对比文件名称：2006-05-18_JP2006128174A_发明专利_JP2006128174A Method and apparatus of processing wafer
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。**未公开** | 对比文件未涉及氮化镓外延层或缓冲层。整篇对比文件涉及硅晶圆或化合物半导体晶圆的减薄处理，无氮化镓外延层相关内容。 | 对比文件没有公开任何关于氮化镓外延层及其作为缓冲层的内容，因此既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。**未公开** | 对比文件没有公开第二支撑衬底。对比文件中的基板用于支撑晶圆，但晶圆直接通过蜡固定在基板上，并非在氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。 | 对比文件没有形成第二支撑衬底的步骤，因此未公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。**未公开** | 对比文件公开了在晶圆的外周缘（整个侧面）以及晶圆与基板之间暴露的蜡上形成端面保护材。说明书第[2]段记载：“ウエハＷの外周縁が端面保護材Ｃにより全周にわたって覆われるとともに、ウエハＷの下面と基盤１１の上面の間で露出していたワックスＨＭも端面保護材Ｃで覆われる”（中文：晶圆的外周缘被端面保护材覆盖整个圆周，同时晶圆下面和基板上面之间暴露的蜡也被端面保护材覆盖）。 | 对比文件虽然公开了在晶圆整个侧面形成保护层，但目标专利要求的是在氮化镓外延层的整个侧面以及第二支撑衬底的侧面和上表面形成钝化层。对比文件中没有第二支撑衬底，也没有覆盖第二支撑衬底。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。**未公开** | 对比文件公开了使用端面保护材作为掩膜蚀刻晶圆以减薄，而非蚀刻第一支撑衬底。说明书第[2]段记载：“端面保護材で覆われているウエハＷの外周縁はエッチングされることなくほぼ元の厚みを保っている”（中文：被端面保护材覆盖的晶圆外周缘几乎没有被蚀刻，保持原厚度）。 | 对比文件中的蚀刻对象是晶圆，不是第一支撑衬底。目标专利是蚀刻第一支撑衬底，因此未公开。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。**未公开** | 对比文件公开了去除端面保护材和蜡的步骤。说明书第[2]段记载：“端面保護材を溶解する溶液にウエハＷを基盤１１ごと浸漬して、端面保護材Ｃ及びワックスＨＭを溶解する溶解過程”（中文：将晶圆连同基板浸入溶解端面保护材的溶液，溶解端面保护材和蜡的溶解过程）。 | 对比文件去除保护层后露出的是晶圆和基板，而不是第二支撑衬底和氮化镓外延层。因此未公开。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。**未公开** | 对比文件在去除保护层后没有外延生长步骤。对比文件后续是进行切割或分离，不涉及生长单晶氮化镓层。 | 对比文件没有公开在去除保护层后生长单晶氮化镓层的步骤，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。**直接公开** | 对比文件公开了端面保护材可包括石蜡（パラフィン）。说明书第[2]段记载：“端面保護材の具体的な材料としては、例えば、ポリエチレンやパラフィンなどの高分子材料をベースにして、カーボンを含有しているものや、有機レジストなどが挙げられる”（中文：作为端面保护材料的具体材料，例如，以聚乙烯或石蜡等高分子材料为基础，含有碳的材料，或有机抗蚀剂等）。 | 对比文件明确公开了石蜡作为端面保护材的材料，而目标专利的钝化层材料包括石蜡。因此，技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：形成所述钝化层后进行固化工艺。**直接公开** | 对比文件公开了在涂布端面保护材后可以加热固化。说明书第[2]段记载：“端面保護材ＣでウエハＷの外周縁を覆う際あるいは覆った後に、加熱ヒータ９により所定温度に加熱して、端面保護材Ｃの硬化時間を短縮するようにしてもよい”（中文：在覆盖晶圆外周缘时或之后，可以用加热器加热到预定温度，以缩短端面保护材的固化时间）。 | 对比文件明确公开了固化工艺（加热固化），因此技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。**直接公开** | 对比文件公开了基板（相当于第一支撑衬底）的材料可选择碳化硅（SiC）。说明书第[2]段记载：“基盤１１としては、ウエハＷがシリコン製である場合には、ＳｉＣまたはアモルファスカーボン（またはグラシックカーボン）を用いることが好ましい”（中文：作为基板，当晶圆是硅制时，最好使用SiC或非晶碳（或玻璃碳））。 | 对比文件直接公开了碳化硅作为基板（支撑衬底）的材料，目标专利的第一支撑衬底包含碳化物衬底（如SiC）。因此，技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。**未公开** | 对比文件公开了湿蚀刻工艺，但蚀刻的是晶圆。说明书第[2]段记载：“エッチング液にウエハＷが接着された基盤１１を浸漬させ、ウエハの厚さを薄くするシンニング過程”（中文：将粘附有晶圆的基板浸入蚀刻液，进行减薄晶圆厚度的减薄过程）。 | 对比文件虽然使用湿蚀刻，但蚀刻对象是晶圆，不是第一支撑衬底。因此未公开。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除。**未公开** | 对比文件公开了使用溶解液去除端面保护材，但未指定为醇溶剂。说明书第[2]段记载：“端面保護材を溶解する溶液にウエハＷを基盤１１ごと浸漬して、端面保護材Ｃ及びワックスＨＭを溶解する溶解過程”（中文：将晶圆连同基板浸入溶解端面保护材的溶液，溶解端面保护材和蜡的溶解过程）。 | 对比文件没有明确去除液体的种类，本领域技术人员不能直接毫无疑义地确定必须使用醇溶剂，也不能合理推断出必然使用醇溶剂，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。**未公开** | 对比文件没有公开第二支撑衬底，也没有公开由金属导电材料制成的支撑衬底。对比文件中的基板材料为SiC或非晶碳，非金属。 | 对比文件没有第二支撑衬底，因此未公开。 |
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