对比文件名称：2005-10-13_JP2005286342A_发明专利_JP2005286342A Light-emitting semiconductor device, an led display device, illumination device, and illumination device of liquid crystal display section
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件公开了“基底ケーシング８”（基底壳体），见[2]：“第１及び第２電気接続端子２、３は不透過性の、場合によっては事前に製造された基底ケーシング８内に埋込まれている。” | 目标专利的第一支撑构件为基底片230，用于在制造过程中临时支撑多个发光器件。对比文件中的基底壳体是单个器件的封装壳体，作用不同，且未公开至少两个结合层设置在其上，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件公开了“導電性結合手段、例えば、金属性ろう又は接着剤を用いて、第１の電気接続端子２上の背面電極コンタクト１１に取り付けられている。”（[2]） | 目标专利的结合层用于连接第二支撑构件和第一支撑构件，且为至少两个。对比文件仅有单个结合手段直接连接半导体基体和端子，无第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征C：至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开结合层布置在基底壳体上。 | 对比文件未公开至少两个结合层，也未公开第一支撑构件（基底片），因此未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件公开了“サブストレート１８”（衬底18），但该衬底是生长衬底，位于半导体多层结构一侧，见[2]图9描述：“例えばＳｉＣから成るサブストレート１８”。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板，位于发光结构与结合层之间。对比文件中的衬底位于另一侧，且无结合层，因此未公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开第二支撑构件和结合层。 | 对比文件无第二支撑构件和结合层，因此未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件公开了“半導体基体１は、半導体多層構造７を有し、この多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビームを放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。”（[2]） | 该半导体基体及其多层结构是发光结构，能够发射光束，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件公开了半导体基体1直接安装在第一电气连接端子2上，见[2]：“半導体基体１は導電性結合手段を用いて、第１の電気接続端子２上の背面電極コンタクト１１に取り付けられている。” | 目标专利的发光结构布置在第二支撑构件上，对比文件无第二支撑构件，发光结构直接连接端子，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件公开了“n導電形ＧａＮ層２０”（n型GaN层20），见[2]图9描述。 | n型半导体层即为第一导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件公开了“ｐ導電形ＧａＮ層２４”（p型GaN层24），见[2]图9描述。 | p型半导体层即为第二导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件公开了多层结构具有“少なくとも１つのアクティブなゾーン”（至少一个活性区），且图9中n型层和p型层之间具有活性层（如层21、22等），见[2]：“多層構造７は、…少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。” | 活性区即为有源层，位于n型和p型层之间，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件公开了“前面電極コンタクト１２”（前面电极接触12）和“背面コンタクト１１”（背面接触11），见[2]图1描述。 | 对比文件在发光结构上设有电极，直接公开第一电极。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 对比文件公开了前面电极接触12布置在半导体多层结构上（如p型GaN层上），见[2]图1：“前面電極コンタクト１２”。 | 前面电极直接布置在发光结构上，直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开多个发光器件，也未公开第二支撑构件和金属层。 | 目标专利的金属层连接相邻器件，形成阵列。对比文件仅涉及单个器件，无此结构，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层及其边缘位置。 | 目标专利限定结合层宽度小于发光结构且内缩1-10微米。对比文件无结合层，未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层凹凸结构。 | 目标专利结合层表面具有凹凸结构。对比文件无结合层，未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开凹凸结构形成在基底壳体表面上。 | 目标专利的凹凸结构形成在结合层表面或第一支撑构件表面。对比文件无此结构，未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和第二支撑构件。 | 目标专利金属层与第二支撑构件部分组成相同。对比文件无此特征，未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和结合层。 | 目标专利金属层与结合层部分组成相同。对比文件无此特征，未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层。 | 目标专利金属层与发光结构部分组成相同。对比文件无此特征，未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（欧姆层）（未公开） | 对比文件未公开欧姆层。 | 目标专利进一步包括欧姆层，对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件公开了“コンタクト金属化部２７”（接触金属化部），但未明确为欧姆层，且无第二支撑构件，见[2]图9：“ｐ導電形ＧａＮ層２４主面２５上…コンタクト金属化部２７”。 | 目标专利的欧姆层是透明导电层，位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。对比文件未公开专门的欧姆层及其布置，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开欧姆层和第二支撑构件，且接触金属化部直接形成在p型层上，无第二支撑构件。 | 目标专利的欧姆层位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。对比文件无此布置，未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（反射层）（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 目标专利进一步包括反射层，对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 目标专利的反射层用于反射光，位于欧姆层和第二支撑构件之间。对比文件无此结构，未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开反射层和第二支撑构件。 | 目标专利的反射层位于欧姆层和第二支撑构件之间。对比文件无此结构，未公开。 |
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