对比文件名称：2009-03-26_JP2009065194A_发明专利_JP2009065194A Light-emitting semiconductor element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：第一支撑构件《隐含公开》 | “[2] 図３に示す実施例では第１及び第２電気接続端子２、３は不透過性の、場合によっては事前に製造された基底ケーシング８内に埋込まれている。” | 对比文件公开了基底ケーシング8，该基底ケーシング用于支撑半导体基体，起到支撑构件的作用，与目标专利中第一支撑构件（基底片）的功能类似，本领域技术人员可以合理推断出第一支撑构件，故隐含公开。 |
| 特征B：至少两个结合层《未公开》 | 无 | 对比文件仅公开了单个结合手段（金属ろう又は接着剤）用于连接半导体基体与端子，未公开至少两个结合层，因此未公开。 |
| 特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上《未公开》 | 无 | 对比文件未公开至少两个结合层，也未公开将结合层布置在第一支撑构件上，因此未公开。 |
| 特征D：第二支撑构件《隐含公开》 | “[2] 例えばＳｉＣから成るサブストレート１８上に、ＡｌＮ層又はＧａＮ層１９、ｎ導電形ＧａＮ層２０、…ｐ導電形ＧａＮ層２４から成る多層構造７が被着されている。” | 对比文件公开了サブストレート１８（SiC衬底），该衬底导电且支撑发光结构，相当于目标专利中的第二支撑构件（导电支撑基板），故隐含公开。 |
| 特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上《未公开》 | 无 | 对比文件未公开至少两个结合层，也未公开第二支撑构件布置在结合层上，因此未公开。 |
| 特征F：发光结构《直接公开》 | “[2] 半導体基体１は、半導体多層構造７を有し、該半導体多層構造７は半導体発光素子の作動中、少なくとも青色のスペクトル領域から成るビームを含む、第１の波長領域の電磁ビームを放射し。” | 对比文件明确公开了半導体基体１，其包含半導体多層構造７，该多層構造具有发光功能，因此直接公开了发光结构。 |
| 特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《隐含公开》 | “[2] 例えばＳｉＣから成るサブストレート１８上に、ＡｌＮ層又はＧａＮ層１９、ｎ導電形ＧａＮ層２０、…ｐ導電形ＧａＮ層２４から成る多層構造７が被着されている。” | 对比文件公开了发光结构（多層構造７）形成在衬底18上，该衬底相当于第二支撑构件，因此发光结构布置在第二支撑构件上，故隐含公开。 |
| 特征H：第一导电类型半导体层《直接公开》 | “[2] 図９に示す。ここで、例えばＳｉＣから成るサブストレート１８上に、ＡｌＮ層又はＧａＮ層１９、ｎ導電形ＧａＮ層２０、ｎ導電形Ｇａ<sub>x</sub>Ａｌ<sub>1-x</sub>Ｎ層又はＧａ<sub>x</sub>Ｉｎ<sub>1-x</sub>Ｎ層２１、更なるｎ導電形ＧａＮ層又はＧａ<sub>x</sub>Ｉｎ<sub>1-x</sub>Ｎ層２２、ｐ導電形Ｇａ<sub>x</sub>Ａｌ<sub>1-x</sub>Ｎ層又はＧａ<sub>x</sub>Ｉｎ<sub>1-x</sub>Ｎ層２３及びｐ導電形ＧａＮ層２４から成る多層構造７が被着されている。” | 对比文件明确公开了ｎ導電形ＧａＮ層２０等，其为第一导电类型半导体层，故直接公开。 |
| 特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 同上，公开了ｐ導電形ＧａＮ層２４等，为第二导电类型半导体层，故直接公开。 | |
| 特征J：有源层《直接公开》 | “[2] この多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビーム（例えば、紫外線、青色又は緑色）を放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。” | 对比文件明确公开了多層構造具有アクティブなゾーン（有源层），故直接公开。 |
| 特征K：第一电极《直接公开》 | “[2] 前面電極コンタクト１２は、ボンディング線ワイヤ１４を用いて第２の電気接続端子３に接続されている。” | 对比文件公开了前面電極コンタクト１２，作为第一电极，故直接公开。 |
| 特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | “[2] ｐ導電形ＧａＮ層２４主面２５上及びサブストレート１８の主面２６上に、それぞれ、コンタクト金属化部２７、２８が被着されている。” | 对比文件公开了前面電極コンタクト（コンタクト金属化部２７）形成在ｐ導電形ＧａＮ層（发光结构）的主面２５上，故直接公开。 |
| 特征M：金属层连接相邻器件《未公开》 | 无 | 对比文件仅涉及单个发光元件，未公开多个发光器件及其通过金属层连接，因此未公开。 |
| 特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米《未公开》 | 无 | 对比文件未公开结合层，也未公开任何尺寸限制，因此未公开。 |
| 特征O：结合层包括凹凸结构《未公开》 | 无 | 对比文件未公开结合层，也未公开凹凸结构，因此未公开。 |
| 特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上《未公开》 | 无 | 对比文件未公开凹凸结构，也未公开第一支撑构件表面特征，因此未公开。 |
| 特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同《未公开》 | 无 | 对比文件未公开金属层（连接相邻器件）及组成比较，因此未公开。 |
| 特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同《未公开》 | 无 | 对比文件未公开，因此未公开。 |
| 特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同《未公开》 | 无 | 对比文件未公开，因此未公开。 |
| 特征T：进一步包括《未公开》 | 无 | 过渡词，无实质技术内容，对比文件未公开任何对应结构。 |
| 特征U：欧姆层《未公开》 | 无 | 对比文件公开了コンタクト金属化部，但未明确其为欧姆层，也未描述其作为欧姆层的具体结构（如透明导电氧化物），因此不认为公开了欧姆层。 |
| 特征V：欧姆层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间《未公开》 | 无 | 对比文件未公开欧姆层及其布置关系，因此未公开。 |
| 特征W：进一步包括《未公开》 | 无 | 过渡词，无实质技术内容。 |
| 特征X：反射层《未公开》 | 无 | 对比文件公开了反射器１７（切欠部内壁），但该反射器属于封装组件，并非器件内部反射层，因此未公开。 |
| 特征Y：反射层布置在欧姆层和第二支撑构件之间《未公开》 | 无 | 对比文件未公开反射层及其布置，因此未公开。 |
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