对比文件名称：2009-03-01_TW200910640A_发明专利_TW200910640A 光電半導體裝置 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构（直接公开） | “以發光二極體為例，其結構包括至少二層具有相異電性、極性或摻雜之半導體層、以及位於此二半導體層間之發光層(Light－Emitting Layer)，或稱為主動層(Active Layer)。”（说明书“以下配合圖式說明本發明之實施例”部分前） | 对比文件明确公开了发光二极管结构，即发光结构，包括半导体层和发光层，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 同上：“至少二層具有相異電性、極性或摻雜之半導體層、以及位於此二半導體層間之發光層” | 该描述直接公开了发光结构包括两个导电类型相反的半导体层（相当于第一、第二导电半导体层）和位于其间的发光层（有源层），因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层（直接公开） | “再使用旋塗法(Spin Coating)形成一界面層(Interfacial Layer)15覆蓋於半導體系統12與其上所覆蓋之層。例如，於第1A圖中，界面層15係覆蓋於半導體系統12、反射體13與第一接合層14側表面、以及第一接合層14之上表面。”（第1A图对应描述） | 对比文件公开了界面层15覆盖半导体系统12的侧表面，且该界面层由透光绝缘材料（如环氧树脂、BCB）形成，可以透射光，因此相当于发光结构上的透射层，直接公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层（未公开） | 对比文件第6A图显示界面层15中混入波长转换材料21，第6B图显示上界面层15A（含波长转换材料）直接形成于半导体系统12之上，第6C图显示上界面层15A和侧面界面层15均含波长转换材料。 | 对比文件均未公开在一个透明透射层上再形成荧光材料层的结构。荧光材料层要么与透射层合为一体，要么直接形成在发光结构上，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案（直接公开） | “上界面層15A可以具有特定圖案以界定波長轉換材料之分佈範圍。如圖所示之空區153即為具有與上界面層15A相異材料之區域。”（第6C图描述） | 对比文件明确公开了上界面层（荧光材料层）具有图案（空区），因此直接公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠（未公开） | 对比文件第6C图空区153暴露半导体系统12，但无透射层。 | 对比文件未公开透射层，且未同时暴露透射层和发光结构，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | 第6C图显示界面层15（含波长转换材料）覆盖半导体系统12的侧表面。 | 对比文件公开了在发光结构侧表面形成荧光材料层（界面层15含荧光材料），因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上（未公开） | 对比文件未公开透射层形成在发光结构顶表面。 | 对比文件中的界面层15仅覆盖侧表面，未在顶表面形成透射层，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未提及界面层厚度。 | 对比文件未公开透射层的厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件仅提及荧光粉颗粒直径约5μm以下，未涉及层厚度。 | 对比文件未公开荧光材料层的厚度，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未公开构图后保留面积的比例。 | 对比文件未公开该比例范围，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件第6C图侧面界面层15未显示图案。 | 对比文件未公开侧面荧光材料层具有图案，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未公开厚度关系。 | 对比文件未公开侧面与表面荧光材料层的厚度关系，因此未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极（直接公开） | “形成下電極23於導電體16之上”（第1C图描述）；“導電體16係用以承載半導體系統12並作為電流通道”。 | 对比文件公开了在发光结构下方形成导電體16及下电极23，作为第二电极，因此直接公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | “形成上電極22於半導體系統12之上”（第1C图描述）。 | 对比文件仅公开了一个上电极，未公开至少两个第一电极，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件第6C图有空区153，但未说明数量及重叠关系。 | 对比文件未公开该具体结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小（隐含公开） | 第1A图显示半导体系统12的横向宽度小于导電體16的宽度。 | 虽然对比文件未明确文字描述，但从图1A可以直观看出半导体系统12的宽度小于导電體16（第二电极），本领域技术人员可以合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底（未公开） | 对比文件采用导電體16作为支撑，未使用非导电衬底。 | 对比文件公开的是导电支撑，而非非导电衬底，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶（未公开） | 界面层15材料为“環氧樹脂(Epoxy)與苯并環丁烯(benzocyclobutene；BCB)等絕緣性材料”。 | 对比文件未公开透射层材料为硅胶，因此未公开。 |
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