对比文件名称：2005-10-18_US6956247B_发明授权_US06956247B1 Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI专利分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：包括发光结构《直接公开》** | [0019]：“A flip chip semiconductor light emitting device includes a substrate 40, an n-type region 42, an active, light emitting region 44, and a p-type region 45.” 翻译：倒装芯片半导体发光器件包括衬底40、n型区42、有源发光区44、p型区45。 | 对比文件明确公开了半导体发光器件，其包含发光结构（n型区、有源区、p型区），与目标专利的发光结构实质相同，因此直接公开特征A。 |
| **特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《直接公开》** | 同上[0019]：n-type region 42, active region 44, p-type region 45。 | 对比文件中的n型区42对应第一导电半导体层，p型区45对应第二导电半导体层，有源区44位于二者之间，完全公开了特征B。 |
| **特征C：所述发光结构上的透射层《直接公开》** | [0019]与[0021]：“A two- or three-dimensional photonic band gap (PBG) material 50 is disposed between the light emitting device and luminescent material layer 49.” 翻译：二维或三维光子带隙（PBG）材料50设置在发光器件和发光材料层49之间。 | 对比文件中的PBG材料50位于发光结构之上，且能够透射一次光，尽管其具体结构与目标专利的透射层（如硅胶）不同，但作为一层透射光的材料，属于透射层的上位概念，因此直接公开特征C。 |
| **特征D：所述透射层上的荧光材料层《直接公开》** | [0020]：“A luminescent material layer 49 is disposed over the light emitting device.” 以及[0021]中PBG材料在发光器件与发光材料层之间，表明发光材料层49在PBG材料之上。 | 对比文件明确发光材料层49设置在PBG材料（透射层）上，因此直接公开特征D。 |
| **特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《直接公开》** | [0029]：“FIG. 5 illustrates an embodiment of the invention where luminescent material layer 49 is patterned to allow unconverted light to escape the device.” 翻译：图5示出了本发明的一个实施例，其中发光材料层49被图案化以允许未转换的光逸出器件。 | 对比文件明确公开了荧光材料层被图案化，因此直接公开特征E。 |
| **特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》** | 对比文件[0029]至[0030]描述了图案化荧光材料层，但PBG材料（透射层）始终覆盖发光器件表面，未提及荧光材料层图案会暴露发光结构本身。即使考虑侧面覆盖，PBG材料仍连续存在；对比文件未公开任何区域中发光结构直接暴露。 | 目标专利要求荧光材料层图案同时暴露透射层和发光结构，而对比文件中PBG材料连续覆盖发光结构，荧光材料层图案仅能暴露PBG材料，无法暴露发光结构；且对比文件无任何暗示可去除PBG材料以暴露发光结构。因此特征F未被公开。 |
| **特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《直接公开》** | [0030]：“Though the devices illustrated in FIGS. 3 and 5 show both the photonic band gap material and the luminescent material extending over the sides of the device, in other embodiments either or both materials may cover only the top surface of the device.” 翻译：尽管图3和图5所示的器件显示光子带隙材料和发光材料都延伸过器件的侧面，但在其他实施例中，这两种材料或其中之一可以仅覆盖器件的顶表面。 | 对比文件明确公开了荧光材料层可以延伸到发光器件的侧面，即形成在横向侧面上，因此直接公开特征G。 |
| **特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《直接公开》** | [0030]：“In the embodiments illustrated in FIGS. 3 and 5, photonic band gap material 50 is deposited on the surface of a flip chip light emitting device through which light is extracted from the device.” 翻译：在图3和图5所示的实施例中，光子带隙材料50沉积在倒装芯片发光器件的表面上，光从该表面提取。 | 对比文件明确PBG材料（透射层）沉积在发光结构的顶表面（出光面），因此底表面直接接触顶表面，直接公开特征H。 |
| **特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》** | 对比文件通篇未提及PBG材料的具体厚度数值或范围。 | 对比文件未给出任何厚度范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得到2μm至200μm的特定数值，因此特征I未公开。 |
| **特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》** | 对比文件未提及荧光材料层的厚度范围。 | 对比文件未公开任何厚度数值，因此特征J未公开。 |
| **特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》** | [0029]提到“the ratio of covered surface to uncovered surface may be selected to control the amount of unconverted light”，但未给出具体比例。 | 对比文件仅提及可调节覆盖/未覆盖比例，但未公开30%至90%的具体范围，因此特征K未公开。 |
| **特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《隐含公开》** | [0029]公开了荧光材料层图案化；[0030]公开了荧光材料层可延伸至侧面。两者结合，可合理推断侧面上的荧光材料层也包含图案。 | 本领域技术人员由对比文件公开的图案化技术以及荧光材料层可覆盖侧面的教导，很容易想到将图案化应用于侧面部分，使得侧面荧光材料层也呈现图案。因此特征L隐含公开。 |
| **特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》** | 对比文件未提及侧面荧光材料层与顶部荧光材料层的厚度关系。 | 对比文件既未公开具体厚度值，也未公开厚度比例关系，因此特征M未公开。 |
| **特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《未公开》** | 对比文件图3显示发光结构下方为衬底40，而非电极。电极（接触46）位于发光结构上方或侧面，并未形成在发光结构下面。 | 目标专利的第二电极位于发光结构下方（如垂直型器件），而对比文件为倒装芯片结构，其下方为衬底，无第二电极，因此特征N未公开。 |
| **特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》** | 对比文件图3中，发光结构顶表面（衬底40表面）无电极，电极位于另一侧。 | 目标专利的第一电极位于发光结构顶表面，对比文件无此结构，因此特征O未公开。 |
| **特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》** | 对比文件图5仅示意性示出图案化，未明确孔的数量、具体位置关系或垂直重叠特征。 | 对比文件虽公开了图案化，但未限定至少两个孔，更未公开孔与图案的孔垂直重叠这一特定结构，因此特征P未公开。 |
| **特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》** | 对比文件未涉及发光结构与第二电极的横向宽度比较。 | 对比文件无第二电极在发光结构下方，且未提及宽度关系，因此特征Q未公开。 |
| **特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《直接公开》** | [0019]：“A flip chip semiconductor light emitting device includes a substrate 40”。本领域公知，用于III族氮化物生长的衬底如蓝宝石（sapphire）为非导电衬底。 | 对比文件明确公开了衬底40，且通常为蓝宝石等非导电材料，因此直接公开特征R。 |
| **特征S：其中所述透射层包括硅胶《未公开》** | 对比文件全文未提及硅胶，其透射层为光子带隙材料（如聚苯乙烯球、介电材料等）。 | 对比文件未公开透射层材料为硅胶，因此特征S未公开。 |
### 公开性代码
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、G、H、R，隐含公开了技术特征L。因此，在回答结尾插入对应代码。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<R>>><<<l>>>