对比文件名称：JP2008053685A_Description_20260718_2040
目标专利名称：1808发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统CN102347411B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：发光结构（包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层）《直接公开》 | 对比文件[0051]：“在基板310上形成由氮化镓系半导体层构成的发光结构物320。此时，所述发光结构物320具有n型氮化镓系半导体层321、多重量子阱结构的GaN/InGaN活性层322及p型氮化镓系半导体层323依次层叠的结构。” | 对比文件公开了发光结构包括n型层、活性层、p型层，相当于目标专利的第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，因此直接公开。 |
| B：钝化层包围发光结构的侧面《直接公开》 | 对比文件[0058]：“在所述发光结构物320的上面中央部形成电流阻止层330的同时，在所述发光结构物320的两侧面形成保护膜340。”[0077]：“所述发光结构物320的外廓部形成有保护膜340。” | 对比文件公开了保护膜（钝化层）形成在发光结构的两侧面及外廓部，即包围侧面，因此直接公开。 |
| C：第一电极布置在第一导电半导体层上《直接公开》 | 对比文件[0078]：“所述n型氮化物系半导体层321的上面形成有n型电极380。” | 对比文件公开了n型电极（第一电极）形成在n型半导体层（第一导电半导体层）上，因此直接公开。 |
| D：部分地布置在第二导电半导体层上的电流阻挡层《直接公开》 | 对比文件[0058]：“在所述发光结构物320的上面中央部形成电流阻止层330。” | 对比文件公开了电流阻止层（电流阻挡层）形成在发光结构上面中央部，即部分布置在p型半导体层（第二导电半导体层）上，因此直接公开。 |
| E：布置在电流阻挡层和第二导电半导体层上的欧姆层《未公开》 | 无 | 对比文件第一实施例中，p型电极直接形成在p型半导体层上，没有欧姆层，第二实施例有阻挡层但并非欧姆层，因此未公开。 |
| F：反射电极布置在第二导电半导体层上《直接公开》 | 对比文件[0060]：“在所述电流阻止层330没有形成的所述发光结构物320上形成p型电极350。所述p型电极350使用Ag系或Al系等物质形成，以同时发挥电极和反射膜的功能。” | 对比文件公开了p型电极（反射电极）形成在p型半导体层（第二导电半导体层）上且具有反射功能，因此直接公开。 |
| G：沟道层布置在发光结构上并包围反射电极《直接公开》 | 对比文件[0064]：“在所述结果的结构物上形成金属种子层360。”结合图3，金属种子层覆盖p型电极350和发光结构。 | 对比文件公开了金属种子层（沟道层）形成在发光结构上并覆盖p型电极（反射电极），即包围反射电极，因此直接公开。 |
| H：通过附着层连接到沟道层的支撑衬底《未公开》 | 对比文件第一实施例：结构支撑层370直接形成在金属种子层360上，无附着层。第二实施例：接合层460在反射电极与结构支撑层之间，未涉及沟道层。 | 对比文件未公开通过附着层连接到沟道层的支撑衬底，第一实施例无附着层，第二实施例的接合层未连接沟道层，因此未公开。 |
| I：反射电极包围欧姆层的底表面和侧表面《未公开》 | 无 | 对比文件没有欧姆层，因此未公开该特征。 |
| J：反射电极直接接触第二导电半导体层《直接公开》 | 对比文件[0060]：p型电极350形成在发光结构物320上，具体为p型半导体层323上。 | 对比文件公开了p型电极（反射电极）直接形成在p型半导体层（第二导电半导体层）上，因此直接公开。 |
| K：沟道层将钝化层与反射电极分离《隐含公开》 | 对比文件[0058]形成保护膜340，[0060]形成p型电极350，[0064]形成金属种子层360覆盖所有表面。 | 虽然对比文件未明确说明，但金属种子层（沟道层）形成在保护膜（钝化层）和p型电极（反射电极）之上，且位于两者之间，本领域技术人员可以合理推断出金属种子层将钝化层与反射电极分离，因此隐含公开。 |
| L：沟道层由金属制成《直接公开》 | 对比文件[0064]：“金属种子层360”。 | 金属种子层由金属制成，因此沟道层由金属制成直接公开。 |
| M：沟道层由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成《未公开》 | 对比文件未指定金属种子层的具体材料。 | 对比文件未公开金属种子层的具体材料组，因此未公开。 |
| N：欧姆层包围电流阻挡层《未公开》 | 无 | 对比文件没有欧姆层，因此未公开。 |
| O：欧姆层由从由ITO、AZO、IZO、Ni、Pt和Ag组成的组中选择的材料制成《未公开》 | 无 | 对比文件没有欧姆层，因此未公开。 |
| P：欧姆层被分离成至少两个单元欧姆层《未公开》 | 无 | 对比文件没有欧姆层，因此未公开。 |
| Q：反射电极设置在每个欧姆层上《未公开》 | 无 | 对比文件没有欧姆层，因此未公开。 |
| R：支撑衬底由从由Mo、Si、W、Cu和Al组成的组中选择的材料制成《直接公开》 | 对比文件[0095]：“结构支持层470通常由Si基板、Ge基板、SiC基板、GaAs基板或金属层等形成。” | 对比文件公开了支撑衬底可以是Si基板，Si属于组中材料，因此直接公开。 |
| S：第一电极由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成《未公开》 | 对比文件未指定n型电极的材料。 | 对比文件未公开第一电极的具体材料组，因此未公开。 |
| T：附着层由从由In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au和Al组成的组中选择的材料制成《未公开》 | 对比文件第一实施例无附着层，第二实施例接合层材料未指定。 | 对比文件未公开附着层的具体材料组，因此未公开。 |
| U：沟道层包围反射电极的底表面和侧表面《未公开》 | 对比文件[0064]图3显示金属种子层覆盖p型电极的顶面和侧面，未覆盖底面。 | 对比文件中沟道层（金属种子层）仅覆盖反射电极的顶面和侧面，未覆盖底面，因此未公开。 |
| V：钝化层在发光结构的外表面与沟道层接触《直接公开》 | 对比文件[0077]保护膜在发光结构外廓部，[0064]金属种子层在保护膜上。 | 对比文件公开了保护膜（钝化层）在发光结构外表面，金属种子层（沟道层）覆盖保护膜，因此两者接触，直接公开。 |
| W：沟道层在至少一个区域中与发光结构进行接触《未公开》 | 对比文件金属种子层通过保护膜与发光结构隔离，在p型电极区域与p型电极接触，但p型电极不属于发光结构半导体层。 | 对比文件未公开沟道层与发光结构半导体层直接接触，因此未公开。 |
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