对比文件名称：2006-05-10_JP3773541B_发明专利_JP3773541B2 Semiconductor light emitting device having a luminescence conversion element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未记载第一支撑构件。 | 对比文件涉及单个半导体发光器件，未公开用于支撑多个发光器件的阵列的基底片等支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未记载至少两个结合层。 | 对比文件仅提及将半导体基体固定到引线框架的导电性结合手段（如焊料），但未公开至少两个结合层布置在支撑构件上。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未记载结合层布置在支撑构件上。 | 对比文件没有第一支撑构件和至少两个结合层的概念，因此未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件未记载第二支撑构件。 | 对比文件中的半导体基体包括衬底（如SiC），但该衬底是生长衬底，属于发光结构的一部分，并非独立的导电支撑基板，因此未公开第二支撑构件。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未记载第二支撑构件和结合层的这种布置。 | 对比文件没有第二支撑构件和至少两个结合层，因此未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件说明书（图1描述）：“半导体基体1与背面电极11、前面电极12以及由多个不同层构成的多层结构7，该多层结构7在半导体元件工作期间具有至少一个发射光束的有源区。” | 对比文件的多层结构7即为发光结构，其具有有源区，因此直接公开了发光结构。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 对比文件未记载发光结构布置在第二支撑构件上。 | 对比文件中的发光结构（半导体基体）直接形成在衬底上，并未布置在额外的导电支撑基板上，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件说明书（图9描述）：“n导电型GaN层20、n导电型Ga<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>N层或Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>N层21、另外的n导电型GaN层或Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>N层22”。 | 对比文件明确公开了n型半导体层，相当于第一导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件说明书（图9描述）：“p导电型Ga<sub>x</sub>Al<sub>1-x</sub>N层或Ga<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>N层23以及p导电型GaN层24”。 | 对比文件明确公开了p型半导体层，相当于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件说明书（图1、图9）：“多层结构7具有至少一个有源区”且图9中n型层与p型层之间形成有源层。 | 对比文件公开了有源层（活性区）位于n型和p型层之间，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件说明书（图1、图9）：“前面电极12”以及“在p导电型GaN层24主面25上及衬底18主面26上分别形成接触金属化部27、28”。 | 对比文件公开了前面电极（第一电极）和背面电极，因此直接公开第一电极。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上，前面电极12形成在p-GaN层上，即发光结构上。 | 对比文件的第一电极布置在半导体基体（发光结构）上，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未记载相邻发光器件的连接。 | 对比文件仅涉及单个发光器件，未公开多个器件及其连接，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未记载结合层边缘位置。 | 对比文件没有结合层的概念，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未记载凹凸结构。 | 对比文件未涉及结合层，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未记载第一支撑构件表面凹凸结构。 | 对比文件没有第一支撑构件和结合层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未记载金属层及其组成。 | 对比文件没有金属层连接相邻第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未记载金属层组成。 | 同上。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未记载金属层组成。 | 同上。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未记载“进一步包括”的特定结构。 | 该特征本身无技术内容，但对比文件未公开后续的欧姆层等结构，因此未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（隐含公开） | 对比文件（图9）：“在p导电型GaN层24主面25上及衬底18主面26上分别形成接触金属化部27、28”。 | 对比文件中的接触金属化部用于形成欧姆接触，本领域技术人员可以合理推断其为欧姆层，因此隐含公开了欧姆层。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未记载欧姆层位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。 | 对比文件没有第二支撑构件，欧姆层直接形成在半导体层上，因此未公开该位置关系。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 对比文件未记载“进一步包括”的反射层。 | 同特征T。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未记载反射层。 | 对比文件虽有反射器（壳体），但并非层状反射层，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未记载反射层及该位置关系。 | 对比文件没有反射层和第二支撑构件，因此未公开。 |
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