本次调用的模型为：DeepSeek-R1-32K（模拟）。
对比文件名称：2004-09-30_DE29724848U_发明专利_DE29724848U1 Light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装 CN102263119B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件图3示出了基础壳体（Grundgehäuse）8，其用于容纳单个半导体芯片并具有反射杯，但未涉及用于支撑多个发光器件的阵列的公共基底。 | 目标专利的第一支撑构件是基底片（如230），用于同时支撑多个发光器件构成阵列。对比文件仅描述单个器件的封装壳体，未公开阵列化的公共支撑构件，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件图1描述：“mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels, z. B. ein metallisches Lot oder ein Klebstoff, mit seinem Rückseitenkontakt 11 auf einem ersten elektrischen Anschluß 2 befestigt”（通过导电连接手段，如金属焊料或粘合剂，将背面接触11固定在第一电连接件2上）。 | 对比文件仅公开单个芯片的固定层（焊料/粘合剂），未公开至少两个独立的结合层，更未涉及将结合层用于阵列中支撑第二支撑构件。目标专利的结合层是专门用于将每个器件的第二支撑构件固定到第一支撑构件，且宽度受控。对比文件无此教导。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 同特征B，对比文件仅公开单个芯片的固定层位于第一电连接件上，该第一电连接件并非目标专利的第一支撑构件。 | 对比文件未公开第一支撑构件，亦未公开多个结合层布置在其上的结构。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | 图9描述：“auf einem Substrat 18, das z. B. aus SiC besteht, eine Schichtenfolge … aufgebracht”（在例如由SiC构成的衬底18上，形成层序列……）。该衬底18导电，并支撑上方的半导体层序列。 | 对比文件中的衬底18为导电支撑体，直接承载发光层序列，功能与目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板）实质上相同，均为发光结构提供支撑和电极通路。本领域技术人员可毫无疑义地认定其相当于第二支撑构件。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件无对应结构，衬底18直接通过焊料固定在第一电连接件上，而非通过结合层布置。 | 目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板）通过结合层与第一支撑构件连接，且每个器件对应一个结合层。对比文件无此连接关系，亦无多个结合层。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 图9描述：“eine Schichtenfolge aus einer AlN- oder GaN-Schicht 19, einer n-leitenden GaN-Schicht 20, … einer p-leitenden GaN-Schicht 24”（由AlN或GaN层19、n型GaN层20、…、p型GaN层24构成的层序列）；[0014]段：“eine Schichtenfolge mit einer aktiven Halbleiterschicht”（具有有源半导体层的层序列）。 | 对比文件明确公开了包含n型层、p型层及有源层的半导体层序列，即发光结构。与目标专利的发光结构组成一致。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | 图9描述：上述层序列直接形成在衬底18上。 | 对比文件中的发光结构（层序列）直接布置在衬底（第二支撑构件）上，结构关系与目标专利相同。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 图9描述：n-leitende GaN-Schicht 20及进一步的n型层（21、22）。 | 对比文件公开了n型导电类型半导体层，相当于目标专利的第一导电类型半导体层（n型或p型，对比文件可对应）。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 图9描述：p-leitende GaN-Schicht 24及p型层23。 | 对比文件公开了p型导电类型半导体层，相当于目标专利的第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | [0014]段：“aktive Halbleiterschicht”（有源半导体层），且位于n型与p型层之间。 | 对比文件明确公开了有源层位于n型层和p型层之间，与目标专利相同。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 图9描述：“Auf einer Hauptfläche 25 der p-leitenden GaN-Schicht 24 … ist eine Kontaktmetallisierung 27 aufgebracht”（在p型GaN层的主表面25上形成接触金属化27）。 | 对比文件公开了位于发光结构上的接触金属化，即电极，相当于目标专利的第一电极。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 图9描述：接触金属化27直接形成在p型GaN层（发光结构的一部分）上。 | 对比文件电极的位置与目标专利相同，直接布置在发光结构上。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未涉及任何相邻发光器件，亦无连接相邻第二支撑构件的金属层。 | 目标专利的金属层用于在阵列中连接相邻器件的导电支撑基板，对比文件无阵列概念，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层，更无其边缘与发光结构边缘的位置关系。 | 无。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层，亦无凹凸结构。 | 无。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件，亦无凹凸结构。 | 无。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层。 | 无。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层及结合层。 | 无。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层。 | 无。 |
| 技术特征T：进一步包括（过渡词，无具体技术内容，不单独判断） | — | — |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件仅提及“Kontaktmetallisierung”接触金属化，未公开专门的欧姆层（如透明导电氧化物）。 | 目标专利的欧姆层是用于改善欧姆接触的特定层（如ITO），对比文件的接触金属化一般为金属，并非欧姆层，且无此教导。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无欧姆层，亦无第二支撑构件与第二导电类型半导体层之间的特定层。 | 对比文件未公开该层间关系。 |
| 技术特征W：进一步包括（过渡词，不单独判断） | — | — |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件图3等示出了反射杯（Reflektor）17，但该反射杯位于封装壳体上，而非发光结构内部。 | 目标专利的反射层是布置在欧姆层与第二支撑构件之间的内反射层，用于反射有源层的光。对比文件的反射杯是封装外部的反射器，结构位置和功能均不同。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 同特征X，对比文件无内部反射层。 | 无。 |
### 结论
对比文件直接公开了技术特征：D、F、G、H、I、J、K、L。
对比文件未直接公开或隐含公开其他技术特征。
<<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>>