解边缘键合的溶剂，包括乳酸乙酯、环己酮、N-甲基吡咯烷酮、脂肪族溶剂（如己烷、癸烷、十二烷、十二烯）及其混合物，未提及醇溶剂。 | 对比文件没有公开使用醇溶剂去除任何层，尤其是钝化层。因此，未公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。**（直接公开）** | 对比文件[0044]：“优选的第二衬底32包括选自硅、蓝宝石、石英、金属（例如，铝、铜、钢）、以及各种玻璃和陶瓷的材料。” | 对比文件明确公开了第二衬底32可以由金属（铝、铜、钢）等导电材料制成，因此包含金属的导电材料被直接公开。同时，第二衬底也可以由硅制成，与第一衬底材料相同。因此，特征L被直接公开。 |
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