对比文件名称：2009-12-16_EP1434279B_发明授权_EP1434279B1 Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《直接公开》 | [0052]：“Der Halbleiterkörper 1 ist mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels, z. B. ein metallisches Lot oder ein Klebstoff, mit seinem Rückseitenkontakt 11 auf einem ersten elektrischen Anschluß 2 befestigt.” 翻译：“半导体芯片1通过导电连接装置，例如金属焊料或粘合剂，以其背面接触11固定在第一个电连接2上。” | 对比文件中的第一电连接2用于支撑半导体芯片，其功能与目标专利的第一支撑构件（基底片）相同，均为支撑构件。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件仅公开单个芯片通过焊料固定，未提及至少两个结合层，因此未被公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 由于未公开至少两个结合层，该特征未被公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | [0050]：“…auf einem Substrat 18, das z. B. aus SiC besteht, eine Schichtenfolge…” 翻译：“在例如由SiC构成的衬底18上，一层序列…” | 对比文件中的衬底18用于支撑发光结构，并作为导电支撑，相当于目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板），因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 未公开至少两个结合层，且第二支撑构件（衬底）通过焊料直接固定在第一电连接上，而非布置在结合层上，因此未被公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | [0049]：“…einen Halbleiterkörper 1… eine sich aus einer Anzahl von unterschiedlichen Schichten zusammensetzende Schichtenfolge 7, die im Betrieb des Halbleiterbauelements mindestens eine eine Strahlung aussendende aktive Zone besitzt.” 翻译：“半导体芯片1…由多个不同层组成的层序列7，在器件工作时至少具有一个发射辐射的有源区。” | 对比文件公开了具有有源区的半导体层序列，即发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《直接公开》 | [0050]：“…auf einem Substrat 18… eine Schichtenfolge…” 翻译：“在衬底18上形成层序列。” | 发光结构（层序列）直接形成在衬底（第二支撑构件）上，因此直接公开。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层《直接公开》 | [0050]：“…n-leitenden GaN-Schicht 20…” 翻译：“n型GaN层20。” | 对比文件公开了n型半导体层，即第一导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | [0050]：“…p-leitenden GaN-Schicht 24…” 翻译：“p型GaN层24。” | 对比文件公开了p型半导体层，即第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | [0049]：“…aktive Zone…” 翻译：“有源区。” | 对比文件公开了位于n型和p型层之间的有源区，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | [0052]：“…Vorderseitenkontakt 12…” 翻译：“正面接触12。” | 对比文件公开了正面接触，即第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | [0052]：“…Vorderseitenkontakt 12…” 结合附图，正面接触位于半导体芯片上。 | 对比文件的第一电极（正面接触12）布置在半导体芯片（发光结构）上，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件涉及单个器件，未公开任何金属层连接相邻器件，因此未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开结合层的尺寸关系，因此未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开结合层的表面结构，因此未被公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开凹凸结构，因此未被公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开金属层，因此未被公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开金属层，因此未被公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开金属层，因此未被公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开“进一步包括欧姆层”等特征，因此未被公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间的欧姆层，因此未被公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开欧姆层及其位置，因此未被公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开“进一步包括反射层”等特征，因此未被公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开反射层，因此未被公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开此特征。 | 对比文件未公开反射层及其位置，因此未被公开。 |
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