对比文件的名称：JP2006100500A_Description_20260718_2037
目标专利的名称：1808发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统CN102347411B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构（直接公开） | 【0028】“半导体区域3包括层叠配置的作为第一导电型半导体层的n型半导体层11、活性层12、以及作为第二导电型半导体层的p型半导体层13和p型辅助半导体层14。” | 对比文件明确公开了发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，与特征A完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：钝化层，所述钝化层包围所述发光结构的侧面（直接公开） | 【0038】“根据本发明的保护层6是用于抑制因光反射层2的金属迁移导致的发光元件特性劣化的膜，覆盖光反射层2的侧面22、半导体区域3的侧面23、以及支持基板1的侧面24。” | 保护层6覆盖半导体区域3的侧面，半导体区域3即为发光结构，因此保护层构成钝化层并包围发光结构的侧面，功能相同，直接公开。 |
| 技术特征C：布置在所述第一导电半导体层上的第一电极（未公开） | 【0034】“作为阳极的第一电极4配置在p型辅助半导体层9的主面即半导体区域3的另一方主面18的中央部分上，并电连接于此。” | 对比文件的第一电极4设置在p型辅助半导体层（第二导电型）上，第二电极5设置在支持基板背面，没有电极直接设置在第一导电半导体层（n型层）上，因此未公开特征C，也无法隐含公开。 |
| 技术特征D：部分地布置在所述第二导电半导体层上的电流阻挡层（未公开） | 【0055】-【0056】“图9的实施例3中，由绝缘物构成的电流阻挡层31配置在半导体区域3的一方主面17的第1电极4的对向区域的至少一部分上。”一方主面17是n型层表面。 | 对比文件的电流阻挡层31布置在第一导电半导体层（n型层）上，而非第二导电半导体层（p型层）上，因此未公开特征D。 |
| 技术特征E：布置在所述电流阻挡层和所述第二导电半导体层上的欧姆层（未公开） | 对比文件未公开欧姆层在电流阻挡层和第二导电层上的结构。实施例8有欧姆接触层41，但位于n型层和光反射层之间，且不覆盖电流阻挡层。 | 对比文件没有公开欧姆层同时覆盖电流阻挡层和第二导电半导体层，因此未公开。 |
| 技术特征F：布置在所述第二导电半导体层上的反射电极（未公开） | 【0023】“光反射层2配置在支持基板1的一方主面15与半导体区域3的一方主面17之间。”一方主面17是n型层表面。 | 对比文件的光反射层2布置在第一导电半导体层（n型层）上，而非第二导电半导体层（p型层）上，因此未公开特征F。 |
| 技术特征G：布置在所述发光结构上并包围所述反射电极的沟道层（未公开） | 对比文件无沟道层结构。 | 对比文件没有公开任何类似于沟道层的金属层包围反射电极，因此未公开。 |
| 技术特征H：通过附着层连接到所述沟道层的支撑衬底（未公开） | 对比文件无沟道层和附着层。 | 对比文件支持基板1直接通过光反射层2连接到半导体区域，没有沟道层和附着层，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述反射电极包围所述欧姆层的底表面和侧表面（未公开） | 对比文件无对应结构。 | 对比文件没有反射电极包围欧姆层的结构，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述反射电极直接接触所述第二导电半导体层（未公开） | 对比文件光反射层2直接接触第一导电层。 | 对比文件光反射层直接接触第一导电层，不是第二导电层，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述沟道层将所述钝化层与所述反射电极分离（未公开） | 对比文件无沟道层。 | 对比文件没有沟道层，保护层直接接触光反射层，因此未公开特征K。 |
| 技术特征L：其中所述沟道层由金属制成（未公开） | 对比文件无沟道层。 | 对比文件未公开沟道层，更未公开其由金属制成，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述沟道层由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成（未公开） | 对比文件无沟道层。 | 对比文件未公开沟道层材料，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述欧姆层包围所述电流阻挡层（未公开） | 对比文件无欧姆层包围电流阻挡层结构。 | 对比文件没有欧姆层，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述欧姆层由从由ITO、AZO、IZO、Ni、Pt和Ag组成的组中选择的材料制成（未公开） | 对比文件有光透过性电极40（ITO），但并非欧姆层。 | 对比文件没有公开欧姆层，因此其材料特征未公开。 |
| 技术特征P：其中所述欧姆层被分离成至少两个单元欧姆层（未公开） | 实施例8有分散的欧姆接触层41，但位于n型层，且不是布置在电流阻挡层和第二导电层上。 | 对比文件公开的分散欧姆接触层与特征P的欧姆层位置和结构不同，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述反射电极设置在每个欧姆层上（未公开） | 对比文件无对应结构。 | 对比文件未公开反射电极设置在分离的欧姆层上，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述支撑衬底由从由Mo、Si、W、Cu和Al组成的组中选择的材料制成（直接公开） | 【0022】“支持基板1由具有一方主面15和另一方主面16的导电性硅半导体形成。”【0070】（7）“支持基板1可以是金属基板。” | 对比文件明确记载支持基板1由硅半导体形成，硅（Si）属于特征R组中材料，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成（未公开） | 对比文件未明确第一电极材料。 | 对比文件没有公开第一电极的具体材料，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中所述附着层由从由In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au和Al组成的组中选择的材料制成（未公开） | 光反射层2由Ag或Ag合金制成，但并非附着层。 | 对比文件没有公开附着层，因此未公开其材料。 |
| 技术特征U：其中所述沟道层包围所述反射电极的底表面和侧表面（未公开） | 对比文件无沟道层。 | 对比文件未公开沟道层包围反射电极的结构，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述钝化层在所述发光结构的外表面与所述沟道层接触（未公开） | 保护层6接触半导体区域侧面，但无沟道层。 | 对比文件没有沟道层，因此未公开钝化层与沟道层接触的特征。 |
| 技术特征W：其中所述沟道层在至少一个区域中与所述发光结构进行接触（未公开） | 对比文件无沟道层。 | 对比文件未公开沟道层与发光结构接触，因此未公开。 |
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