对比文件名称：2009-11-12_US2009280625A_发明申请_US20090280625A1 METHOD FOR SEPARATING SEMICONDUCTOR LAYER FROM SUBSTRATE
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：人工智能语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其特征在于，所述方法包括，在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。<br><br>**公开性判断：未被公开** | [0033]：“在步骤110中，通过使用衬底的柱状矩阵形成半导体层，其中半导体层包括以下任何一种或任意组合：氮化镓（GaN）、氮化铟镓（GaInN）和氮化铝镓（AlGaN）。”<br>[0034]：“形成柱状矩阵的方法：在衬底上形成掩膜；然后退火形成多个覆盖部分；然后蚀刻衬底形成多个柱；然后分离掩膜。” | 对比文件公开的半导体层是在柱状矩阵上外延生长，并非直接在第一支撑衬底表面形成，且该半导体层是最终分离后独立使用的薄膜，未提及作为降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出该技术特征，也无法合理推断出该特征。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。<br><br>**公开性判断：未被公开** | [0039]：“在步骤122中，在半导体层上形成金属反射层。在步骤124中，在金属反射层上沉积导电材料。” | 对比文件在半导体层上形成的是金属反射层和导电材料，并未明确其为“第二支撑衬底”，且未说明其厚度足以支撑或用于处理基板。该半导体层也非目标专利中用作缓冲层的氮化镓外延层。因此，该特征未被公开或隐含公开。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。<br><br>**公开性判断：未被公开** | [0043]：“然后形成蚀刻保护层224，覆盖半导体层218、金属反射层220和导电材料222。” | 对比文件的蚀刻保护层虽覆盖了半导体层（可视为含GaN的层）和导电材料，但目标专利的钝化层有特定材料限定，且要求覆盖“氮化镓外延层的整个侧面”和“第二支撑衬底的侧面和上表面”。由于“氮化镓外延层”和“第二支撑衬底”在对比文件中未被公开，且保护层的材料、覆盖方式存在差异，本领域技术人员无法合理推断出该特征。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。<br><br>**公开性判断：未被公开** | [0042]：“在步骤120中，将蚀刻液注入多个柱216之间的空隙中，以蚀刻多个柱216，从而将半导体层218与衬底210分离。” | 对比文件蚀刻的是衬底上的柱状结构，并未使用任何钝化层或保护层作为蚀刻掩膜。蚀刻保护层仅用于保护上部结构，不参与掩膜蚀刻。因此，该特征未被公开或隐含公开。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。<br><br>**公开性判断：未被公开** | 对比文件全文未提及去除蚀刻保护层的步骤。 | 对比文件未公开任何去除保护层或钝化层的过程，更未提及露出第二支撑衬底和氮化镓外延层。本领域技术人员无法从对比文件获知该步骤，故该特征未被公开或隐含公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。<br><br>**公开性判断：未被公开** | [0033]：“通过湿蚀刻柱状矩阵将半导体层与衬底分离，以得到自支撑的块状衬底或薄膜。” | 对比文件在分离后直接得到独立式薄膜，没有后续的外延生长步骤。目标专利在去除钝化层后再生长单晶GaN层，对比文件未涉及，故该特征未被公开或隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。<br><br>**公开性判断：未被公开** | 对比文件[0043]中提及“蚀刻保护层”，但未具体说明其材料。 | 对比文件未公开蚀刻保护层的具体材料，更未提及液体搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯中的任何一种。因此，该特征未被公开或隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。<br><br>**公开性判断：未被公开** | 对比文件[0034]中提及对掩膜进行“退火”，但未涉及对保护层进行固化。 | 对比文件未公开对任何保护层或钝化层进行固化工艺。本领域技术人员无法从对比文件推断出该特征，故该特征未被公开或隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。<br><br>**公开性判断：直接公开** | [0036]：“衬底可选自以下组：蓝宝石、氧化锌、石英、硅基半导体材料（例如：Si、碳化硅如SiC、6H‑SiC、4H‑SiC等）、III‑V族半导体材料、II‑VI族半导体材料。” | 对比文件明确公开了衬底材料包括蓝宝石（氧化物）、碳化硅（碳化物）和硅（硅衬底），这些与目标专利中第一支撑衬底的材料直接对应。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术特征已被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。<br><br>**公开性判断：直接公开** | [0033]：“通过湿蚀刻柱状矩阵将半导体层与衬底分离。”<br>[0031]：“通过蚀刻掉多个柱来分离半导体层。” | 对比文件明确采用湿蚀刻工艺来蚀刻衬底上的柱状结构（即衬底的一部分），从而实现选择性去除。湿蚀刻工艺本身被充分公开，本领域技术人员可以直接得出该技术特征。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。<br><br>**公开性判断：未被公开** | 对比文件全文未提及去除保护层的溶剂。 | 对比文件未公开任何关于去除保护层或钝化层的溶剂，更未提及使用醇溶剂。因此，该特征未被公开或隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。<br><br>**公开性判断：未被公开** | [0039]：“在金属反射层上沉积导电材料。”但未明确该导电材料的具体成分。 | 对比文件虽提及导电材料，但未明确其是否为金属或与第一支撑衬底材料相同。且“第二支撑衬底”本身在对比文件中未被公开，故本领域技术人员无法确定其材料。因此，该特征未被公开或隐含公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征I和J，其他技术特征均未被直接公开或隐含公开。
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