对比文件名称：2002-10-29_US6472765B_发明授权_US06472765B1 Plastic encapsulated semiconductor light emitting device with a cover of fluorescent particles
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：DeepSeek AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (中文翻译) | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构 《直接公开》 | 背景技术部分：“...a semiconductor light emitting element 3...” 具体实施方式部分：“The semiconductor light emitting element 3 may comprise a GaN semiconductor for emitting blue light”（翻译：半导体发光元件3可以包括GaN半导体用于发射蓝光） | 对比文件明确公开了半导体发光元件3，相当于发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层 《隐含公开》 | 具体实施方式部分：“The semiconductor light emitting element 3 may comprise a GaN semiconductor”（翻译：半导体发光元件3可以包括GaN半导体）。未明确提及层结构。 | 对比文件公开了半导体发光元件，本领域技术人员可以合理推断该元件必然包含第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层 《直接公开》 | 背景技术部分：“A plastic encapsulant 9 is formed... The plastic encapsulant 9 mainly contains an epoxy resin or the like having a light permeability”（翻译：塑料封装体9被形成……塑料封装体9主要包括具有透光性的环氧树脂等） | 对比文件公开了塑料封装体9位于发光元件上并具有透光性，即为透射层，因此直接公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层 《直接公开》 | 背景技术部分：“Attached to the plastic encapsulant 9 is a light-permeating cover 12 which comprises... The cover 12 includes fluorescent particles 16 dispersed in the cover 12”（翻译：附着在塑料封装体9上的是透光罩12，其包括……罩12包含分散在罩中的荧光颗粒16） | 对比文件公开了包含荧光颗粒的罩（荧光材料层）附着在塑料封装体（透射层）上，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案 《未公开》 | 无 | 对比文件中的荧光材料层（罩）是连续的，没有图案化，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠 《未公开》 | 无 | 对比文件中荧光材料层完全覆盖透射层，没有暴露部分，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上 《未公开》 | 无 | 对比文件中荧光材料层通过透射层间接覆盖发光结构侧面，并非直接形成在发光结构横向侧面上，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上 《直接公开》 | 背景技术部分描述塑料封装体9密封发光元件3，结合图1，可见封装体底表面接触发光元件顶表面。具体实施方式部分：“The plastic encapsulant 9 for sealing each one end of the leads 1, 2 and the semiconductor light emitting element 3”（翻译：塑料封装体9用于密封引线1、2和半导体发光元件3） | 对比文件公开了塑料封装体（透射层）的底表面与发光元件顶表面接触，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开透射层的具体厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开荧光材料层的具体厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内 《未公开》 | 无 | 对比文件没有构图工艺，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案 《未公开》 | 无 | 对比文件没有图案，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开该厚度关系，因此未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极 《直接公开》 | 背景技术部分：“a semiconductor light emitting element 3 secured with an adhesive agent such as solder on a bottom surface 6 of a dished or cup-like portion (header) 5 formed at the end of the lead 1”（翻译：半导体发光元件3通过焊料固定在引线1端部形成的碗状部分的底表面6上） | 对比文件公开了引线1的碗状部分作为电极位于发光结构下面，相当于第二电极，因此直接公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极 《未公开》 | 无 | 对比文件仅有一个顶电极通过引线4连接，没有至少两个，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠 《未公开》 | 无 | 对比文件没有图案和孔，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小 《直接公开》 | 图1显示发光元件3的横向宽度小于碗状部分5的底部宽度。具体实施方式中未明确文字，但附图公开。 | 对比文件附图直接示出了发光结构宽度小于第二电极（碗状部分）宽度，因此直接公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底 《未公开》 | 无 | 对比文件未提及非导电衬底，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶 《未公开》 | 无 | 对比文件透射层（塑料封装体）为环氧树脂，并非硅胶，因此未公开。 |
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