对比文件名称：2007-04-12_DE102005053274A_发明专利_DE102005053274A1 Making semiconductor chips involves building up semiconductor layers, applying metal plating to epitaxial growth substrate and depositing metal layer g
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件。对比文件在制造过程中使用临时载体（Zwischenträger），如玻璃衬底或硅晶圆（图6E的29），但该临时载体用于支撑晶圆，且通过蜡层或焊料层连接，而非通过结合层固定发光器件。 | 对比文件没有公开与目标专利中用于支撑发光器件阵列的基底片（第一支撑构件）相对应的结构。临时载体为工艺辅助件，最终被移除，且未通过结合层固定发光器件，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开结合层。对比文件公开了焊料层（Lotschicht）28（图6D），但该焊料层是用于将芯片最终安装到载体，并非用于临时固定到基底片，且未公开多个焊料层分别对应每个发光器件。 | 目标专利的结合层用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件，且每个发光器件具有一个结合层。对比文件的焊料层作用不同，且未公开多个结合层布置在第一支撑构件上，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开结合层布置在第一支撑构件上。 | 由于结合层未被公开，此特征也未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | 对比文件公开：“电镀沉积的金属层4具有30μm或更大，优选在30μm至300μm之间的厚度。...金属层4优选由具有高导热性的金属构成。...电镀施加的金属层4在后续工艺步骤中用作机械稳定载体和高效散热器。”（在具体实施方式部分，关于图1C的描述） | 电镀金属层4在对比文件中起到机械支撑和散热作用，与目标专利中第二支撑构件（导电支撑基板）的作用相同，均用于支撑发光结构并作为电极，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开结合层，因此未公开第二支撑构件布置在结合层上。 | 由于结合层未被公开，此特征未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件公开：“半导体层序列2包含辐射发射有源层9”（在具体实施方式部分，关于图2的描述）。 | 半导体层序列2包括有源层，相当于发光结构，用于发光，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | 对比文件公开：半导体层序列2通过金属化3与电镀金属层4连接（图1B、1C）。具体描述：在金属化3上电镀沉积金属层4。 | 半导体层序列2布置在电镀金属层4上（通过金属化3），电镀金属层4作为第二支撑构件，因此直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（隐含公开） | 对比文件公开半导体层序列包括p型和n型层，但未明确命名第一导电类型。具体描述：在实施例中提到“p-Kontaktschicht”和“n-Kontaktmetallisierung”，但半导体层序列本身必然包括p型层和n型层（如有源层两侧）。 | 本领域技术人员知道，发光结构通常包括n型层和p型层，有源层在中间。对比文件虽未明确列出，但根据其结构（有源层、电极），可以合理推断出包括第一导电类型半导体层，因此隐含公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（隐含公开） | 同特征H，隐含公开。 | 同样，本领域技术人员可以合理推断出包括第二导电类型半导体层，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件公开：“半导体层序列2包含辐射发射有源层9”（在具体实施方式部分，关于图2的描述）。 | 有源层9位于半导体层序列中，相当于目标专利的有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件公开：“在移除生长衬底1后，可以在半导体层序列2的背离金属层4的一侧施加层或层序列5。层或层序列5例如是接触金属化，用于形成与金属化3相对的半导体层序列2的第二电接触。”（在具体实施方式部分，关于图1E的描述）。 | 接触层5作为电极，与金属化3相对，相当于第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 对比文件公开：接触层5布置在半导体层序列2上。 | 接触层5直接形成在半导体层序列2上，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开连接相邻第二支撑构件的金属层。对比文件在分割时，金属层4被切割，相邻芯片的金属层是分离的。 | 目标专利的金属层160a连接相邻发光器件的导电支撑基板，对比文件没有类似结构，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层及其边缘位置。 | 由于结合层未被公开，此特征未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层及其凹凸结构。 | 结合层未被公开，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件及其表面凹凸结构。 | 第一支撑构件和结合层均未被公开，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开目标专利中的金属层（连接相邻第二支撑构件的金属层）。 | 对比文件没有公开连接相邻第二支撑构件的金属层，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和结合层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层。 | 未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 无具体技术内容。 | 该特征仅引出后续特征，本身无技术内容。 |
| 技术特征U：欧姆层（直接公开） | 对比文件公开：“优选地，金属化3是适合于形成与相邻半导体层序列2的p侧或n侧接触的层或层序列。特别地，金属化3可以是Cr/Pt/Au层序列。”（在具体实施方式部分，关于图1B的描述）。 | 金属化3可以是欧姆接触层，相当于目标专利的欧姆层，因此直接公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | 对比文件公开：金属化3位于半导体层序列2和电镀金属层4之间。 | 金属化3（欧姆层）直接接触半导体层序列2（第二导电类型半导体层侧）和电镀金属层4（第二支撑构件），因此直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 无具体技术内容。 | 该特征仅引出后续特征。 |
| 技术特征X：反射层（直接公开） | 对比文件公开：“此外，金属化3可以是反射增强层，例如包含Ag、Au或Al。”（在具体实施方式部分，关于图1B的描述）。 | 金属化3可以是反射层，用于反射光，与目标专利的反射层作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（隐含公开） | 对比文件公开金属化3可以是多层结构，包括欧姆接触层和反射层，但未明确反射层位于欧姆层和电镀金属层之间。具体描述：金属化3可以是Cr/Pt/Au层序列（欧姆接触），也可以是反射增强层。 | 本领域技术人员已知，在半导体器件中，反射层通常位于欧姆接触层和金属支撑层之间以减少吸光。对比文件虽未明确，但可以合理推断其金属化3可以包括反射层位于欧姆层和电镀金属层之间，因此隐含公开。 |
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